23aWX-4 Si(110)p型反転層中のサブバンドの分散構造(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))

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概要

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• 2010-08-18

著者

• 大門 寛

  奈良先端大物質

• 大門 寛

  奈良先端科学技術大学院大学

• 武田 さくら

  奈良先端大物質創成

• 大門 寛

  奈良先端大

• 森田 誠

  奈良先端大物質創成

• 山中 佑一郎

  奈良先端大物質創成

• 吉丸 正樹

  半導体理工学研究センター

• 松岡 弘憲

  奈良先端大学院大学物質創成科学研究科

• 田畑 裕貴

  奈良先端大学院大学物質創成科学研究科

• 田畑 裕貴

  奈良先端大物質創成

• 吉丸 正樹

  半導体理工学センター (starc)

• 松岡 弘憲

  奈良先端大物質創成

• 吉丸 正樹

  半導体理工学センター

• 森田 誠

  奈良先端大・物質創成

• 武田 さくら

  奈良先端大学院大学物質創成科学研究科

• 武田 さくら

  奈良先端大

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