30p-TB-8 GaAs/AlGaAs量子細線におけるバリスティック伝導電子の非局所的シュビニコフ・ド・ハース効果
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1990-03-16
著者
-
邑瀬 和生
阪大理
-
鷹岡 貞夫
阪大理
-
蒲生 健次
阪大基礎工
-
鷹岡 貞夫
阪大院理
-
難波 進
阪大基礎工
-
難波 進
大阪大学基礎工学部
-
高垣 雪彦
阪大基礎工
-
久保田 浩史
阪大理
-
久保田 浩史
京大・理
-
高垣 雪彦
パウル・ドルーデ固体電子研
-
高垣 雪彦
阪大基礎工:阪大理
関連論文
- 3a-TC-15 a-GeSe_2中のフォトドーパントAg・Cuによる光電子スペクトル
- 3a-TC-14 a-GeSe_2のSeコアエキシトンによる共鳴光電子放出
- 4p-A-14 コア・スペクトルからみたa-GeSe_2の中距離構造のフォト・ドーピング効果
- 4p-A-13 フォト・ドーピングされたa-GeSe_2の光電子スペクトル
- 31p-F-12 Ge-(S, Se)系バルクガラスにおける構造次元性とフラクタル性
- X=0.07近傍のGe_XSe_結晶相
- Eu^ドープGeS_2ガラスのイオン-格子相互作用
- 結晶GeSe_2の共鳴ラマンスペクトル
- 31p-F-11 Ge(S_xSe_)_2ガラスのフォトルミネッセンススペクトル形状の励起エネルギー依存性
- 31p-F-10 Ge_xSe_ガラスのラマンスペクトルの温度依存性
- 5a-J-9 磁気電子フォーカス効果における"端子反射"のメカニズム
- 28p-L-8 2次元電子系における不規則アンチドット構造の効果
- 28p-L-7 磁気電子フォーカス効果における電子出射分布と端子反射
- 13a-K-2 ゲート制御したGaAs/AlGaAs多端子素子における磁気電子フォーカス効果
- 27a-P-7 GaAs/AlGaAs多端子構造における磁気電子フォーカス効果
- 27p-B-11 GaAs/AlGaAs多端子素子での電子フォーカス効果
- 4p-N-11 n-InSbのサブミリ波サイクロトロン共鳴
- 5a-G-10 一軸性引張応力の下でのサイクロトロン共鳴
- 30a-M-10 低温, 高圧における量子強誘電的半導体の新しい抵抗異常と誘電率異常
- 2a-N-2 PbTe-SnTe半導体中のIII族不純物の電子 : 格子強結合
- poly-Si MOS FETの弱局在
- poly-Si MOSFETの広範囲ホッピングにおける負の磁気抵抗
- poly-Si MOS FETの弱局在
- poly-Si MOSFETの広範囲ホッピングにおける負の磁気抵抗
- 30p-YN-9 高易動度 Poly-Si TFT の電子局在
- 28p-L-12 多結晶Si-薄膜トランジスターのアンダーソン局在
- 28p-L-12 多結晶Si-薄膜トランジスターのアンダーソン局在
- 12a-K-13 多結晶Si薄膜トランジスタの強局在
- 12a-K-13 多結晶Si薄膜トランジスタの強局在
- 29p-T-5 PtSi超薄膜のアンダーソン局在
- 26a-P-12 PtSi超薄膜の超伝導と局在
- 28a-B-2 PtSi薄膜の位相緩和時間
- 26p-ZB-4 Ptsi細線の位相緩和時間
- 6a-B1-8 GaAs-AlGaAs極微構造における非対称磁気抵抗のゆらぎ
- 6a-B1-7 GaAs細線の低温電気伝導のゆらぎ(II)
- 28a-Q-7 選択ドープGaAs-AlGaAs細線の電気伝導
- 30a-RB-6 高濃度にイオン注入したSi:Sb薄膜および細線の電気伝導
- 30a-RB-5 PtSi極微細線の電気伝導
- 29a-A-4 極微GaAs細線の電気伝導
- 14p-W-6 n-GaAsのフォノン-減衰プラズモン結合モードによるラマン散乱
- 3a-KL-9 GaAsの表面ラマン散乱のキャリヤー濃度依存性
- アンチドット系の格子配置とホール抵抗の消失
- アンチドット系の格子配置とホール抵抗の消失
- 1a-E-12 周期アンチドット系における磁気抵抗の弱磁場領域でのふるまい
- 異方アンチドット系における電気伝導度
- 28a-X-5 異方アンチドット系における電気伝導度
- 31p-N-10 アンチドット系における整合振動の電流方向依存性
- 31p-N-10 アンチドット系における整合振動の電流方向依存性
- 5a-J-9 磁気電子フォーカス効果における"端子反射"のメカニズム
- 28p-L-8 2次元電子系における不規則アンチドット構造の効果
- 28p-L-7 磁気電子フォーカス効果における電子出射分布と端子反射
- 13a-K-2 ゲート制御したGaAs/AlGaAs多端子素子における磁気電子フォーカス効果
- 2p-D-9 ZnSxSe_ MBE薄膜のラマン散乱
- 3a-C-7 ZnSxSe1-x エピタキシャル薄膜のラマン散乱
- 26p-ZB-3 GaAs細線における位相コヒーレンス長
- 11p-N-4 PbTe-Pb_Sn_Te超格子のサイクロトロン共鳴
- Quantum Lines of Stress-split Hole of Ge : 半導体(レゾナンス)
- 31p-YH-7 Zn_Mn_xS微結晶の光学特性
- 29a-S-7 非晶質 GeSe_2 の結晶化温度の試料作成法依存性
- 29p-X-9 多結晶PbTe極微細線におけるアンダーソン局在
- 28p-W-15 アモルファスGe_xSe_系の正・逆光電子分光
- 29p-X-11 アモルファスGe-Se-Bi薄膜の正・逆光電子スペクトルとラマンスペクトル
- 28p-YQ-10 アモルファスGe-Se-Bi薄膜の正・逆光電子分光
- 31p-M-10 Ag,Cuをフォトドープした a-GeSe_2 の伝導帯構造
- 12a-DF-12 a-Si/SiO_2多層膜のレーザーアニーリング
- 3p-ZE-9 GaAs/AlGaAs量子細線の磁気抵抗振動
- 2a-B-7 IV-VI族半導体の構造相転移と電気抵抗異常
- 9p-R-5 ラマン散乱によるp-SnTe相転移のキャリヤー濃度依存性
- 2p-R-10 n-GaAsのフォノン-減衰プラズモン結合モードによるラマン散乱
- 24a-M-12 PbTe薄膜及び細線の反局在効果
- 29p-PS-33 Y系酸化物超伝導体薄膜の電気伝導
- 30a-W-4 GeSe_2のフォトルミネッセンスの温度依存性と励起エネルギー依存性
- 29p-B-9 単結晶およびアモルファスGeSe_2のフォトルミネッセンスの温度依存性
- 26p-M-5 GeSe_2微粒子のラマン散乱
- 8a-F-6 Ge/deep level impurityのサイクロトロン共鳴
- Quenched-in Vacancyを含むGeのサイクロトロン共鳴 : 半導体(理論, サイクロトロン共鳴)
- 29p-ZK-11 アンチドット構造上の電子ピンボール
- 27a-SB-18 ストイキオメトリー・ガラスGe(S, Se)の中距離構造と次元性
- 27a-SB-17 (Ge, Sn)カルコゲナイドガラスのクラスター中のSnの配置
- 2p-B-15 ガラス半導体ゲルマニウム・カルコゲナイドの次元性と振動スペクトル
- 2p-B-14 SnをProbeとしたGe-S系ガラス半導体の中距離秩序
- 2a-K-6 (Ge,Sn)-カルコゲナイド・ガラス半導体の構造と振動スペクトル : 組成および圧力依存性
- 31p-B-9 (Ge,Sn)カルコゲナイド・ガラス半導体の高圧ラマン散乱
- 31p-B-8 (Ge,Sn)カルコゲナイド・ガラス半導体の赤外振動スペクトル
- 4a-NL-19 Ge-カルコゲナイドガラス半導体の高圧下ラマン散乱
- 2p-W-10 (Ge, Sn)-カルコゲナイドのガラス形成・難易度
- 2p-W-9 a-Ge_Se_xの振動スペクトルのアニール効果
- 30a-K-13 SnSeの金属型不純物伝導と負磁気抵抗効果
- 4a-B-2 層状半導体GeSeの不純物伝導
- 4a-B-1 層状半導体GeSe, SnSeの相転移
- 1p-B-7 C&a-(Ge, Sn)カルコゲナイドのフォノン・スペクトル
- 30a-E-3 層状半導体GeSeにおけるキャリアの局在化
- 30a-E-2 層状半導体GeSeの相転移
- 2p-B-6 IV-VI族層状半導体GeSe,SnSeのフォノン・スペクトル
- 1a GF-12 IV-VI族半導体のバンド・ギャップと相転移
- 3p-AB-10 IV-VI族半導体のボンド・ギャップと相転移
- 28p-G-11 Pb_Sn_xTe/Inの光励起緩和とダブルキャプチャーモデル
- 29a-B-8 Pb_Sn_xTe/Inの磁気光反射
- 3a-F-5 Pb_S_Te/Inの磁気光吸収
- 3p-Q-5 Pb_Sn_xTe/Inの長寿命フォトキャリアのサイクロトロン共鳴