升田 公三 | 阪大基礎工

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著作論文

• 5p-Q-10 強光励起GaSeの光吸収
• 12p-T-11 強く励起されたGaSeの発光 II
• 12a-F-8 イオン注入Si:P系のESR
• 25p-K-5 窒素ガスレーザ励起によるアントラセンの蛍光
• 3p-L-15 強く励起されたGaSeの発光
• 10p-S-3 アントラセン結晶中でのエネルギー移動
• 5p-M-4 アントラセンの蛍光寿命
• 3p-K-9 電子線によって強く励起されたGaSeの発光
• 9p-C-3 アントラセン中のテトラセンの蛍光の飽和
• 9a-C-11 ナフタレンおよびアントラセン結晶の放射線効果
• 14a-M-2 フタロシアニン類の常磁性共鳴
• 4a-K-7 銅フタロシアニン混晶の磁気共鳴
• Diluted DPPHのESR : 光物性・イオン結晶(有機半導体)
• DPPH単結晶の電気伝導における圧力効果 : イオン結晶・光物性 : 有機半導体
• 1a-TE-1 水素原子付加によるハイドロナフチルラジカルESR及び光吸収
• 15a-C-10 芳香族有機半導体の放射線効果 II
• 芳香族有機半導体の放射線効果 : 分子結晶・有機半導体
• ナフタレン単結晶の低温照射 : 分子結晶・有機半導体
• 1a-L-1 銅フタロシアニン混晶の電気伝導
• 28a-A-7 ヘリックス型モデル加速器による陽子加速
• 6a-KL-14 イオン(P^+,S6^+)注入SiのESR
• 3a-N-8 イオン注入Siの常磁性格子欠陥
• 30a-U-5 イオン注入 Si の格子欠陥(ESR)
• 3a-N-1 イオン注入した半導体のESR
• 14a-M-1 銅フタロシアニンの光伝導 IV
• 4a-K-6 銅フタロシアニンの光伝導III
• 銅フタロシアニンの光伝導 II : 分子結晶・有機半導体
• Phthalocyanineの光伝導 : 光物性・イオン結晶(有機半導体)
• ESRによるDPPH_2の放射線効果 : イオン結晶・光物性(有機半導体)
• 6p-L-1 DPPH単結晶中の不対電子による電気伝導
• 1a-L-5 ペリレン・ヨウ素,ビレン・ヨウ素の電気伝導
• 1a-L-2 フタロシアニンの磁気共鳴
• 4a-K-4 ピレン,ヨウ素化合物を中心とした電荷移動型錯化合物の電気伝導機構
• 電子線励起によるGaAsレーザー : 荷電ビームと応用
• 電子ビーム励起によるCdSレーザー : 荷電ビームと応用
• 有機半導体中のエネルギーおよび電荷移動に関するセミナー
• 第3回イオン注入国際会議
• 11a-T-1 GaAs中のイオン注入不純物(Te およびSb)の格子位置
• 15a-C-6 フタロシアニンの電気伝導
• DPPHの電気伝導に於ける不純物の影響 : イオン結晶・光物性(有機半導体)
• 化合物半導体へのイオン注入 : 荷電ビームと応用

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