4p-WB-3 P型半導体ピエゾ抵抗効果の理論.II.
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
28p-S-5 磁場中の水素型原子 : 量子カオスとは?
-
第11回原子物理学国際会議
-
「van Hove極限」の補足 : 散逸系への移行に伴う「エントロピー生成」の構造(基研長期研究会「進化の力学への場の理論的アプローチ」報告,研究会報告)
-
「van Hove極限」の補足 : 散逸系への移行に伴う「エントロピー生成」の構造(基研長期研究会「進化の力学への場の理論的アプローチ」,研究会報告)
-
1. 反磁性ケプラー運動における回帰性軌道(recurrent orbit)の量子化(基研短期研究会報告「非可積分系の量子力学」,研究会報告)
-
確率過程の方法による非平衡熱力学(基研短期研究会「進化の力学への場の理論的アプローチ」報告,研究会報告)
-
CuMnのレマネンスとスピン共鳴(B.金属スピングラス,基研短期研究会「スピングラスとその周辺」,研究会報告)
-
30p-BA-8 磁場中水素原子のランダム・ダイナミックス
-
2a-J-7 レーザーFokker-Planck方程式の変分法による解法
-
3a GR-3 光学的二重安定状態の定常分布及び熱力学的性質
-
31a-LG-6 System size展開について
-
4p-B-12 変分法によるレーザー・超放射の確率分布 II
-
4p-B-11 変分法によるレーザー・超放射の確率分布 I
-
非平衡統計力学における変分原理-中野氏の提案を具体化する方法について-(非線型・非平衡状態の統計力学,研究会報告)
-
マルコフ過程の変分原理とOnsager原理について(「統計力学の数学的問題」,基研研究会報告)
-
超放射における非平衡性(Bethe格子,基研研究会報告)
-
12p-H-10 平衡状態への接近に関する変分原理
-
5a-KA-2 超放射における原子間の相関発生について (II)
-
5a-KA-1 超放射の於る厚子系の相関発生について. (I)
-
「励起子」の理論(短期研究計画,第46回研究部員会議(2月27日、28日)資料,研究会報告)
-
20L-3 強磁場における電流磁気効果
-
Quantum Lines of Stress-split Hole of Ge : 半導体(レゾナンス)
-
4p-U-7 半導体中の深い不純物準位の"d"の効果
-
4p-WB-3 P型半導体ピエゾ抵抗効果の理論.II.
-
8p-L-2 強磁場に於けるExcitonの一般論
-
8p-F-3 GeのexcitonによるFaraday rotationの理論 II.
-
Cu_2Oの光吸収に於ける応力,Zeeman効果 : 半導体(Si, Ge)
-
F. Seitz and D. Turnbull編: Solid State Physics Vol. 14, Academic Press Inc., New York,. London 1962, 519頁, 16×24cm, $16.00 / Yako Yafet: g Factors and Spin-Lattice Relaxation of Conduction Electrons.
-
7p-A-9 Si,Geアクセプタのゼーマン効果
-
Si中アクセプタのゼーマン効果 : 半導体
-
反磁性を利用して固体のエネルギー帯を決める方法
-
19A-7 dilute Cu-Mn合金の反強磁性共鳴
-
6C6 galvano-magnetic効果に現れた振動効果
-
6C5 Biのgalvanomagnetic効果 III
-
17A-15 強磁場に於ける電気傳導
-
極低温でのgalvanomagnetic効果
-
Biの極低温でのホール効果II : 極低温
-
2-3 高感度赤外線ビジコン
-
1a-TC-8 不純物帯の理論 II.電子温度
-
1a-TC-7 不純物帯の理論 I.光学的性質
-
強磁場下における不純物帯伝導 : 半導体 (下純物)
-
7p-R-3 抗血栓性材料の研究II
-
7p-R-2 抗血栓性材料の研究I
-
確率過程の方法による非平衡熱力学(基研短期研究会「進化の力学への場の理論的アプローチ」報告,研究会報告)
-
30a-F-2 高密度励起子の理論 III
-
強磁場におけるExcitonの理論II : CdSの解析 : イオン結晶光物性 : 光学的性質I
-
30a-Y-8 Siのピエゾ抵抗非線形効果
-
量子準位の運動と曲率分布(基研短期研究会『少数多体系における量子カオスと関連する諸問題』,研究会報告)
-
29p-U-14 化学擬ポテンシャル法によるSi表面再構成の電子論
-
2p-Q-7 Si表面の電子状態密度 : 化学擬ポテンシャル法
-
31a GD-2 クラスター・ベーテ・格子法による半導体の電子構造II. : Si中の格子間遷移金属不純物
-
31a GD-1 クラスター・ベーテ格子法による半導体の電子構造I. : IV族結晶の電子状態密度
-
3p-DS-1 半導体中の不純物のd軌道と母体との相互作用-化学擬ポテンシャル法-
-
31p-BJ-1 半導体中の遷移金属不純物の電子状態-不純物原子の電子配置
-
10p-R-7 半導体中の遷移金属不純物の電子状態
-
12a-F-7 クラスター模型によるSi中の深い不純物準位の電子構造
-
プリンキピア300年に寄せて
-
圧力センサ- (最近の実用センサ-技術(技術ノ-ト))
-
国府田さんに賛成
-
学術誌の吉夢と凶夢
-
物理学会と若者
-
3p-A-4 半導体超格子のフォノン
-
12p-D-13 シリコン原子の配置と格子振動
-
27a-SB-8 水素, 弗素を添加したシリコン格子の局在振動
-
回帰連分数法の格子振動への応用(計算機による固体相転移の研究,科研費研究会報告)
-
30a-F-1 回帰連分数法によるc-及びa-Siの振動スペクトル
-
A. Haug. transl. by H.S.H. Massey and ed. by D. ter Haar: Theoretical Soild State Physics, Vols. 1 & 2, Pergamon Press, Oxford and New York, 1972, 26×18cm, Vol. 1; 6,580円, Vol. 2; 5,640円 (International Series of Monographs in Natural Philosophy, Vols. 36
-
4a-M-2 半導体表面層における電子の多体効果
-
1p-F-3 ランダウ電子の coherent classification
-
28a-YM-12 n-Siのピエゾ抵抗 : 谷間散乱 (II)
-
28p-G-5 Siの伝導谷間散乱における歪効果
-
14a-K-5 半導体のピエゾ・ホール効果とバンドの対称性
-
30p-M-3 応力によるバンド変形とピエゾ・ホール効果
-
28p-D-10 シリコン非線形ピエゾ抵抗効果の異方性
-
4a-E-9 ピエゾ抵抗におけるバンド傾き効果
-
5p-C-17 n-Siの非線形ピエゾ抵抗
-
5a-S4-2 Si薄膜のホール型ピエゾ抵抗II
-
28p-G-14 微結晶フィルムにおけるピエゾ抵抗の統計理論 II
-
11p-H-9 H-定理とOnsager公式
-
5a-U-9 1次元非周期場ポテンシャルの電子論
-
一次元連続系(電子系)における"exponential growth"(基研モレキュール型研究会,基研研究会報告)
-
非周期電子系の光学的性質(「励起子」,研究会報告)
-
2a-TB-2 磁場中の局在状態
-
非周期系の函数論と数値実験(モレキュール型研究計画,第46回研究部員会議(2月27日、28日)資料,研究会報告)
-
不純物帯のSum RuleとTailingについて II : 物性基礎論・統計力学
-
強磁場中のCarrien Freeze-Out Effect : 半導体(不純物伝導)
-
Friedel Sum Ruleの一般化について(非周期系物性の基礎理論,基研研究会報告)
-
4a-L-6 交換相互作用による励起子スペクトルの応力-偏光分裂
-
3a-N-3 ランダウ準位とリドバーグ系列の共存
-
物性理論長谷川研究室(京大物性物理研究グループの紹介,京都大学)
-
13p-P-7 伝導電子系に関する非線型光学の理論Iランダウ準位間のラマン散乱
-
13a-K-9 InSbの不純物帯の磁場freege out 効果
-
不純物励起子の理論
-
4a-C-3 Impurity Excitonの一理論
-
Bok教授の講義要約 Plasma and Magneto-plasma Phenomena in Sold State Optics(第二回国際夏の学校に関する報告)
-
強磁場中の励起子 IV : 励起子帯の磁場変化 : イオン結晶・光物性 : 基礎吸収
-
強磁場におけるExciton III : 二次元半導体の場合 : 光物性・イオン結晶
-
6p-G-2 バンドの連結と電場磁場効果
-
30p-LD-10 微結晶フィルムにおけるピエゾ抵抗の統計理論(半導体)
-
3a-D1-5 p-Siのピエゾ抵抗効果の理論(3a D1 半導体(輸送現象・ホットエレクトロン),半導体)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク