Si反転層中のホールサブバンド分散(ゲートスタック構造の新展開(I),ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

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概要

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• CMOSchannel中の電子やホールの有効質量の軽量化は情報処理速度向上のための有力な手段である。電子やホールの有効質量はバンド分散構造を測定することで直接求めることが出来る。そこで我々は極微細CMOS中のp-channelと同等のシリコン反転層をSi(111)面に作製し、反転層中に量子化によって形成されるサブバンドの分散構造を角度分解光電子分光法を用いて測定している。本講演では測定の詳細と主な測定結果について報告する。サブバンドの分散構造や方位依存性性は基本的にバルクSiのバンドと一致すること、つまり有効質量の性質は量子化されても変化しないことがわかった。また、表面ポテンシャルを変えるとサブバンドエネルギー位置は変わるが分散構造は基本的に変化しないことがわかった。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2008-06-02

著者

• 大門 寛

  奈良先端科学技術大学院大学

• 武田 さくら

  奈良先端大物質創成

• 谷川 洋平

  奈良先端大物質創成

• 森田 誠

  奈良先端大物質創成

• 武田 さくら

  奈良先端科学技術大学院大学

• 森田 誠

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 大杉 拓也

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 谷川 洋平

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

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