12p-T-11 強く励起されたGaSeの発光 II

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1975-09-12

著者

• 難波 進

  阪大基礎工

• 難波 進

  大阪大学基礎工学部

• 鵜久森 正毅

  阪大基礎工

• 升田 公三

  阪大基礎工

• 升田 公三

  阪大工

• 升田 公三

  筑波大

• 鵜久森 正毅

  山口大工短

関連論文

• 31p-CA-9 GaAs-MOS 及び Shottky 構造におけるルミネッセンス再吸着効果
• 31a-BH-7 CdSe-MOS 構造におけるルミネッセンス再吸収効果
• ビーム加工を中心とした微細加工技術の現状と将来(加工限界と工程設計)
• 7a-D-1 金属イオンの注入によるSi-貴金属の合金の直接生成
• 5p-Q-10 強光励起GaSeの光吸収
• 加工技術の発展 (電子工学における微細加工技術とその応用)
• 化合物半導体表面デバイス
• 12p-T-11 強く励起されたGaSeの発光 II
• 12a-F-8 イオン注入Si:P系のESR
• 電子ビ-ム,イオンビ-ムによるマイクロ加工
• 25p-K-5 窒素ガスレーザ励起によるアントラセンの蛍光
• 3p-L-15 強く励起されたGaSeの発光
• J. Ready: Effects of High-Power Laser Irradiation, Academic Press, New York, 1971, 433 ページ, 23.5×16cm, 7,000円
• 10p-S-3 アントラセン結晶中でのエネルギー移動
• 5p-M-4 アントラセンの蛍光寿命
• 3p-K-9 電子線によって強く励起されたGaSeの発光
• 9p-C-3 アントラセン中のテトラセンの蛍光の飽和
• 9a-C-11 ナフタレンおよびアントラセン結晶の放射線効果
• 9a-C-7 アンスラセンーテトラセン混晶の発光
• 3p-K-5 放射線照射したアンスラセン単結晶の光吸収とESR
• 4a-P-3 レーザーによる塩素の同位体分離
• 6a-B1-8 GaAs-AlGaAs極微構造における非対称磁気抵抗のゆらぎ
• 6a-B1-7 GaAs細線の低温電気伝導のゆらぎ(II)
• 28a-Q-7 選択ドープGaAs-AlGaAs細線の電気伝導
• 30a-RB-6 高濃度にイオン注入したSi:Sb薄膜および細線の電気伝導
• 30a-RB-5 PtSi極微細線の電気伝導
• 29a-A-4 極微GaAs細線の電気伝導
• 26p-ZB-3 GaAs細線における位相コヒーレンス長
• 25p-ZB-4 バリスティック細線における電子散乱
• 3p-ZE-9 GaAs/AlGaAs量子細線の磁気抵抗振動
• 28a-A-12 強磁場中でのGaAs/AlGaAs 量子井戸二次元励起子のダイナミクス
• 28a-A-7 GaAs 量子井戸におけるエネルギー緩和
• 1a-TE-1 水素原子付加によるハイドロナフチルラジカルESR及び光吸収
• 15a-C-10 芳香族有機半導体の放射線効果 II
• 芳香族有機半導体の放射線効果 : 分子結晶・有機半導体
• ナフタレン単結晶の低温照射 : 分子結晶・有機半導体
• 銅フタロシアニンの混晶の電気伝導 II : 分子結晶・有機半導体
• 24a-M-12 PbTe薄膜及び細線の反局在効果
• 29p-PS-33 Y系酸化物超伝導体薄膜の電気伝導
• 7a-T-7 Au^+およびCu^+イオンのSi基板中へのHigh-dose Implantation
• 29p-ZK-11 アンチドット構造上の電子ピンボール
• 30p-TB-9 GaAs/AlGaAs細線でのシュブニコフ・ド・ハース振動
• GaAs/AlGaAs細線におけるSdH振動の振幅解析
• 31a GE-10 パルス・レーザ照射による非晶質 : 結晶遷移の動的挙動
• 6a-KL-14 イオン(P^+,S6^+)注入SiのESR
• 30a-U-5 イオン注入 Si の格子欠陥(ESR)
• 3a-N-1 イオン注入した半導体のESR
• 1a-E-3 PtSi薄膜及び細線の電気伝導
• 29a-A-2 半導体及び金属極微細線の電気伝導
• 29p-Z-1-1 高電流密度領域における電子ビーム励起KrFレーザーの諸特性とそのモデル
• 3a-F-13 強磁場中でのGaAs/AlGaAs MQW二次元励起子のダイナミクス
• 29p-ZK-10 GaAs/AlGaAs細線における非局所的伝導のゲート制御
• 26a-ZB-9 GaAs/AlGaAs細線における非局所的伝導
• 3p-K-4 アンスラセン・テトラセン混晶の蛍光の飽和
• 3p-K-3 アンスラセン-テトラセン混晶の2光子吸収 II
• 1a-TE-8 アンスラセンーテトラセン混晶の2光子吸収
• イオン・インプランティション(II) : 荷電ビームと応用シンポジウム : 荷電ビームのICへの応用
• 電子線励起によるGaAsレーザー : 荷電ビームと応用
• 電子ビーム励起によるCdSレーザー : 荷電ビームと応用
• ペリレン・ヨウ素錯化合物の電気伝導 : 分子結晶・有機半導体
• 非局所的配置におけるGaAs/AlGaAs量子細線のシュブニコフ・ド・ハース効果
• 30p-TB-8 GaAs/AlGaAs量子細線におけるバリスティック伝導電子の非局所的シュビニコフ・ド・ハース効果
• GaAs-AlGaAs電子導波路における伝達抵抗II
• 3p-ZE-8 PbTe, Bi細線の磁気抵抗効果
• 30p-TB-7 GaAS-AlGaAS電子導波路における伝達抵抗
• 超微細加工と電子波デバイス
• 電子ビ-ム露光とドライエッチング (量子効果デバイスのための微細プロセス技術(技術ノ-ト))
• III 量子エレクトロニクスの応用 : III-2 工学的応用 : レーザー加工 ( 量子エレクトロニクスの現状と将来)
• レーザーアニール機構の研究(VI. 半導体の格子緩和,強結合電子・格子系の動的物性,科研費研究会報告)
• 分子・原子レベルの微細加工と触媒
• サブミクロン加工とエレクトロニクス(各種分野における微細画像への挑戦)
• エレクトロニクスにおける微細加工の限界
• サブミクロン技術(新技術シリ-ズ)
• 11a-T-1 GaAs中のイオン注入不純物(Te およびSb)の格子位置
• 光ICにおける技術的問題点
• 15a-C-6 フタロシアニンの電気伝導
• 新しいマイクロ加工技術
• シンクロトロン放射-6-X線リソグラフィ-
• 化合物半導体表面デバイス
• 1a-E-5 金属型GaAs薄膜のアンダーソン局在
• 1a-E-4 Al細線の電気伝導
• 2p-L-7 高濃度域Si:Sb薄膜の電気伝導
• 化合物半導体へのイオン注入 : 荷電ビームと応用
• AINx簿膜へのNイオンビーム注入効果
• 2p-L1-5 選択ドープGaAs-AIGaAs細線の電気伝導II(半導体,(表面・界面・超格子))
• 30a-LB-10 n^+-GaAs細線における伝導度のゆらぎの試料サイズ依存性(低温)
• 2p-D4-5 半導体リングにおけるAB効果(主題:電気伝導における量子干渉効果,低温・半導体合同シンポジウム)
• 2p-D4-5 半導体リングにおけるAB効果(電気伝導における量子干渉効果,低温・半導体合同シンポジウム)
• 1p-L4-13 GaAs細線の低温電気伝導のゆらぎ(低温(薄膜・細線の電気伝導))
• 28a-G-2 GaAs-AlGaAs細線におけるホール効果(28aG 半導体(表面・界面・超格子))
• 30a-CQ-11 極微構造金属細線の電気伝導(低温)
• 30a-CQ-10 PtSi極微細線の電気伝導(低温)
• 30a-FC-9 GaAs薄膜及び極微細線の電気伝導(30a FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))
• 31a-SC-11 電子波導波路における非局所的電圧のゆらぎ(31a SC 低温(アンダーソン局在,他))
• 2p-D4-9 微細加工の限界
• 2p-D4-9 微細加工の限界(大学の再編をめぐって,物理学者の社会的責任シンポジウム)
• 31a-B1-3 高濃度にイオン注入したSiの2次元弱局在(31a B1 低温)
• 2p-L2-14 酸化物高温超伝導体フィルムの電気伝導とガラス半導体的側面(半導体,(アモルファス))
• 30a-LB-9 PtSi細線の側面磁気散乱効果(低温)
• 30a-LN-12 半導体超格子内キャリアーのダイナミクス(イオン結晶・光物性)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク