26aYL-9 高エネルギーイオン注入によるAu-Si注入層の理論解析(II)

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 1999-09-03

著者

• 橋本 美絵

  奈良先端大物質創成

• 中野 禅

  産業技術総合研究所

• 岩木 正哉

  理化学研究所

• 中川 幸子

  岡山理科大学

• 小木曽 久人

  産業技術総合研究所

• 嘉数 智之

  岡理大・理

• 小木曽 久人

  (独)産業技術総合研究所先進製造プロセス研究部門集積加工研究グループ

• 中野 禅

  工業技術院機械技術研究所

• 橋本 美絵

  岡山理科大理学部

• 嘉数 智之

  岡山理科大理学部

• 波田 恭宏

  岡山理科大理学部

• 小木曽 久人

  工業技術院

• Eckstein W

  Max-Planck Institut

• 波田 恭宏

  岡山理科大学大学院理学研究科

• 岩木 正哉

  理化学研究所 表面解析室

• 中川 幸子

  岡山理科大学 理学研究科

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