23aWS-10 GaN(0001)表面の清浄化手法(23aWS 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2010-08-18

著者

• 大門 寛

  奈良先端大物質

• 服部 梓

  阪大院工

• 大門 寛

  奈良先端科学技術大学院大学

• 遠藤 勝義

  阪大院工

• 大門 寛

  奈良先端大

• 服部 賢

  奈良先端大物質創成

• 服部 賢

  奈良先端大物質

• 服部 賢

  奈良先端大

• 服部 梓

  阪大産研

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