22pXF-13 二次元光電子分光によるSi(111)√<3>×√<3>-Ag表面の表面準位の光電子放出角度分布とバンド構造(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2005-08-19

著者

• 橋本 美絵

  奈良先端大物質

• 武田 さくら

  奈良先端大物質創成

• 高橋 伸明

  J-PARCセンター

• 橋本 美絵

  奈良先端大物質創成

• 高橋 伸明

  奈良先端大物質創成

• 松井 文彦

  JST-CREST

• 出野 卓

  奈良先端大・物質創成

• 茂内 晋

  奈良先端大・物質創成

• 大門 寛

  JST-CREST

• 茂内 晋

  奈良先端大・物質

• 出野 卓

  奈良先端大

• 橋本 美絵

  奈良先端大

• 武田 さくら

  奈良先端大

関連論文

• 21pPSA-21 二次元光電子分光法による6H-SiC(0001)表面上酸窒化膜の原子構造解析(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pPSA-27 4H-SiC(0001)表面上のグラフェン形成過程の組成・構造解析(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pGQ-5 SiC(0001)表面のサイト選択的光電子回折による構造解析(22pGQ 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20aGQ-4 Si(001)ホールサブバンド分散の角度分解光電子分光測定(20aGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pHT-1 冷中性子ディスクチョッパー型分光器アマテラスの性能評価(23pHT X線・粒子線(中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22pGQ-4 光電子回折リングにおける円二色性の解析(22pGQ 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28aYG-4 Si(111)-√×√-Ga表面における円二色性光電子回折リングの解析(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 18pTG-5 Si反転層中の2次元正孔ガスの角度分解光電子分光 : 光エネルギー依存性(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26pPSB-32 Pb初期吸着過程におけるSi(111)表面構造変化のリアルタイムモニタリング(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26pPSB-6 Bi吸着Si(001)表面の構造と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pPSB-23 円偏光励起によるSi2p光電子放出角度分布の光電子波数依存性II(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pZR-5 二次元光電子分光によるBi2212フェルミ準位近傍の原子軌道解析(26pZR 高温超伝導(光電子分光),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 22pXF-13 二次元光電子分光によるSi(111)√×√-Ag表面の表面準位の光電子放出角度分布とバンド構造(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aPS-21 二次元光電子分光によるSi(111)-√×√-Ptの電子状態の研究(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 19pPSB-24 二次元光電子分光法による原子軌道解析における多重散乱やウムクラップ過程の影響
• 19aRH-4 放射光二次元光電子分光法によるグラファイトの三次元(E_B, k_x, k_y)電子状態のk_z依存性の研究
• 25aWD-3 二次元角度分解光電子分光によるグラファイト表面の電子構造の研究
• 27aYH-8 Siホールサブバンドの有効質量(結晶成長,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26pPSB-20 Si(110)表面へのPb吸着構造のRHEED観察(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26pPSB-4 高分解能角度分解光電子分光によるGaSb(001)表面近傍の電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 30pRD-8 Si(111)√×√-Agの表面電子状態における原子ステップの効果の研究(30pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aYQ-4 Si(111) 3×1, 6×1-Ag相転移の光電子分光によるモデルの考察
• 22aWA-5 Si(111)-Ag表面における3x1-6×1構造相転移の光電子分光による研究
• 25pW-10 Si(111)3x1-Ag表面の角度分解光電子分光
• 29pPSA-16 二次元表示型光電子分光器を用いた銅フタロシアニンの電子構造の解析
• 25aE-3 Si(111)7×7上におけるCo磁性薄膜についての研究II
• 25pZ-9 Si(111)およびSi(111)-Ag表面上におけるCo原子層の構造と磁気的性質
• 20aPS-35 Ge 蒸着 Si(111) 7×7 表面の STM 観察
• 20aPS-34 Si(111) 表面における Fe シリサイドの形成 III
• 20aPS-25 Si(111) 2×2-Fe 表面への NO 吸着
• 17pWD-1 Si(111)7×7表面におけるCO吸着の初期過程
• 22pPSA-9 Pb吸着Si(100)表面の角度分解光電子分光(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pPSA-72 角度分解光電子分光によるSi(111)3√×3√-PbGaホールサブバンド解析(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20aPS-14 角度分解光電子分光によるSi(111)6.3×6.3-Ga表面下のホールサブバンドの分散測定(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20aPS-15 Si(111)4×1-In表面下の反転層サブバンドの角度分解光電子分光測定(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pPSB-8 シリコン反転層中の価電子サブバンドの面内方位依存性(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aYB-3 二次元光電子分光とcite選択的XAFS測定(27aYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30aPS-33 光電子回折リングにおける円二色性(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30aPS-36 円偏光励起によるSi2p光電子放出角度分布の光電子波数依存性(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pPSB-62 Si(111)表面反転層ホールサブバンドの構造(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 31aWD-4 角度分解光電子分光による graphite の価電子帯と伝導帯の分散の測定
• 24pRE-11 円偏光二次元光電子回折による1T-TaS_2の価電子帯の軌道角運動量解析(24pRE 光電子分光(表面・薄膜・低次元系),領域5(光物性))
• 23aWS-4 Si(111)-√×√-Sn,-Pb表面の円偏光光電子回折リングの解析(23aWS 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-46 Si(111)7×7表面へのアルカリ金属吸着過程の表面電気伝導度(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-45 高分解能角度分解光鷺子分光によるGe(110)表面の電子状態の観測(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-43 高分解能角度分解光電子分光によるSi(001)4×3-In表面近傍の電子状態(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-40 Bi/Si(001)のスピン分解角度分解光電子分光(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-73 4H-SiC(0001)上のグラフェン形成過程の追跡と層分解構造解析(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-127 シリコンp型反転層中のサブバンドの面内分散のバルクとの比戟(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 23aXB-2 Si(111)7×7表面へのBi初期吸着における多段階秩序形成過程(23aXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pPSA-14 超高真空試料冷却電気伝導度測定機構の開発(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22pPSA-74 角度分解光電子分光によるSiサブバンド分散 : 入射光方位依存性(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22pPSA-79 Pb吸着Si(111)4×1-In表面でのホールサブバンドのARPES測定(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20aPS-38 二次元光電子分光によるBi2212単結晶の価電子帯の研究(領域8ポスターセッション(低温),領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
• Si反転層中のホールサブバンド分散(ゲートスタック構造の新展開(I),ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 22aXA-12 Si(111)上へのNa,Mg吸着初期過程のリアルタイムモニタリング(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 15aPS-59 金表面上におけるアミノ酸真空蒸着膜の吸着状態(領域 9)
• 20aPS-40 金表面上におけるアミノ酸単分子層の吸着状態
• 23aWX-4 Si(110)p型反転層中のサブバンドの分散構造(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aYH-8 Si(111)7×7及び5×5-Ge表面電子状態における電子相関効果(23aYH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aPS-20 角度分解光電子分光によるSi(111)5×5-Geの電子状態の研究(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aPS-18 Si(111)-7×7表面電子状態の高分解能角度分解光電子分光(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-69 Ols光電子およびO KLL Auger電子回折とO K-edge XANESによるSiON/SiC(0001)原子構造解析(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aWS-3 二次電子角度分布に現れる内殻光電子回折のネガパターン(23aWS 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aPS-102 Display-type Ellipsoidal Mesh Analyzerの開発I(25aPS 領域5ポスターセッション(光電子分光・真空紫外分光・軟X線発光),領域5(光物性))
• 24aPS-128 アルカリ金属吸着Si(111)-(3×1)表面形成過程の表面電気伝導度(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• Material Report R&D 表面超構造を用いた半導体量子井戸作製と井戸中の電子状態の測定
• 28pPSB-15 金属吸着 Si 反転層中ホールサブバンドの解析
• 24aXB-9 Si反転層中の価電子サブバンド分散の実験的決定(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20pXA-7 Si(111)√×√-Ag表面のHCT-IET相転移(表面・界面ダイナミクス(半導体表面・実験),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28aWR-3 表面修飾したSi(111)表面上のAlq_3分子からのフォトルミネセンスII(表面局所光学現象/表面界面ダイナミクス)(領域9)
• 28aWP-5 RHEEDによるSi(111)√×√-Ag,-Ga表面の原子振動解析(表面界面構造(半導体))(領域9)
• 29aZF-9 Si(111) 表面における Fe シリサイドの形成 II
• 28pPSB-60 Alq_3/Si(111) 表面からのフォトルミネセンス
• 28pPSB-20 微小電極を用いた表面電気伝導度測定
• 19pPS8-49 RHEEDによるGa/Si(111)表面の原子振動解析
• 19aRH-5 Si(111)√x√-In表面における新規な多重線バンド構造
• 29pPSA-8 √×√-In/Si(111)表面上のIn2次元原子ガスの高分解能光電子分光
• 24pPSA-8 Si(111)-Ag表面のNO_2吸着
• 22aW-7 表面超構造における電気伝導度の温度依存性 II
• 27aW-10 Si(111)-7x7と酸化Si表面の室温から300℃までの電気伝導度
• 27aW-9 Si(111)上の種々の表面超構造と室温以上での電気伝導度との相関
• 27pPSA-7 高分解能角度分解光電子分光による高不純物濃度Pb/Si(001)のホールサブバンド測定(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aTH-2 高分解能角度分解光電子分光によるPb/Ge(110)表面における電子状態の観測(25aTH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pPSA-10 Si(111)7×7表面へのK吸着構造における表面電気伝導度測定(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aTH-1 角度分解光電子分光を用いた高濃度不純物ドープSi(111)上における空間電荷層中のバレンスサブバンド準位の解明(25aTH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28aHB-2 Fe L_3吸収端での円偏光二次元光電子・Auger電子回折(28aHB 放射光真空紫外分光・MCD・光電子分光(強相関係・スピン分解・理論等),領域5(光物性))
• 25aTH-7 楕円メッシュ顕微高エネルギー二次元光電子分光器の開発(25aTH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aT-3 SPA-LEEDによるIn-4×1,8×2/Si(111)相転移の温度依存性の測定
• 24aPS-33 Si(111)-Ag表面のN0吸着
• 22pT-12 Gap(1^^-1^^-1^^-)超構造表面のSTM観察
• 26pTH-3 SiC上酸窒化膜のO-K edgeサイト別XANESによる電子状態の研究(26pTH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pRC-9 歪みシリコンの価電子帯分散構造の実験的解明(22pRC 表面界面電子物性(表面伝導・光電子分光),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pRC-10 高温熱処理が空間電荷層中の電子状態に及ぼす影響(22pRC 表面界面電子物性(表面伝導・光電子分光),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aRC-1 Electron Transport Phenomena on Surface Systems : Interdisciplinary Approach(22aRC Electron Transport Phenomena on Surface Systems-Interdisciplinary Approach)
• 26pPSB-32 RHEEDによるIn/Si(111)表面超構造の相図(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20aPS-45 RHEED による Si(001) 表面の原子振動解析
• 28pXK-10 歪み印加マニピュレータの開発(28pXK 表面界面電子物性・金属,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pPSA-19 超薄膜Silicon on insulator(SOI)の表面構造と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aJA-6 角度分解光電子分光によるPb吸着Ge(001)表面におけるバンド分散構造の観察(トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク