小堀 裕己 | 甲南大理工
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概要
関連著者
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小堀 裕己
甲南大理工
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小堀 裕己
甲南大理工:甲南大量子ナノテク研
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大山 忠司
阪大院理
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小堀 裕己
阪大院理
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小堀 裕己
阪大教養
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藤元 章
大工大応物
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藤元 章
阪大院理
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大山 忠司
阪大教養
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藤元 章
大工大応用物理:大工大ナノ材研
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大塚 穎三
阪大教養
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石田 修一
山口東理大
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藤井 研一
阪大院理
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鈴木 正人
阪大院理
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岡下 友則
大阪大学大学院 理学研究科
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井上 益孝
阪大院理
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山崎 篤志
甲南大理工
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室 隆桂之
JASRI
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鈴木 正人
大阪市立大学大学院理学研究科
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室 隆桂之
高輝度光科学研究センター
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小堀 裕己
阪大理
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大山 忠司
阪大理
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野村 知之
阪大院理
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室 桂隆之
JASRI SPring-8
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Fukumi K
National Inst. Advanced Industrial Sci. And Technol. Jpn
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佐藤 博彦
中大理工
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今田 真
立命館大理工
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小堀 裕己
大阪大学大学院理学研究科物理学専攻
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梅山 規男
産総研
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佐藤 博彦
中央大理工
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池田 伸一
産総研
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大山 忠司
大阪大学大学院 理学研究科
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室隆 佳之
JASRI
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大山 忠司
福井工大
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室 隆桂之
Jasri/spring-8
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杉村 陽
甲南大理工
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今田 真
阪大基礎工
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山崎 篤志
甲南大理工:甲南大量子ナノテク研
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杉村 陽
甲南大理工:甲南大量子ナノテク研
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梅山 規男
産総研エレ
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Fujii K
Osaka Univ. Osaka
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Fujii Ken-ichi
Department Of Physics Graduate School Of Science Osaka University
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池田 伸一
中央大理工
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今田 真
立命館大学理工学部
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高瀬 浩一
日大理工
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室隆 桂之
SPring-8 JASRI
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加藤 有香子
Jasri Spring-8
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東谷 篤志
理研xfel
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室 隆桂之
財団法人高輝度光科学研究センター
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松井 陽平
甲南大理工
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東 秀幸
日大理工
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原 嘉昭
茨城高専
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東秀 幸
日大理工
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宮川 宣明
東理大理
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梅山 規男
産総研:東理大理
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小堀 裕己
阪大理学部
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大山 忠司
阪大理学部
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原 嘉昭
日大理工
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高瀬 浩一
日大
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佐藤 博彦
中大
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関山 明
阪大基礎工
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玉作 賢治
理研
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石川 哲也
理研
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加藤 有香子
JASRI
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菅 滋正
阪大基礎工
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関山 明
大阪大学大学院基礎工学研究科
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美馬 一真
立命館大理工
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玉作 賢治
理化学研究所播磨研究所
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石川 哲也
理化学研究所
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石川 哲也
(独)理化学研究所播磨研究所
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入澤 明典
神戸大院自然
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宮川 宣明
東理大応物
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菅原 彩子
阪大院理
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堀口 悟史
中央大
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石川 哲也
理化学研究所放射光科学総合研究センター
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奥野 浩生
阪大理
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石川 哲也
理化学研究所 播磨研究所 構造生物物理研究室
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岡下 友則
阪大院理
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玉作 賢治
独立行政法人理化学研究所播磨研究所
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清水 哲夫
阪大教養
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石川 哲也
独立行政法人理化学研究所播磨研究所放射光科学総合研究センター
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石川 哲也
理化学研究所播磨研究所x線干渉光学研究室
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東谷 篤志
理化学研究所xfel計画推進本部
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藤井 研一
阪大理
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石川 哲也
(独)理化学研究所・播磨研究所・放射光科学総合研究センター
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入沢 明典
阪大基礎工
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井上 益孝
阪大理学部
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室隆 佳之
高輝度光科学研究センター(jasri Spring-8)
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入澤 明典
阪大産研
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西谷 嘉人
甲南大院自然
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堀口 悟志
中央大理工
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宮川 宣明
東京理大理
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東谷 篤志
和歌山県工業技術セ
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室 隆桂之
SPring-8-JASRI
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関山 明
大阪大基礎工:理研/SPring-8
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上田 寛
東大物性研
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上田 寛
物性研
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山浦 淳一
東大物性研
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磯部 正彦
東大物性研
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東谷 篤志
和歌山工業センター
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藤原 秀紀
ケルン大
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山口 淳一
阪大基礎工
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矢橋 牧名
JASRI
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石川 哲也
理研XFEL
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柴崎 一郎
旭化成
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Uemura Y.
Columbia大
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今田 真
大阪大学大学院基礎工学研究科
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東谷 篤志
和歌山県工業技術センター
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石川 哲也
JASRI
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石川 哲也
理研・播磨研
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菅 滋正
大阪大学大学院基礎工学研究科
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寺嶋 健成
分子研UVSOR
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柴崎 一郎
旭化成工業(株>研究開発本部
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山田 省二
北陸先端大ナノセ
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寺嶋 健成
立命館大理工
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山口 良輔
立命館大理工
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宮田 裕大
立命館大理工
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藤原 秀紀
阪大院基礎工
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関山 明
阪大院基礎工
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上田 寛
東京大学物性研究所
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Mizutani Teruyoshi
Department Of Electrical Engineering School Of Engineering Nagoya University
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矢橋 牧名
理化学研究所
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矢橋 牧名
財団法人高輝度光科学研究センター
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矢橋 牧名
高輝度光科学研究センター放射光研究所
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矢橋 牧名
理研・jasri X線自由電子レーザー合同計画推進本部
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矢橋 牧名
(財)高輝度光科学研究センタービームライン・技術部門
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岡 賢太郎
甲南大理工
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矢内 彰雄
甲南大理工
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加藤 甲馬
日大理工
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宮川 宣明
東工大応物
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石川 哲也
独立行政法人理化学研究所播磨研究所
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TAGUCHI Munetaka
RIKEN/SPring-8
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藤原 秀紀
阪大基礎工
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菅滋 正
阪大基礎工
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河口 正哉
阪大院理
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牛頭 信一郎
北陸先端大
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八田 直記
阪大院理
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佐藤 和郎
大阪府立産業技術総合研究所
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日下 忠興
大阪府立産業技術総合研究所
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筧 芳治
大阪府立産業技術総合研究所
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Uemura Y.J.
Columbia大
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Ueda Y
Institute For Solid State Physics University Of Tokyo
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管 滋正
阪大基礎工
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杉原 硬
日大薬
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Saha S
高エ研中間子
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今田 寛
阪大基礎工
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杉原 硬
東工大(院)理工
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シャハ シャンタ・ランジャン
都立大院理
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真田 祥太朗
首都大東京
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牛頭 信一郎
NICT
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Ueda Yutaka
Issp University Of Tokyo
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大山 忠司
Osaka Univ. Osaka
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大塚 頴三
阪大教養
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牛頭 信一朗
北陸先端大
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森 竜雄
Nagoya Univ. Aichi Jpn
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松井 陽平
甲南大院自然
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美馬 一馬
立命館大理工
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加藤 有香子
産総研
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Saha Shanta
都立大院理
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小堀 裕巳
阪大教養
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岡下 友則
阪大理
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Ueda Y
Department Of Anesthesiology Osaka Dental University
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藤井 研一
阪大教養
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Miyahara Tsuneaki
Photon Factory National Laboratory For High Energy Physics (kek)
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Mizokawa T
Univ. Tokyo Tokyo
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Takata Masaki
Japan Synchrotron Radiation Research Institute/spring-8
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Ohyama Teruo
Department Of Physics Gakushuin Univ
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宮木 雄史
広大院工
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Muramatsu Takaki
Research Center For Materials Science Under Extreme Conditions Osaka University
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杉尾 晃
阪大理
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リー W.J
ニューヨーク州立大学理学部
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ユー B.S
ニューヨーク州立大学理学部
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マッコーン B.D
ニューヨーク州立大学理学部
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フー L.P
ニューヨーク州立大学理学部
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ペトロウ A
ニューヨーク州立大学理学部
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坪内 信輝
阪大教養
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リー W.J.
ニューヨーク州立大理学部
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ユー B.S.
ニューヨーク州立大理学部
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マッコーン B.D.
ニューヨーク州立大理学部
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フー L.P.
ニューヨーク州立大理学部
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ペトロウ A.
ニューヨーク州立大理学部
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石川 哲也
理化学研究所 放射光科学総合研究センター
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Miyahara T
Department Of Physics Tokyo Metropolitan University
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Matsuda T
Tokyo Metropolitan Univ. Tokyo Jpn
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木須 孝幸
阪大基礎工
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矢橋 牧名
理化学研究所 放射光科学総合研究センターXFEL研究開発部門 ビームライン研究開発グループ
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矢橋 牧名
阪大基礎工
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寺島 健成
立命館大理工
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玉作 賢治
理研-SPring-8
-
石川 哲也
理研-SPring-8
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関山 明
甲南大理工
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小寺 信夫
九州工大
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関山 明
阪大基礎工:理研
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山田 省二
北陸先端大、新素材センター
-
山田 省二
北陸先端大
著作論文
- 21aHK-2 ホーランダイト型バナジウム酸化物のバルク電子状態(21aHK 光電子分光(超伝導・磁性・強相関系)・MCD・X線発光,領域5(光物性))
- 27aPS-8 FeSeの軟X線光電子分光II(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 27aTL-9 FeSeの軟X線光電子分光(27aTL 遷移金属化合物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 12aYB-1 半導体光伝導の共鳴ピークに対する不純物効果(低対称系・格子欠陥, 領域 4)
- 23aTH-9 CdTe 及び Ge の磁気光伝導に現れる不純物補償の効果
- 29aZK-11 補償された Ge の遠赤外共鳴 Faraday 回転
- 17pYJ-8 化合物半導体における遠赤外共鳴Faraclay効果
- 30aTB-9 光励起キャリアとの散乱に起因した高純度n型GaAs中の不純物サイクロトロン共鳴吸収の衝突広がり
- 30aTB-8 n-GaAsの磁場誘起・金属-絶縁体転移と遠赤外・磁気光伝導
- 27pTC-15 Ga As/Al Ga As 2次元電子系の磁気超音波吸収
- 27aTC-3 透明導電性酸化物半導体薄膜の電気輸送特性
- 27aTC-2 GaAs基板上のInSb薄膜における電気伝導
- 27aTC-1 デルタドープされたSi:Sbにおける反局在効果
- 22pL-11 金属型Si:Sbの電気伝導と弱局在
- 22pL-10 金属-非金属転移近傍にあるn-GaAsの遠赤外磁気光伝導 II
- 22aL-5 n-InPの遠赤外領域におけるドナーに関連した磁気光吸収振動
- 半導体における遠赤外光誘起-共鳴光電磁効果
- 26aC-3 Geにおける共鳴光電磁効果の物理的性質
- 25aD-12 金属-絶縁体転移近傍におけるSi:Sbの磁気抵抗II
- 25aD-10 金属-非金属転移近傍にあるn-GaAsの遠赤外磁気光伝導
- 31p-ZB-6 金属-絶縁体転移近傍におけるSi:Sbの磁気抵抗
- 31a-ZF-9 金属-非金属転移近傍にあるn-GaAsの遠赤外磁気光吸収
- 31a-ZF-8 共鳴光電磁効果によるn-InGaAs薄膜の熱起電力II
- 29p-ZE-8 ZnO中の遷移金属による発光
- 28a-YK-7 ZnOのマイクロ波吸収とフォトルミネッセンス
- 26a-YE-5 n-GaAs中の量子極限における電子 : 不純物散乱II
- 26a-YE-4 共鳴光電磁効果によるn-InGaAs薄膜の熱起電力
- 25a-YG-11 Si:SbのVariable-Range-Hopping伝導に対する磁気抵抗効果
- 25a-T-12 n-GaAsの磁場中でのドナー間相互作用と束縛エネルギー
- 31a-Q-1 金属・非金属転移近傍のSi:Sbにおける輸送特性と局在効果
- 2a-YJ-5 半導体における強磁場中の電子-中性不純物散乱III
- 2a-YJ-4 n-GaAs中の量子極限における電子・不純物散乱
- 2a-YJ-3 化合物半導体における遠赤外光誘起-共鳴光電磁効果II
- 31a-Q-1 金属-非金属転移近傍のSi:Sbにおける輸送特性と局在効果
- n-Si : Sbにおける金属-非金属転移の研究(第42回 物性若手夏の学校(1997年度))
- 5p-A-13 n-InPのポーラロン・サイクロトロン共鳴
- 5p-A-8 化合物半導体における遠赤外光誘起-共鳴電磁効果
- 5p-A-2 高濃度n-Si : Sbの輸送特性.II
- 31p-ZB-6 金属-絶縁体転移近傍におけるSi:Sbの磁気抵抗
- 25a-YG-11 Si:SbのVariable-Range-Hopping伝導に対する磁気抵抗効果
- 24aRC-6 鉄系超伝導体FeSeのバルク敏感光電子分光(24aRC 光電子分光(超伝導・磁性・強相関),領域5(光物性))
- 3a-M-2 GaAs中のドナー・ゼーマン吸収と非金属-金属転移
- 3p-J-3 GaAs中の浅い不純物による磁気光吸収I : 吸収線幅の濃度および磁場依存性
- 24a-M-3 EL2を含む半絶縁性GaAsの遠赤外磁気光吸収
- 5a-D-3 EL2を含む半絶縁性GaAsのマイクロ波パルス光伝導と遠赤外磁気光吸収
- 28p-S-13 n-InSbの電気双極子誘起スピン共鳴の線幅の理論
- 31p-S-1 化合物半導体における遠赤外光電磁効果II
- 化合物半導体における遠赤外光電磁効果
- 28p-A-14 Geにおける量子極限サイクロトロン共鳴と電子散乱
- 31p-S-5 高濃度n-Si:Sbの輸送特性
- 28p-D-11 lnSbの光伝導率に対する電場-磁場効果
- 27p-M-4 CdTeの固有形光キャリアーの寿命
- 5p-A-1 半導体における強磁場中の電子-中世不純物散乱II
- 31a-S-7 MOCVD成長法によるInPに関する輸送現象
- 半導体における強磁場中の電子-中性不純物散乱
- 30p-X-5 InSbの電気双極子誘起子電子スピン共鳴.I
- 30p-X-1 InPにおける遠赤外磁気光吸収 II
- 30p-YN-10 InPにおける遠赤外磁気光吸収の量子振動
- 28p-G-11 高濃度変調ドープGaAs-AlAs短周期超格子の遠赤外磁気光吸収
- 28a-G-11 InSbの電気双極子誘起スピン共鳴 II
- 14a-K-11 GaAs-AlAs短周期超格子中のDXセンターによる永久光伝導
- 4a-E-12 CdTeの遠赤外磁気光吸収 II
- 31a-Y-5 CdTeの遠赤外磁気光吸収
- 5p-C-3 CdSの量子極限サイクロトロン共鳴 : ピエゾ・エレクトリック散乱
- 5a-S4-9 InSbの衝突イオン化による自発振動に対する磁場効果
- 5a-S4-8 GaAsの量子極限サイクロトロン共鳴の線幅II : 磁場依存性
- 5a-S4-7 CdSのサイクロトロン共鳴 : 圧電フォノン散乱
- 4a-WB-16 GaAsにおけるサイクロトロン共鳴吸収と電子散乱 : 温度依存性
- 21pPSA-28 TlFe_2Se_2のバルク敏感光電子分光(21pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 24pPSA-9 TlFe_2Se_2のバルク敏感光電子分光II(24pPSA 領域5 ポスターセッション,領域5(光物性))
- 6pSB-4 InSbの共鳴Faraday効果(輸送現象,励起子,アモルファス,領域4)
- 24aWE-10 化合物半導体における遠赤外共鳴Faraday効果II(24aWE 領域4,領域5合同 超格子,輸送・サイクロトロン共鳴,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))