3a-C-2 ファインマン経路積分法による共鳴トンネルの考察 II
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1989-09-12
著者
関連論文
- 26a-ZG-8 共鳴トンネルのバレー電流に対する非弾性散乱の影響
- 4)液晶ディスプレイ用a-Si薄膜トランジスタ(画像表示研究会(第75回))
- 液晶ディスプレイ用a-Si薄膜トランジスタ
- 26p-ZJ-7 共鳴トンネル効果における非弾性散乱の影響
- 27p-B-14 共鳴トンネルに対する非弾性散乱の影響 : 光学ポテンシャルを使ったときの注意II
- 30p-ZK-7 共鳴トンネルに対する非弾性散乱の影響 : 光学ポテンシャルを使ったときの注意
- 2p-D-5 ランダムに分布した不純物の共鳴トンネルへの影響
- 30a-Z-5 ファインマン経路積分法による共鳴トンネルの考察 III
- 3a-C-2 ファインマン経路積分法による共鳴トンネルの考察 II
- 3a-C-1 ファインマン経路積分法による共鳴トンネルの考察 I
- 10p-U-2 プロトン照射でできるdeep acceptorのエネルギー準位と空間分布
- 30a-U-4 水素イオン照射による Si 中ドナー生成と焼鈍特性
- 2a-A-2 プロトン照射によるSi中のドナーの生成
- イオン打込みSi層の電気的性質 : 荷電ビームと応用
- 半導体の接合容量を用いた不純物濃度の測定 (計測特集号)
- 2p-L1-3 結合された二つの井戸の量子準位の共鳴トンネル分光(半導体,(表面・界面・超格子))