小堀 裕己 | 阪大教養
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概要
関連著者
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小堀 裕己
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甲南大理工:甲南大量子ナノテク研
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藤井 研一
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清水 哲夫
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大塚 頴三
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リー W.J
ニューヨーク州立大学理学部
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ユー B.S
ニューヨーク州立大学理学部
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マッコーン B.D
ニューヨーク州立大学理学部
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フー L.P
ニューヨーク州立大学理学部
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ペトロウ A
ニューヨーク州立大学理学部
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坪内 信輝
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ニューヨーク州立大理学部
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フー L.P.
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ペトロウ A.
ニューヨーク州立大理学部
著作論文
- 24a-M-3 EL2を含む半絶縁性GaAsの遠赤外磁気光吸収
- 28p-A-14 Geにおける量子極限サイクロトロン共鳴と電子散乱
- 28p-D-11 lnSbの光伝導率に対する電場-磁場効果
- 27p-M-4 CdTeの固有形光キャリアーの寿命
- 28p-G-11 高濃度変調ドープGaAs-AlAs短周期超格子の遠赤外磁気光吸収
- 28a-G-11 InSbの電気双極子誘起スピン共鳴 II
- 14a-K-11 GaAs-AlAs短周期超格子中のDXセンターによる永久光伝導
- 4a-E-12 CdTeの遠赤外磁気光吸収 II
- 31a-Y-5 CdTeの遠赤外磁気光吸収
- 5p-C-3 CdSの量子極限サイクロトロン共鳴 : ピエゾ・エレクトリック散乱
- 5a-S4-9 InSbの衝突イオン化による自発振動に対する磁場効果
- 5a-S4-8 GaAsの量子極限サイクロトロン共鳴の線幅II : 磁場依存性
- 5a-S4-7 CdSのサイクロトロン共鳴 : 圧電フォノン散乱
- 4a-WB-16 GaAsにおけるサイクロトロン共鳴吸収と電子散乱 : 温度依存性
- 30p-LD-5 n型およびp型GaAsにおける電子散乱(半導体)
- 30a-LD-14 Geにおける量子極限サイクロトロン共鳴と電子散乱 II(半導体)
- 1a-L2-3 GaAsの量子極限サイクロトロン共鳴の線幅(半導体,(輸送現象))
- 30p-FB-5 高純度GaAsのサイクロトロン共鳴におけるスピン分離(30p FB 半導体(光物性,深い不純物,輸送現象.ホットエレクトロン))
- 31a-H-6 半導体の量子極限サイクロトロン共鳴の線幅 : 音響変形ポテンシャル散乱(31aH 半導体(輸送現象))