CT-2-6 パワーデバイスの将来とその役割 : 「Si×WBG」から「Si+WBG」へ(CT-2.ワイドギャップ半導体パワーデバイスの現状と展望,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2012-03-06
著者
関連論文
- 磁界プローブによるVRMボード表面実装パワーMOSFETの非破壊電流測定法
- 高耐圧GaN-HEMTの無電極ランプ照明回路への応用(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- GaN-HEMTを用いた高電圧・高周波(>10MHz)E級アンプ回路
- GaN-HEMTを用いた高電圧・高周波(>10MHz)E級アンプ回路(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- VRM開発用マイクロ電流プローブ : 高dI/dt(≧2000A/μsec)逆回復動作の測定
- チョッパ回路における600V系SiC-SBDの低損失化評価
- 4.5kV-6kA遮断IEGT圧接型パッケージの開発
- パワー半導体でのデバイスシミュレーション技術について(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- シリコンパワーデバイスの現状(パワーエレクトロニクスの課題と展望-ワイドバンドギャップ素子の可能性を含めて)
- シリコンパワー素子の現状
- 国際会議レポート : APEC2004
- 磁界プローブによるVRMボード表面実装パワーMOSFETの非破壊電流測定法
- 磁界プローブによるVRMボード表面実装パワーMOSFETの非破壊電流測定法
- 高耐圧GaN-HEMTにおけるバッファ層構造と電気的特性の相関
- 高耐圧GaN-HEMTにおける電流コラプスのフィールドプレート構造依存性
- 600V AlGaN/GaN HEMTの試作とDC-DCコンバータ連続運転試験
- 600V GaN-HEMTを用いたDC-DCコンバータ連続運転(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 600V GaN-HEMTを用いたDC-DCコンバータ連続運転(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- フィールドプレート構造を用いたGaNパワーデバイスの最適設計(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- フィールドプレート構造を用いたGaNパワーデバイスの最適設計(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- フィールドプレート構造を用いたGaNパワーデバイスの最適設計(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 5000V高耐圧超薄膜SOI素子の数値解析
- パワー半導体でのデバイスシミュレーション技術について(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 高耐圧GaN-HEMTの無電極ランプ照明回路への応用(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- EMIノイズとスイッチング損失を考慮したIGBTの限界設計
- EMIノイズとスイッチング損失を考慮したIGBTの限界設計(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)
- FP構造を有する高耐圧GaN-HEMTの電流コラプスとゲートチャージ
- 15.5mΩcm^2-680V Superjunction MOSFET
- 高アバランシェ耐量を有する600V高速NPT-IGBT
- GaN-HEMTを用いた高電圧・高周波(>10MHz)E級アンプ回路(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- GaN-HEMTを用いた高電圧・高周波(>10MHz)E級アンプ回路
- CS-9-4 電源用GaNパワーデバイス(CS-9.実用化が進むGaNデバイスの現状と展望,シンポジウム)
- 高耐圧 (>1000V) SemiSuperjunction MOSFET
- フィールドプレート構造を用いたGaNパワーデバイスの最適設計
- 600V Semi-Superjunction MOSFET
- 埋め込みp層によるSBDの超低オン抵抗化
- パワー半導体技術は持続的発展に貢献するのか
- InAs赤外線センサを用いたパワー半導体チップ用高速温度測定技術についての検討
- フルデジタル回路によるIGBTの高速短絡保護
- InAs赤外線センサを用いたパワー半導体チップ用高速温度測定技術についての検討
- PiNダイオードの逆回復時高周波振動の検討
- CT-2-6 パワーデバイスの将来とその役割 : 「Si×WBG」から「Si+WBG」へ(CT-2.ワイドギャップ半導体パワーデバイスの現状と展望,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- 高耐熱コンタクトプローブを用いたSiCショットキーバリアダイオードの電流-電圧特性評価用試験装置開発
- フルデジタル回路によるIGBTの高速短絡保護
- InAs赤外線センサを用いたパワー半導体チップ用高速温度測定技術についての検討
- PiNダイオードの逆回復時高周波振動の検討
- InAs赤外線センサを用いたパワー半導体チップ用高速温度測定技術についての検討
- 高耐圧パワー・デバイス用スケールダウン・テストベッドの開発(エネルギー変換技術,電池関連技術,一般)
- 高耐圧パワー・デバイス用スケールダウン・テストベッドの開発(エネルギー変換技術,電池関連技術,一般)