レーザーと微細加工
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 27a-P-7 GaAs/AlGaAs多端子構造における磁気電子フォーカス効果
- 27p-B-11 GaAs/AlGaAs多端子素子での電子フォーカス効果
- 6a-B1-7 GaAs細線の低温電気伝導のゆらぎ(II)
- 30a-RB-6 高濃度にイオン注入したSi:Sb薄膜および細線の電気伝導
- 30a-RB-5 PtSi極微細線の電気伝導
- 29a-A-4 極微GaAs細線の電気伝導
- 26p-ZB-3 GaAs細線における位相コヒーレンス長
- 25p-ZB-4 バリスティック細線における電子散乱
- 25p-X-19 GaAs薄膜・量子井戸の励起子
- 2a-D-3 GaAs/AlAs多重量子井戸における磁場効果 II
- 30p-Z-15 InGaAs-GaAs異種接合におけるバンドオフセット値の精密測定 II
- 6a-B-5 GaAs/AlGaAs多重量子井戸のへき開綿発光の磁場効果
- 3a-B-13 GaAs薄膜における励起子の磁場効果
- 3p-C-17 磁場を用いたGaAs-InGaAs歪超格子のバンドオフセット値の精密決定
- 3p-C-8 GaAs/AlGaAs多重量子井戸における磁場効果
- レーザー単原子層成長法による成長層の特性評価
- 4a-C3-19 CuCl薄膜内の励起子と励起子分子
- 4a-C3-18 GaAs薄膜内励起子ポラリトンの量子化
- 4a-C3-15 GaAs/Al_Ga_As多重量子井戸におけるフォトルミネッセンスの偏光特性
- GaAs/GaAlAs量子井戸細線からの発光の過渡特性
- 28p-B-5 CuCl単結晶薄膜の発光と時間分解スペクトル
- レーザー原子層エピタキシーによるGaAsパターン化成長層の評価
- 多重量子井戸における励起子ダイナミクスの電界効果
- 29p-X-9 多結晶PbTe極微細線におけるアンダーソン局在
- 31a-TF-1 GaAs表面-吸着子相互作用のモデル計算
- 3p-T-7 GaAs表面-吸着子相互作用のab initio法によるモデル計算
- フロンティア研究 (国際化時代の応用物理) -- (21世紀にむけての科学技術)
- 24a-M-12 PbTe薄膜及び細線の反局在効果
- 29p-PS-33 Y系酸化物超伝導体薄膜の電気伝導
- 29p-ZK-11 アンチドット構造上の電子ピンボール
- 30p-TB-9 GaAs/AlGaAs細線でのシュブニコフ・ド・ハース振動
- 3p-ZE-10 GaAs細線の磁気抵抗非周期ゆらぎ
- 29p-ZK-4 Quantum Interference Effects in High Mobility Semiconductor Devices at Low Temperatures
- 28a-C-7 スプリットゲート細線におけるキャリア-散乱
- 24a-M-13 準バリスティック伝導細線におけるサイズ効果
- GaAs/AlGaAs細線におけるSdH振動の振幅解析
- 電子導波路に於ける電荷分布の数値計算
- 1a-M-13 GaAs/AlGaAsにおける静電容量と量子ホール効果
- 1a-M-12 ゲートで制御した2次元電子系の量子伝導
- 27p-P-2 2次元電子系でのとじ込めポテンシャルと非局所抵抗
- 27p-P-1 GaAs/AlGaAs細線での量子伝導とエッジ電流
- 29p-ZK-12 GaAs/AlGaAsマクロ細線での非局所的量子伝導におけるエッジ電流と端子抵抗
- 29p-ZK-10 GaAs/AlGaAs細線における非局所的伝導のゲート制御
- 26a-ZB-9 GaAs/AlGaAs細線における非局所的伝導
- 3p-ZE-8 PbTe, Bi細線の磁気抵抗効果
- ものづくりに期待する
- 再び「物作り」のすすめ
- SSDM30周年に寄せて
- レーザーと微細加工
- 半導体産業を支えてきたイオン注入技術