AlGaN/GaN HEMT構造におけるオーミック接触抵抗への自発分極およびピエゾ分極の効果
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概要
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AlGaN/GaN HEMT構造におけるオーミック接触抵抗について、熱電子放出とトンネル理論に基づいた解析を行った。ヘテロ接合に生じる自発分極およびピエゾ分極の電荷が、オーミック接合の固有接触抵抗を効果的に低下させていることが明らかとなった。この効果はAlGaN膜厚が薄いほど顕著となる。AlGaNのAlモル比0.3、ドナ濃度10^<18>cm^<-3>の条件で計算したTiに対する固有接触抵抗は、AlGaN厚が30nmでは53Ωcm^2であるのに対し、2nmでは5.5×10^<-6>Ωcm^2に低下した。このことから、AlGaNの膜厚を制御することが、低抵抗のオーミック接合を得るための一つの有効な手段であることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-06-25
著者
-
津田 邦男
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
-
広瀬 真由美
(株)東芝 研究開発センター
-
広瀬 真由美
東芝研究開発センター
-
Hirose Mayumi
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
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