30a-F-1 回帰連分数法によるc-及びa-Siの振動スペクトル

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1982-03-15

著者

• 鈴木 勝久

  阪大理

関連論文

• 4p-U-7 半導体中の深い不純物準位の"d"の効果
• 4p-WB-3 P型半導体ピエゾ抵抗効果の理論.II.
• 29p-U-14 化学擬ポテンシャル法によるSi表面再構成の電子論
• 2p-Q-7 Si表面の電子状態密度 : 化学擬ポテンシャル法
• 31a GD-2 クラスター・ベーテ・格子法による半導体の電子構造II. : Si中の格子間遷移金属不純物
• 31a GD-1 クラスター・ベーテ格子法による半導体の電子構造I. : IV族結晶の電子状態密度
• 3p-DS-1 半導体中の不純物のd軌道と母体との相互作用-化学擬ポテンシャル法-
• 31p-BJ-1 半導体中の遷移金属不純物の電子状態-不純物原子の電子配置
• 10p-R-7 半導体中の遷移金属不純物の電子状態
• 12a-F-7 クラスター模型によるSi中の深い不純物準位の電子構造
• 国府田さんに賛成
• 学術誌の吉夢と凶夢
• 物理学会と若者
• 3p-A-4 半導体超格子のフォノン
• 12p-D-13 シリコン原子の配置と格子振動
• 27a-SB-8 水素, 弗素を添加したシリコン格子の局在振動
• 回帰連分数法の格子振動への応用(計算機による固体相転移の研究,科研費研究会報告)
• 30a-F-1 回帰連分数法によるc-及びa-Siの振動スペクトル
• A. Haug. transl. by H.S.H. Massey and ed. by D. ter Haar: Theoretical Soild State Physics, Vols. 1 & 2, Pergamon Press, Oxford and New York, 1972, 26×18cm, Vol. 1; 6,580円, Vol. 2; 5,640円 (International Series of Monographs in Natural Philosophy, Vols. 36
• 4a-M-2 半導体表面層における電子の多体効果
• 1p-F-3 ランダウ電子の coherent classification
• 30p-LD-10 微結晶フィルムにおけるピエゾ抵抗の統計理論(半導体)
• 3a-D1-5 p-Siのピエゾ抵抗効果の理論(3a D1 半導体(輸送現象・ホットエレクトロン),半導体)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク