大村 八通 | 東芝総研
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
大村 八通
東芝総研
-
大村 八通
東芝中研
-
造田 安民
東芝総研
-
金沢 守
東芝総研
-
宮沢 久雄
東芝中研
-
若槻 雅男
東芝中研
-
若槻 雅男
東芝・中研
-
酒井 孝男
東芝半導体
-
酒井 孝雄
東芝半導体
-
谷田 和雄
東芝中研
-
造田 安民
東芝中研
-
安田 幸夫
東芝中研
-
宮沢 久雄
玉川大・工:東芝中研
-
山中 実
東芝中研
-
大村 八通
東芝忠研
-
宮沢 久雄
東芝忠研
著作論文
- 10p-U-2 プロトン照射でできるdeep acceptorのエネルギー準位と空間分布
- 30a-U-4 水素イオン照射による Si 中ドナー生成と焼鈍特性
- 2a-A-2 プロトン照射によるSi中のドナーの生成
- イオン打込みSi層の電気的性質 : 荷電ビームと応用
- 3a-H-8 InSb正孔の磁気準位とサイクロトロン共鳴
- 2p-C-8 Corundum上のSi蒸着膜の成長
- 5a-G-6 閃亜鉛鉱型半導体正孔のサイクロトロンの共鳴
- O. Madelung: Physics of III-V Compounds, John Wiley & Sons, Inc., New York, 1964, 409頁, 24×16cm, 5200円.
- p-InSb電流磁気効果の異方性(4) : 可能な等エネルギー面 : 半導体 : 輸送
- 6p-F-13 p-InSb電流磁気効果の異方性 (3)
- p-InSb電流磁気効果の異方性(半導体(電流,磁気,歪))
- InSbの比熱 : 半導体
- 6a-L-4 不純物を入れたInSbの電気的性質 (I)Cu,Ag,Au
- 6a-L-3 InSbの不純物準位への圧力の影響
- 13p-A-4 InSb p-n junctionの高圧下の特性
- 13p-A-3 p型InSbの低温に於る熱起電力