25aTH-1 角度分解光電子分光を用いた高濃度不純物ドープSi(111)上における空間電荷層中のバレンスサブバンド準位の解明(25aTH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
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概要
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- 2011-03-03
著者
-
大門 寛
奈良先端科学技術大学院大学
-
武田 さくら
奈良先端大物質創成
-
大門 寛
奈良先端大
-
森田 誠
奈良先端大物質創成
-
吉丸 正樹
半導体理工学研究センター
-
松岡 弘憲
奈良先端大学院大学物質創成科学研究科
-
田畑 裕貴
奈良先端大学院大学物質創成科学研究科
-
田畑 裕貴
奈良先端大物質創成
-
吉丸 正樹
半導体理工学センター (starc)
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松岡 弘憲
奈良先端大物質創成
-
吉丸 正樹
半導体理工学センター
-
坂田 智裕
奈良先端大物質創成
-
Idayu Nur
奈良先端大物質創成
-
森田 誠
奈良先端大・物質創成
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武田 さくら
奈良先端大学院大学物質創成科学研究科
-
武田 さくら
奈良先端大
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