AIN<SUB>x</SUB>簿膜へのNイオンビーム注入効果
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概要
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The 750 Å AIN<SUB>x</SUB> films were deposited on Si (111), glassy carbon and commercial glass by an activated reactive evaporation (ARE) method in a nitrogen atmosphere. The 80 keV N<SUP>+</SUP>-implantation was carried out near room temperature with doses ranging from 5×10<SUP>16</SUP> to 5×10<SUP>17</SUP> N+/cm<SUP>2</SUP> at 1×10<SUP>-6</SUP> torr. The composition of the film before N<SUP>+</SUP>-implantation was revealed by the Rutherford backscattering (RBS). The results of an Xray Diffraction (XRD) and a measurement of optical transmittance show the changes on crystallinity and optical transmittance of the AINX (x<1) films due to N<SUP>+</SUP>-implantation, depending on doses. It is concluded that N-ion implantation in AIN<SUB>x</SUB> films results in the formation of c-axis oriented AIN films.
- 社団法人 粉体粉末冶金協会の論文
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