蒲生 健次 | 阪大基礎工

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概要

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関連著者

• 蒲生 健次

  阪大基礎工

• 邑瀬 和生

  阪大理

• 鷹岡 貞夫

  阪大院理

• 鷹岡 貞夫

  阪大理

• 難波 進

  阪大基礎工

• 邑瀬 和生

  大阪教養

• 音 賢一

  阪大理

• 蒲生 健次

  大阪大学基礎工学部

• 蒲生 健次

  大阪大学基礎工学部電気工学科

• 若家 冨士男

  Osaka Univ. Osaka

• 蒲生 健次

  阪大院基礎工

• 蒲生 健二

  阪大基礎工

• 塚越 一仁

  阪大基礎工

• 塚越 一仁

  阪大理

• 蒲生 健次

  大阪大 基礎工

• 難波 進

  長崎総合科学大

• 高垣 雪彦

  阪大基礎工

• 石橋 幸治

  阪大基礎工

• 石田 修一

  阪大理

• 難波 進

  大阪大学基礎工学部

• 山口 次郎

  阪大基礎工

• 木村 崇

  阪大院基礎工

• 川辺 光央

  筑波大物質工

• 音 賢一

  阪大院理

• 升田 公三

  阪大基礎工

• 高垣 雪彦

  パウル・ドルーデ固体電子研

• 升田 公三

  阪大工

• 高垣 雪彦

  阪大基礎工:阪大理

• 邑瀬 和生

  阪大院理

• 若山 繁俊

  阪大理

• 蒲生 健次

  阪大工

• 井上 真吾

  阪大理

• 若家 冨士男

  阪大院基礎工

• 青柳 克信

  理研

• 原口 大

  阪大理

• 落合 勇一

  筑波大物質工

• 村上 浩一

  筑波大学物質工学系

• 生嶋 君弥

  阪大院基礎工

• 邑瀬 和生

  阪大・理

• Gamo K

  Osaka Univ. Osaka

• Gamo Kenji

  Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Science Osaka University

• Gamo Kenji

  Department Of Physical Science Graduate School Of Engineering Science Osaka University:research Cent

• Kimura Takashi

  Graduate School of Engineering Science, Osaka University

• 升田 公三

  筑波大

• 村上 浩一

  阪大基礎工

• 島本 幸治

  阪大基礎工

• Gamo Kenji

  Graduate School Of Engineering Science Osaka University

• 大塚 和宜

  阪大院理

• 水野 雅博

  筑波大物質工

• 音 賢一

  千葉大理

• Kimura Takashi

  Department of Neurology, National Douhoku Hospital

• 藤井 研一

  阪大院理

• 大山 忠司

  福井工大

• 植松 滋幸

  三菱lsi研

• Fukumi K

  National Inst. Advanced Industrial Sci. And Technol. Jpn

• 木村 崇

  理研

• Murase K

  Ntt Corp. Kanagawa Jpn

• GAMO Kenji

  Department of Electrical Engineering,Faculty of Engineering Sciences,Osaka University

• Murase Kazuo

  Department Of Physics Osaka University

• Kazuo Murase

  Department Of Physics Faculty Of Science Osaka University

• WAKAYA Fujio

  Department of Electronics and Materials Physics, School of Engineering Science, Osaka University

• Wakaya Fujio

  Department Of Electronics And Materials Physics School Of Engineering Science Osaka University

• Murase K

  Nagoya Inst. Technol. Nagoya Jpn

• 大山 忠司

  阪大院理

• 柳沢 淳一

  阪大院基礎工

• 邑瀬 和生

  大阪大学大学院理学研究科

• 蒲生 健次

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 難波 進

  長崎総合科学大学

• 佐貫 朋也

  阪大院理

• Fujii K

  Osaka Univ. Osaka

• Fujii Ken-ichi

  Department Of Physics Graduate School Of Science Osaka University

• 久保田 浩史

  阪大理

• Junichi Yanagisawa

  Department Of Physical Science Graduate School Of Engineering Science Osaka University:research Cent

• Murase Kazuo

  Department Of Applied Physics Osaka City University

• 山口 次郎

  阪大基工

• 西島 光昭

  阪大工

• 阿部 哲史

  筑波大物質工

• 佐野 泰弘

  大阪大学大学院理学研究科

• 大山 忠司

  大阪大学大学院 理学研究科

• 藤井 研一

  大阪大学大学院理学研究科

• 音 賢一

  大阪大学大学院理学研究科

• 鷹岡 貞夫

  大阪大学大学院理学研究科

• 高原 淳一

  阪大基礎工

• 青柳 克信

  理研フロンティア

• 板垣 芳夫

  阪大院基礎工

• 安岡 義純

  防衛大学校電気電子工学科:福井大学遠赤外領域開発研究センター

• 安岡 義純

  防衛大学

• 阿部 康彦

  防衛大電気電子工学科

• 升田 公三

  阪大基工

• 音 賢一

  阪大・理

• 鷹岡 貞夫

  阪大・理

• 石田 修一

  東理大・山口短大

• 川合 浩史

  阪大基礎工

• 岡林 秀和

  阪大極限物質研究センター

• 清水 隆

  防衛大電子

• 石橋 幸司

  理研

• 久保田 浩史

  京大・理

• 劉 翊

  理研

• 杉田 辰哉

  阪大理

• 藪内 雅敏

  阪大基礎工

• 谷口 裕昭

  阪大基礎工

• 弓場 愛彦

  阪大院基礎工:極限科学研究センター

• 石橋 幸治

  理研フロンティア

• 青柳 克彦

  理研フロンティア

• 石橋 幸治

  理研国際フロンティア

• 大塚 和宜

  阪大理

• 沢崎 立雄

  阪大・理

• Itagaki Yoshio

  Graduate School of Engineering Science, Osaka University

• 奥村 敏之

  阪大理

• 谷口 裕昭

  阪大基礎工:阪大理

• Mozumi Gon

  Department Of Physical Science Graduate School Of Engineering Science Osaka University

• Itagaki Yoshio

  Graduate School Of Engineering Science Osaka University

• 菅 滋正

  阪大基礎工

• 升田 公三

  筑波大物質工

• 今田 真

  阪大基礎工

• 上田 茂典

  阪大基礎工

• 弓場 愛彦

  阪大院基礎工

• 岩見 基弘

  阪大工

• Kirschner J.

  Max-Planck Institute of Microstructure physics

• 斎藤 祐児

  Spring-8

• 小嗣 真人

  阪大基礎工

• Offi F.

  Max-Planck-Institute, Halle

• Kuch W.

  Max-Planck-Institute, Halle

• 安岡 義純

  防衛大学校電気電子工学科

• 大山 忠司

  大阪大学大学院理学研究科

• 吉澤 剛

  阪大院理

• 阿部 康彦

  防衛大学校電子工学科

• 安岡 義純

  防衛大電子

• 阿部 康彦

  防衛大電子

• 橋本 正司

  防衛大学校電気電子工学科

• 奥村 敏之

  阪大・理

• 阪本 利司

  阪大基礎工:阪大理

• 平木 昭夫

  阪大工

• 川辺 光央

  大阪大学基礎工学部

• 首藤 和夫

  阪大工

• 三枝 隆男

  東海大教養

• 川辺 光央

  阪大基礎工

• 難波 進

  理研

• 高橋 雄三

  阪大理

• Jung Rang-J.

  JAERI

• 石田 修一

  東理大山口短大

• 石橋 幸治

  理研・国際フロンティア

• 青柳 克信

  理研・国際フロンティア

• 永田 公

  阪大基礎工

• 岸本 直樹

  東大物性研

• 柳沢 淳

  阪大院基礎工:極限科学研究センター

• 柳沢 淳一

  阪大基礎工

• Jung R.-J.

  Seoul National Univ.

• Gilles J.

  Max-Planck-Institute of Microstru Physics

• Kang S.

  Max-Planck-Institute of Microstru Physics

• 木村 崇

  阪大基礎工

• 難波 進

  理研フロンティア

• 石田 修一

  阪大・理

• Kuch W.

  Max-planck-institute Halle

• Kuch W.

  Max-planck-institute Of Microstru Physics

• Gamo Kenji

  Graduate School of Engineering Science, Osaka University

• 小新堂 透

  阪大理

• 村上 浩一

  理研

• 安岡 義純

  防衛大学校

• YUBA Yoshihiko

  Department of Electrical Engineering, Faculty of Engineering Sciense, Osaka University

• 西 清次

  沖電気工業

• Yuba Yoshihiko

  Department Of Physical Science Graduate School Of Engineering Science Osaka University

• Noh S.K.

  理研フロンティア

• 青柳 克信

  理研国際フロンティア

• 難波 進

  理研国際フロンティア

• 青柳 克彦

  理研国際フロンティア

• 灘波 進

  阪大基礎工

• 大場 信弥

  大阪大学 基礎工学部

• 大場 信弥

  阪大基礎工

• 蒲生 健次

  阪大基工

• 升田 公一

  阪大基工

• 多田 副政

  阪大基礎工

• 富盛 昭宣

  阪大工

• 升田 公三

  基礎工

• 山口 次郎

  基礎工

• 垣谷 俊昭

  阪大基工

• 西本 宜弘

  阪大基工

• 大迫 巌

  早大理工

• ITAGAKI Yoshio

  Department of Physical Science, Graduate School of Engineering Science

• Wakaya Fujio

  Graduate School of Engineering Science, Osaka University

• MOZUMI Gon

  Department of Physical Science, Graduate School of Engineering Science, Osaka University

• YANAGISAWA Junichi

  Department of Physical Science, Graduate School of Engineering Science, Osaka University

• 北井 聡

  阪大院基礎工

• 若家 冨士男

  極限科学研究センター

• 蒲生 健次

  極限科学研究センター

• 若家 富士男

  阪大院基礎工

• 音 賢一

  阪大病理

• 鷹岡 貞夫

  阪大病理

• 邑瀬 和生

  阪大病理

• 塚越 一仁

  阪大・理

• 角田 武

  阪大基礎工

• 邑瀬 和生

  阪大基礎工

• 若家 富士男

  阪大院基礎工:極限科学研究センター

• Kimura T

  Photonics Research Institute National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology

• Offi F.

  Max-planck-institute Halle

• Offi F.

  Max-planck-institute Of Microstru Physics

• Jung Ranju

  Spring-8

• Rang-j Jung

  阪大基礎工:jasri

• Kirschner J.

  Max-planck-institute Of Microstru Physics

• Yuba Yoshihiko

  Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Science Osaka University

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著作論文

• 縦型結合ドット配列中の電子状態
• CO_2 レーザー光検出用無給電スロットアンテナアレーの受信特性
• 5a-J-9 磁気電子フォーカス効果における"端子反射"のメカニズム
• 28p-L-8 2次元電子系における不規則アンチドット構造の効果
• 28p-L-7 磁気電子フォーカス効果における電子出射分布と端子反射
• 13a-K-2 ゲート制御したGaAs/AlGaAs多端子素子における磁気電子フォーカス効果
• 27a-P-7 GaAs/AlGaAs多端子構造における磁気電子フォーカス効果
• 27pTB-14 縦型二重ドットにおけるドット間結合への光励起効果
• 6a-B1-8 GaAs-AlGaAs極微構造における非対称磁気抵抗のゆらぎ
• 6a-B1-7 GaAs細線の低温電気伝導のゆらぎ(II)
• 28a-Q-7 選択ドープGaAs-AlGaAs細線の電気伝導
• 30a-RB-6 高濃度にイオン注入したSi:Sb薄膜および細線の電気伝導
• 30a-RB-5 PtSi極微細線の電気伝導
• 29a-A-4 極微GaAs細線の電気伝導
• 縦型結合ドット配列中の電子状態
• アンチドット系の格子配置とホール抵抗の消失
• アンチドット系の格子配置とホール抵抗の消失
• 1a-E-12 周期アンチドット系における磁気抵抗の弱磁場領域でのふるまい
• 異方アンチドット系における電気伝導度
• 28a-X-5 異方アンチドット系における電気伝導度
• 31p-N-10 アンチドット系における整合振動の電流方向依存性
• 5a-J-9 磁気電子フォーカス効果における"端子反射"のメカニズム
• 28p-L-8 2次元電子系における不規則アンチドット構造の効果
• 28p-L-7 磁気電子フォーカス効果における電子出射分布と端子反射
• 13a-K-2 ゲート制御したGaAs/AlGaAs多端子素子における磁気電子フォーカス効果
• 26p-ZB-3 GaAs細線における位相コヒーレンス長
• 25p-ZB-4 バリスティック細線における電子散乱
• 24pYC-14 PEEMによる強磁性体ミクロ構造の軟X線磁気円二色性顕微分光
• 集束イオンビームを用いたナノ加工
• 低エネルギ-集束イオンビ-ム直接堆積によるシリコンおよびシリコン酸化膜の形成
• 3p-ZE-9 GaAs/AlGaAs量子細線の磁気抵抗振動
• 24a-M-12 PbTe薄膜及び細線の反局在効果
• 10p-R-9 イオン注入Si:P系に於けるESR時の電気抵抗変化
• 29p-PS-33 Y系酸化物超伝導体薄膜の電気伝導
• 7a-T-7 Au^+およびCu^+イオンのSi基板中へのHigh-dose Implantation
• 17pPSA-11 微細加工反強磁性層を有するスピンバルブ膜の電流磁気効果
• 磁性多層膜細線における静磁気的相互作用の研究
• 29p-ZK-11 アンチドット構造上の電子ピンボール
• 30p-TB-9 GaAs/AlGaAs細線でのシュブニコフ・ド・ハース振動
• 3p-ZE-10 GaAs細線の磁気抵抗非周期ゆらぎ
• 24a-M-13 準バリスティック伝導細線におけるサイズ効果
• GaAs/AlGaAs細線におけるSdH振動の振幅解析
• 28a-T-4 アンチドットを含む二次元電子系での量子ホール効果のブレークダウンとその不安定現象
• 8a-N-7 アンチドット系における量子ホール効果ブレークダウン現象
• 8a-N-7 アンチドット系における量子ホール効果のブレークダウン現象
• 31a GE-10 パルス・レーザ照射による非晶質 : 結晶遷移の動的挙動
• 6a-KL-14 イオン(P^+,S6^+)注入SiのESR
• 3a-N-8 イオン注入Siの常磁性格子欠陥
• 30a-U-5 イオン注入 Si の格子欠陥(ESR)
• 3a-N-1 イオン注入した半導体のESR
• 31a-YA-2 平行磁場によるバリスティック散乱長の変化
• 磁気電子フォーカス効果における平行磁場の影響
• 27a-X-8 磁気電子フォーカス効果における平行磁場の影響
• 1p-L-5 銅フタロシアニンの光導電特性
• 14a-M-1 銅フタロシアニンの光伝導 IV
• 4a-K-6 銅フタロシアニンの光伝導III
• 銅フタロシアニンの光伝導 II : 分子結晶・有機半導体
• Phthalocyanineの光伝導 : 光物性・イオン結晶(有機半導体)
• ESRによるDPPH_2の放射線効果 : イオン結晶・光物性(有機半導体)
• DPPHの電気伝導 : イオン結晶・光物性(有機半導体)
• DPPHとDPPH-H混晶のESR : イオン結晶・光物性 : 有機半導体
• DPPH・Hの電気伝導 : イオン結晶・光物性 : 有機半導体
• 6p-L-1 DPPH単結晶中の不対電子による電気伝導
• DPPH単結晶のconductivityとESR : 半導体(化合物・有機)
• ベンゼン溶液中のDPPHのConductionのESRによる考察 : 半導体(化合物・有機)
• 有機半導体(DPPH等)のconductivityとESR(半導体(化合物,炭素,ビスマス))
• 第13回イオンビームによる材料改質国際会議(IBMM2002)報告
• Fabrication of Planar-Type Ferromagnet/Nonmagnet/Ferromagnet Structures Using Multiangle Deposition
• Study of Magnetostatic Interaction in Magnetic Multilayer Wires Using Exchange Anisotropy
• Effects of Stray Fields in Flat-End and Pointed-End NiFe/Cu/NiFe/NiO Wires : Magnetism
• サブミクロン強磁性細線におけるホール抵抗の制御
• Effects of Shape Anisotropy in CoO/Co/Cu/NiFe/Cu/Co Wires
• Galvanomagnetic Effect of Submicron Exchange-Coupled Co/Ni Wire
• 24pPSB-37 局所的に交換結合した磁性多層膜の電流磁気効果
• サブミクロン強磁性細線におけるホール抵抗の制御
• メゾスコピックスケール十字型磁性細線における電流磁気効果
• 25aK-12 光による縦型二重ドットの閉じ込めポテンシャル変調
• 24pPSB-42 強磁性/非磁性/強磁性体における電流磁気効果
• 26pPSA-31 Co/Ni磁性細線の電流磁気効果
• 1a-E-3 PtSi薄膜及び細線の電気伝導
• 29a-A-2 半導体及び金属極微細線の電気伝導
• サブミクロン強磁性細線におけるホール抵抗の制御
• メゾスコピックスケール十字型磁性細線における電流磁気効果
• メゾスコピックスケール十字型磁性細線の電流磁気効果
• 27aPS-34 NiO/NiFe/Cu/NiFe細線の電流磁気効果
• 31a-Q-12 量子ドット配列中の電子系の遠赤外磁気光吸収II
• 5a-J-8 アンチドット構造における不規則性の効果
• 5a-J-8 アンチドット構造における不規則性の効果
• 27p-P-1 GaAs/AlGaAs細線での量子伝導とエッジ電流
• 29p-ZK-12 GaAs/AlGaAsマクロ細線での非局所的量子伝導におけるエッジ電流と端子抵抗
• 29p-ZK-10 GaAs/AlGaAs細線における非局所的伝導のゲート制御
• 26a-ZB-9 GaAs/AlGaAs細線における非局所的伝導
• 非局所的配置におけるGaAs/AlGaAs量子細線のシュブニコフ・ド・ハース効果
• 30p-TB-8 GaAs/AlGaAs量子細線におけるバリスティック伝導電子の非局所的シュビニコフ・ド・ハース効果
• GaAs-AlGaAs電子導波路における伝達抵抗II
• エッジ型ウォームキャア素子の94GHz帯検波特性
• 3p-ZE-8 PbTe, Bi細線の磁気抵抗効果
• 薄膜スロットアンテナによる118μmCH_3OHレーザー光検出特性
• 30p-TB-7 GaAS-AlGaAS電子導波路における伝達抵抗
• 11a-T-1 GaAs中のイオン注入不純物(Te およびSb)の格子位置
• Effects of Shape Anisotropy in CoO/Co/Cu/NiFe/Cu/Co Wires
• Magnetization Process in Narrow and Wide Cross-Shaped Wires of Co/Cu/NiFe Structures
• Galvanomagnetic Effect of Submicron Exchange-Coupled Co/Ni Wire
• Magnetization Process and Resistance Jumps in a Submicron-Scale Cross-Shaped Wire
• 7p-N-13 二次元電子系における平行磁場によるフェルミ面の異方性
• 7p-N-13 二次元電子系における平行磁場によるフェルミ面の異方性
• 28a-R-2 磁気電子フォーカス効果と平行磁場
• 28a-R-2 磁気電子フォーカス効果と平行磁場
• 29a-L-7 量子ホール効果での静電容量とエッジチャネル
• 29a-L-6 コルビノ形状での量子ホール効果と静電容量
• 29a-L-5 非局所抵抗におけるエッジ電流とバルク電流の緩和
• 29a-L-7 量子ホール効果での静電容量とエッジチャネル
• 29a-L-6 コルビノ形状での量子ホール効果と静電容量
• 29a-L-5 非局所抵抗におけるエッジ電流とバルク電流の緩和
• 1a-E-5 金属型GaAs薄膜のアンダーソン局在
• 1a-E-4 Al細線の電気伝導
• 2p-L-7 高濃度域Si:Sb薄膜の電気伝導
• 化合物半導体へのイオン注入 : 荷電ビームと応用
• 12a-K-10 量子ホール効果におけるエッジ電流と静電容量
• 12a-K-10 量子ホール効果におけるエッジ電流と静電容量
• 31a-L-12 超伝導体-半導体-超伝導体接合と光応答
• 13p-D-10 超伝導体-半導体接合素子における光応答
• 12a-K-8 スプリットゲートで制御された1次元電子系の非局所抵抗
• 12a-K-8 スプリットゲートで制御された1次元電子系の非局所抵抗
• 2p-L1-5 選択ドープGaAs-AIGaAs細線の電気伝導II(半導体,(表面・界面・超格子))
• 30a-LB-10 n^+-GaAs細線における伝導度のゆらぎの試料サイズ依存性(低温)
• 2p-D4-5 半導体リングにおけるAB効果(主題:電気伝導における量子干渉効果,低温・半導体合同シンポジウム)
• 2p-D4-5 半導体リングにおけるAB効果(電気伝導における量子干渉効果,低温・半導体合同シンポジウム)
• 1p-L4-13 GaAs細線の低温電気伝導のゆらぎ(低温(薄膜・細線の電気伝導))
• 28a-G-2 GaAs-AlGaAs細線におけるホール効果(28aG 半導体(表面・界面・超格子))
• 30a-CQ-11 極微構造金属細線の電気伝導(低温)
• 30a-CQ-10 PtSi極微細線の電気伝導(低温)
• 30a-FC-9 GaAs薄膜及び極微細線の電気伝導(30a FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))
• 31a-SC-11 電子波導波路における非局所的電圧のゆらぎ(31a SC 低温(アンダーソン局在,他))
• 31a-YA-2 平行磁場によるバリスティック散乱長の変化(31aYA 半導体,低温合同(量子細線,メゾスコピック,バリスティック伝導),低温)
• 1a-E-12 周期アンチドット系における磁気抵抗の弱磁場領域でのふるまい(1aE 半導体,低温合同(量子細線,メゾスコピック),低温)
• 31a-SC-13 GaAs/GaAlAsリングの量子伝導(31a SC 低温(アンダーソン局在,他))
• 2p-D4-9 微細加工の限界
• 2p-D4-9 微細加工の限界(大学の再編をめぐって,物理学者の社会的責任シンポジウム)
• 31a-B1-3 高濃度にイオン注入したSiの2次元弱局在(31a B1 低温)
• 2p-L2-14 酸化物高温超伝導体フィルムの電気伝導とガラス半導体的側面(半導体,(アモルファス))
• 30a-LB-9 PtSi細線の側面磁気散乱効果(低温)

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