藤元 章 | 阪大院理
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概要
関連著者
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小堀 裕己
甲南大理工
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藤元 章
大工大応物
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小堀 裕己
甲南大理工:甲南大量子ナノテク研
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大山 忠司
阪大院理
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小堀 裕己
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藤元 章
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藤元 章
大工大応用物理:大工大ナノ材研
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石田 修一
山口東理大
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藤井 研一
阪大院理
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Fukumi K
National Inst. Advanced Industrial Sci. And Technol. Jpn
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柴崎 一郎
旭化成
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柴崎 一郎
旭化成工業(株>研究開発本部
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佐藤 和郎
大阪府立産業技術総合研究所
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日下 忠興
大阪府立産業技術総合研究所
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筧 芳治
大阪府立産業技術総合研究所
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大山 忠司
福井工大
著作論文
- 27aTC-2 GaAs基板上のInSb薄膜における電気伝導
- 27aTC-1 デルタドープされたSi:Sbにおける反局在効果
- 22pL-11 金属型Si:Sbの電気伝導と弱局在
- 25aD-12 金属-絶縁体転移近傍におけるSi:Sbの磁気抵抗II
- 31p-ZB-6 金属-絶縁体転移近傍におけるSi:Sbの磁気抵抗
- 25a-YG-11 Si:SbのVariable-Range-Hopping伝導に対する磁気抵抗効果
- 31a-Q-1 金属・非金属転移近傍のSi:Sbにおける輸送特性と局在効果
- 31a-Q-1 金属-非金属転移近傍のSi:Sbにおける輸送特性と局在効果
- n-Si : Sbにおける金属-非金属転移の研究(第42回 物性若手夏の学校(1997年度))
- 5p-A-2 高濃度n-Si : Sbの輸送特性.II
- 31p-ZB-6 金属-絶縁体転移近傍におけるSi:Sbの磁気抵抗
- 25a-YG-11 Si:SbのVariable-Range-Hopping伝導に対する磁気抵抗効果
- 31p-S-5 高濃度n-Si:Sbの輸送特性