難波 進 | 長崎総合科学大
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概要
関連著者
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難波 進
長崎総合科学大
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蒲生 健次
阪大基礎工
-
青柳 克信
理研フロンティア
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邑瀬 和生
阪大理
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難波 進
阪大基礎工
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瀬川 勇三郎
理研フォトダイナミクス
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難波 進
長崎総合科学大学
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鷹岡 貞夫
阪大院理
-
瀬川 勇三郎
理研
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難波 進
理研フロンティア
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鷹岡 貞夫
阪大理
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川辺 光央
筑波大物質工
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落合 勇一
筑波大物質工
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瀬川 勇三郎
理研フロンティア
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草野 淳一
理研フロンティアナノ電子材料
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飯村 靖文
東京農工大
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難波 進
大阪大学基礎工学部
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音 賢一
阪大・理
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鷹岡 貞夫
阪大・理
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邑瀬 和生
阪大・理
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高垣 雪彦
阪大基礎工
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高垣 雪彦
パウル・ドルーデ固体電子研
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石橋 幸治
理研国際フロンティア
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高垣 雪彦
阪大基礎工:阪大理
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三原 勝
理研
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青柳 克信
理研
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石田 修一
阪大理
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石橋 幸治
阪大基礎工
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塚越 一仁
阪大基礎工
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邑瀬 和生
大阪教養
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三好 正毅
山口大院理工
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青柳 克信
理研国際フロンティア
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難波 進
理研国際フロンティア
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沢崎 立雄
阪大・理
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水野 雅博
筑波大物質工
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野々山 信二
山形大地教
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瀬川 勇三郎
理研フォトダイナミクス研究センター
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塚越 一仁
阪大理
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音 賢一
阪大理
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難波 進
理研
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三原 勝
理研フロンティア
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飯村 靖文
理研フロンティア
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蒲生 健次
阪大・基礎工
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バード J.P.
筑波大物質工
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阿部 哲史
筑波大物質工
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下村 哲
理研 フロンティア
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高原 淳一
阪大基礎工
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岩井 荘八
理化学研究所
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若山 繁俊
阪大理
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高橋 雄三
阪大理
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佐野 直克
関西学院大 理工
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草野 淳一
理研 フロンティア
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三原 勝
レーザー科学研究グループ
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蒲生 健二
阪大基礎工
-
野々山 信二
理研フロンティア
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劉 翊
理研
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谷口 裕昭
阪大基礎工
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大西 泰造
筑波大物質工
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石橋 幸治
理研フロンティア
-
青柳 克彦
理研フロンティア
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J.p. バード
理研
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J.P Bird
筑波大物質工
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谷口 裕昭
阪大基礎工:阪大理
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三好 正毅
山口大工短
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佐野 直克
関西学院大学理学部
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蒲生 賢次
阪大基礎工
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阪本 利司
阪大基礎工:阪大理
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植松 滋幸
三菱lsi研
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川合 浩史
阪大基礎工
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島本 幸治
阪大基礎工
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永田 公
阪大基礎工
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岡林 秀和
阪大極限物質研究センター
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バウアー ゲリット
フィリップス研
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バウアー G.E.W
フィリップス研究所
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侯 宏啓
理研
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瀬川 勇三郎
理研 フロンティア
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飯村 靖文
理研 フロンティア
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青柳 克信
理研 フロンティア
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難波 進
理研 フロンティア
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草野 淳一
帝京大理工
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侯 宏啓
理研フロンティア
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周 均銘
中国科学院物理研
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Williams R.S.
UCLA
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下村 哲
理研フロンティア
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Williams R.S.
U.C.L.A.
-
Williams R.S.
理研
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岩井 荘八
理研
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バウアー G.e.w
デルフト大
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小新堂 透
阪大理
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杉田 辰哉
阪大理
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藪内 雅敏
阪大基礎工
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Noh S.K.
理研フロンティア
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青柳 克彦
理研国際フロンティア
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栗本 秀彦
阪大・理
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塚越 一仁
阪大・理
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角田 武
阪大基礎工
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邑瀬 和生
阪大基礎工
-
野々山 信二
理研国際フロンティア
-
劉 翊
阪大理
-
鄭 瑞生
阪大理
-
角田 武
阪大基礎工:阪大理
-
栗本 秀彦
阪大理
-
永田 公
理研
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周 均銘
中国科学院北京物理研究所
著作論文
- 27a-P-7 GaAs/AlGaAs多端子構造における磁気電子フォーカス効果
- 27p-B-11 GaAs/AlGaAs多端子素子での電子フォーカス効果
- 6a-B1-7 GaAs細線の低温電気伝導のゆらぎ(II)
- 30a-RB-6 高濃度にイオン注入したSi:Sb薄膜および細線の電気伝導
- 30a-RB-5 PtSi極微細線の電気伝導
- 29a-A-4 極微GaAs細線の電気伝導
- 26p-ZB-3 GaAs細線における位相コヒーレンス長
- 25p-ZB-4 バリスティック細線における電子散乱
- 25p-X-19 GaAs薄膜・量子井戸の励起子
- 2a-D-3 GaAs/AlAs多重量子井戸における磁場効果 II
- 30p-Z-15 InGaAs-GaAs異種接合におけるバンドオフセット値の精密測定 II
- 6a-B-5 GaAs/AlGaAs多重量子井戸のへき開綿発光の磁場効果
- 3a-B-13 GaAs薄膜における励起子の磁場効果
- 3p-C-17 磁場を用いたGaAs-InGaAs歪超格子のバンドオフセット値の精密決定
- 3p-C-8 GaAs/AlGaAs多重量子井戸における磁場効果
- レーザー単原子層成長法による成長層の特性評価
- 4a-C3-19 CuCl薄膜内の励起子と励起子分子
- 4a-C3-18 GaAs薄膜内励起子ポラリトンの量子化
- 4a-C3-15 GaAs/Al_Ga_As多重量子井戸におけるフォトルミネッセンスの偏光特性
- GaAs/GaAlAs量子井戸細線からの発光の過渡特性
- 28p-B-5 CuCl単結晶薄膜の発光と時間分解スペクトル
- レーザー原子層エピタキシーによるGaAsパターン化成長層の評価
- 多重量子井戸における励起子ダイナミクスの電界効果
- 29p-X-9 多結晶PbTe極微細線におけるアンダーソン局在
- 31a-TF-1 GaAs表面-吸着子相互作用のモデル計算
- 3p-T-7 GaAs表面-吸着子相互作用のab initio法によるモデル計算
- フロンティア研究 (国際化時代の応用物理) -- (21世紀にむけての科学技術)
- 24a-M-12 PbTe薄膜及び細線の反局在効果
- 29p-PS-33 Y系酸化物超伝導体薄膜の電気伝導
- 29p-ZK-11 アンチドット構造上の電子ピンボール
- 30p-TB-9 GaAs/AlGaAs細線でのシュブニコフ・ド・ハース振動
- 3p-ZE-10 GaAs細線の磁気抵抗非周期ゆらぎ
- 29p-ZK-4 Quantum Interference Effects in High Mobility Semiconductor Devices at Low Temperatures
- 28a-C-7 スプリットゲート細線におけるキャリア-散乱
- 24a-M-13 準バリスティック伝導細線におけるサイズ効果
- GaAs/AlGaAs細線におけるSdH振動の振幅解析
- 電子導波路に於ける電荷分布の数値計算
- 1a-M-13 GaAs/AlGaAsにおける静電容量と量子ホール効果
- 1a-M-12 ゲートで制御した2次元電子系の量子伝導
- 27p-P-2 2次元電子系でのとじ込めポテンシャルと非局所抵抗
- 27p-P-1 GaAs/AlGaAs細線での量子伝導とエッジ電流
- 29p-ZK-12 GaAs/AlGaAsマクロ細線での非局所的量子伝導におけるエッジ電流と端子抵抗
- 29p-ZK-10 GaAs/AlGaAs細線における非局所的伝導のゲート制御
- 26a-ZB-9 GaAs/AlGaAs細線における非局所的伝導
- 3p-ZE-8 PbTe, Bi細線の磁気抵抗効果
- ものづくりに期待する
- 再び「物作り」のすすめ
- SSDM30周年に寄せて
- レーザーと微細加工
- 半導体産業を支えてきたイオン注入技術