藤花 隆宣 | (株)新技術研究所

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• 藤花 隆宣

  (株)新技術研究所

• 岩木 正哉

  理化学研究所

• 岡部 芳雄

  埼玉工大

• 岩木 正哉

  理研

• 難波 進

  大阪大学基礎工学部

• 岡部 芳雄

  埼玉工業大学

• 高橋 勝緒

  理化学研究所

• 小林 峰

  理化学研究所

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• 小林 健三

  大阪大学基礎工学部

• 戴 義生

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著作論文

• AESによる炭素イオン注入Ti表層の深さ方向組成分析
• 炭素イオン注入した周期律表4族遷移金属表層のキャラクタリゼ-ション (特集/イオンビ-ムと表面・表層・界面のかかわり(6))
• クロム板への高濃度窒素イオン注入 (イオン注入技術による表面改質)
• 鉄表層の電気化学的性質に及ぼす酸素イオン注入効果
• シリコンへの鉄・ニッケル・銅イオン注入
• AINx簿膜へのNイオンビーム注入効果

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