6a-KL-14 イオン(P^+,S6^+)注入SiのESR
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1974-03-20
著者
関連論文
- 縦型結合ドット配列中の電子状態
- CO_2 レーザー光検出用無給電スロットアンテナアレーの受信特性
- 5a-J-9 磁気電子フォーカス効果における"端子反射"のメカニズム
- 28p-L-8 2次元電子系における不規則アンチドット構造の効果
- 28p-L-7 磁気電子フォーカス効果における電子出射分布と端子反射
- 13a-K-2 ゲート制御したGaAs/AlGaAs多端子素子における磁気電子フォーカス効果
- 27a-P-7 GaAs/AlGaAs多端子構造における磁気電子フォーカス効果
- 短時間レ-ザ照射によるイオン注入GaAs層の結晶性回復:注入量及びド-ズレ-ト依存性
- 12a-F-8 イオン注入Si:P系のESR
- 27pTB-14 縦型二重ドットにおけるドット間結合への光励起効果
- 6a-B1-8 GaAs-AlGaAs極微構造における非対称磁気抵抗のゆらぎ
- 6a-B1-7 GaAs細線の低温電気伝導のゆらぎ(II)
- 28a-Q-7 選択ドープGaAs-AlGaAs細線の電気伝導
- 30a-RB-6 高濃度にイオン注入したSi:Sb薄膜および細線の電気伝導
- 30a-RB-5 PtSi極微細線の電気伝導
- 29a-A-4 極微GaAs細線の電気伝導
- 縦型結合ドット配列中の電子状態
- アンチドット系の格子配置とホール抵抗の消失
- アンチドット系の格子配置とホール抵抗の消失
- 1a-E-12 周期アンチドット系における磁気抵抗の弱磁場領域でのふるまい
- 異方アンチドット系における電気伝導度
- 28a-X-5 異方アンチドット系における電気伝導度
- 31p-N-10 アンチドット系における整合振動の電流方向依存性
- レーザー光と固体との相互作用
- レーザー光を利用した物質科学
- 2. アブレーションプラズマを用いた材料開発 (アブレーションプラズマのプロセス応用)
- シリコンナノ微粒子の生成の動的機構と可視発光
- 5a-J-9 磁気電子フォーカス効果における"端子反射"のメカニズム
- 28p-L-8 2次元電子系における不規則アンチドット構造の効果
- 28p-L-7 磁気電子フォーカス効果における電子出射分布と端子反射
- 13a-K-2 ゲート制御したGaAs/AlGaAs多端子素子における磁気電子フォーカス効果
- 26p-ZB-3 GaAs細線における位相コヒーレンス長
- 25p-ZB-4 バリスティック細線における電子散乱
- 30p-F-10 時間分解X線吸収分光法によるレーザーアブレーションSi粒子の空間分布測定
- 24pYC-14 PEEMによる強磁性体ミクロ構造の軟X線磁気円二色性顕微分光
- 集束イオンビームを用いたナノ加工
- 低エネルギ-集束イオンビ-ム直接堆積によるシリコンおよびシリコン酸化膜の形成
- 3p-ZE-9 GaAs/AlGaAs量子細線の磁気抵抗振動
- 水素原子処理シリコン結晶中の水素分子
- 24a-M-12 PbTe薄膜及び細線の反局在効果
- 10p-R-9 イオン注入Si:P系に於けるESR時の電気抵抗変化
- 29p-PS-33 Y系酸化物超伝導体薄膜の電気伝導
- 7a-T-7 Au^+およびCu^+イオンのSi基板中へのHigh-dose Implantation
- 17pPSA-11 微細加工反強磁性層を有するスピンバルブ膜の電流磁気効果
- 磁性多層膜細線における静磁気的相互作用の研究
- 29p-ZK-11 アンチドット構造上の電子ピンボール
- 30p-TB-9 GaAs/AlGaAs細線でのシュブニコフ・ド・ハース振動
- 3p-ZE-10 GaAs細線の磁気抵抗非周期ゆらぎ
- 24a-M-13 準バリスティック伝導細線におけるサイズ効果
- GaAs/AlGaAs細線におけるSdH振動の振幅解析
- 28a-T-4 アンチドットを含む二次元電子系での量子ホール効果のブレークダウンとその不安定現象
- 8a-N-7 アンチドット系における量子ホール効果ブレークダウン現象
- 8a-N-7 アンチドット系における量子ホール効果のブレークダウン現象
- アモルファスGaAsのレ-ザ-固相エピタキシャル成長
- 31a GE-10 パルス・レーザ照射による非晶質 : 結晶遷移の動的挙動
- 6a-KL-14 イオン(P^+,S6^+)注入SiのESR
- 4a-M-8 イオン(P^+)注入したSiのESR
- 3a-N-8 イオン注入Siの常磁性格子欠陥
- 30a-U-5 イオン注入 Si の格子欠陥(ESR)
- 7a-B-4 Siへのイオン打ち込み
- 3a-N-1 イオン注入した半導体のESR
- 31a-YA-2 平行磁場によるバリスティック散乱長の変化
- 磁気電子フォーカス効果における平行磁場の影響
- 27a-X-8 磁気電子フォーカス効果における平行磁場の影響
- レーザープラズマ軟X線吸収分光を用いたアブレーション粒子の時間分解測定
- レーザーアブレーションの動的機構とナノクラスター生成
- 1p-L-5 銅フタロシアニンの光導電特性
- 14a-M-1 銅フタロシアニンの光伝導 IV
- 4a-K-6 銅フタロシアニンの光伝導III
- 銅フタロシアニンの光伝導 II : 分子結晶・有機半導体
- Phthalocyanineの光伝導 : 光物性・イオン結晶(有機半導体)
- ESRによるDPPH_2の放射線効果 : イオン結晶・光物性(有機半導体)
- DPPHの電気伝導 : イオン結晶・光物性(有機半導体)
- DPPHとDPPH-H混晶のESR : イオン結晶・光物性 : 有機半導体
- DPPH・Hの電気伝導 : イオン結晶・光物性 : 有機半導体
- 6p-L-1 DPPH単結晶中の不対電子による電気伝導
- DPPH単結晶のconductivityとESR : 半導体(化合物・有機)
- ベンゼン溶液中のDPPHのConductionのESRによる考察 : 半導体(化合物・有機)
- 有機半導体(DPPH等)のconductivityとESR(半導体(化合物,炭素,ビスマス))
- 第13回イオンビームによる材料改質国際会議(IBMM2002)報告
- Fabrication of Planar-Type Ferromagnet/Nonmagnet/Ferromagnet Structures Using Multiangle Deposition
- Study of Magnetostatic Interaction in Magnetic Multilayer Wires Using Exchange Anisotropy
- Effects of Stray Fields in Flat-End and Pointed-End NiFe/Cu/NiFe/NiO Wires : Magnetism
- サブミクロン強磁性細線におけるホール抵抗の制御
- Effects of Shape Anisotropy in CoO/Co/Cu/NiFe/Cu/Co Wires
- Galvanomagnetic Effect of Submicron Exchange-Coupled Co/Ni Wire
- 24pPSB-37 局所的に交換結合した磁性多層膜の電流磁気効果
- サブミクロン強磁性細線におけるホール抵抗の制御
- メゾスコピックスケール十字型磁性細線における電流磁気効果
- 25aK-12 光による縦型二重ドットの閉じ込めポテンシャル変調
- 24pPSB-42 強磁性/非磁性/強磁性体における電流磁気効果
- 26pPSA-31 Co/Ni磁性細線の電流磁気効果
- 1a-E-3 PtSi薄膜及び細線の電気伝導
- 29a-A-2 半導体及び金属極微細線の電気伝導
- 「レーザーアブレーションによる機能性ナノ微粒子の創製」解説小特集号によせて
- レーザーアブレションによるSiナノ微粒子形成の物理機構
- 可視発光シリコンナノ微粒子 -レーザーアブレーション-
- レーザーアブレーション法による可視発光シリコン超微粒子の作成
- 半導体中不純物の準安定性/双安定性
- 半導体のパルス・レーザー・アニール機構(VI. 半導体の格子緩和,強結合電子・格子系の動的物性,科研費研究会報告)