藤井 研一 | 阪大教養
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概要
関連著者
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大山 忠司
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藤井 研一
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大塚 穎三
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大塚 頴三
阪大教養
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戸丸 辰也
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井垣 謙三
元東北大工
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柳町 智
ラサ工業中研
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境 浩幸
ラサ工業中研
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小林 稔季
ラサ工業中研
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井垣 謙三
ラサ工業中研
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古川 和由
東芝半導体事業部
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吉村 聡
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小堀 裕己
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坪内 信輝
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小堀 裕己
甲南大理工
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小堀 裕己
甲南大理工:甲南大量子ナノテク研
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原田 義之
大阪工大ナノ材研
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Haller E.e
Berkeley
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Itoh Kohei
Lbl(univ.of California)
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原田 義之
阪大教養
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Haller E.E
LBL(Univ.of California)
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鎌田 幹夫
ソニー中研
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石川 秀人
ソニー中研
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山田 省二
NTT基礎研究
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天野 利昌
NTT基礎研究
著作論文
- 4a-E-6 InSbの衝突イオン化による自発振動に対する磁場効果 III
- 28p-G-7 Ge中の衝突イオン化に対する遠赤外光効果
- 28p-G-6 強磁場下光励起Ge中での電荷担体の拡散
- 28p-A-15 光励起Geにおける励起子と自由担体のダイナミックスII
- 14a-E-13 GaAsにおける電子の中性不純物散乱
- 29p-N-5 光励起InSbの遠赤外磁気光吸収 III
- 30p-M-5 直接接着シリコンにおける界面の効果
- 27a-ZG-3 直接接着したシリコンにおけるサイクロトロン共鳴 II
- 30p-W-8 直接接着したシリコンにおけるサイクロトロン共鳴
- 28p-G-10 高い補償比をもつGeにおける不均一な内部電場効果
- 2a-B-2 光励起InSbの不純物サイクロトロン共鳴
- 1a-K-10 光励起InSbの遠赤外磁気光吸収 II
- 3a-B-3 光励起InSbの遠赤外磁気光吸収
- 28a-G-11 InSbの電気双極子誘起スピン共鳴 II
- 27a-M-16 多結晶InPのフォトルミネッセンスとサイクロトロン共鳴
- 4a-E-11 多結晶InPの磁場中におけるフォトルミネッセンスとサイクロトロン共鳴
- 31a-Y-4 多結晶InPの遠赤外磁気光吸収 II
- 5p-C-1 多結晶InPの遠赤外磁気光吸収
- 14a-K-13 InSbの電気双極子誘起スピン共鳴
- 6p-A2-6 GaInAs-AlInAsヘテロ接合における二次元電子系の輸送現象
- 30p-LD-6 光励起Geにおける励起子と自由担体のダイナミクス III(半導体)
- 30a-LD-10 光及び電場励起InxGa_Asの遠赤外磁気光吸収(半導体)
- 1a-L2-8 光励起Ge中の自由担体の拡散(半導体,(ナローギャップ半導体・輸送現象))
- 1a-L2-4 In_xGa_Asにおけるサイクロトロン共鳴と混晶散乱(半導体,(輸送現象))
- 30p-FB-5 高純度GaAsのサイクロトロン共鳴におけるスピン分離(30p FB 半導体(光物性,深い不純物,輸送現象.ホットエレクトロン))
- 30p-FB-3 InP,InAs,GaAsの遠赤外磁気光吸収における振動現象(30p FB 半導体(光物性,深い不純物,輸送現象.ホットエレクトロン))