2p-L1-3 結合された二つの井戸の量子準位の共鳴トンネル分光(半導体,(表面・界面・超格子))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 一般社団法人日本物理学会の論文
- 1988-03-31
著者
関連論文
- 30p-N-7 共鳴トンネルのバレー電流に対する非弾性散乱の影響II
- 26a-ZG-8 共鳴トンネルのバレー電流に対する非弾性散乱の影響
- 26p-ZJ-7 共鳴トンネル効果における非弾性散乱の影響
- 27p-B-14 共鳴トンネルに対する非弾性散乱の影響 : 光学ポテンシャルを使ったときの注意II
- 30p-ZK-7 共鳴トンネルに対する非弾性散乱の影響 : 光学ポテンシャルを使ったときの注意
- 2p-D-5 ランダムに分布した不純物の共鳴トンネルへの影響
- 30a-Z-5 ファインマン経路積分法による共鳴トンネルの考察 III
- 3a-C-2 ファインマン経路積分法による共鳴トンネルの考察 II
- 3a-C-1 ファインマン経路積分法による共鳴トンネルの考察 I
- 10p-U-2 プロトン照射でできるdeep acceptorのエネルギー準位と空間分布
- 30a-U-4 水素イオン照射による Si 中ドナー生成と焼鈍特性
- 2a-A-2 プロトン照射によるSi中のドナーの生成
- イオン打込みSi層の電気的性質 : 荷電ビームと応用
- p型コレクタをもつAlGaAs/GaAs-HBT
- 40 Gbps HBT ICs : D-type Flipflop, Darlington feedback amplifier, Preamplifier
- GaAs-HBT超高速ドライバIC
- 低ベース抵抗, 高fmax AlGaAs/GaAs HBT
- AlGaAs/GaAsヘテロ接合バイポ-ラトランジスタを用いた超高速IC (集積回路)
- 光通信素子技術 (光通信技術特集)
- 半導体の接合容量を用いた不純物濃度の測定 (計測特集号)
- ポストGaAsマイクロ波電力素子 (マイクロ波通信用半導体)
- 2p-L1-3 結合された二つの井戸の量子準位の共鳴トンネル分光(半導体,(表面・界面・超格子))