6a-B-5 GaAs/AlGaAs多重量子井戸のへき開綿発光の磁場効果
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1989-09-12
著者
-
下村 哲
理研 フロンティア
-
青柳 克信
理研フロンティア
-
難波 進
長崎総合科学大
-
草野 淳一
理研フロンティアナノ電子材料
-
瀬川 勇三郎
理研フォトダイナミクス
-
瀬川 勇三郎
理研
-
飯村 靖文
東京農工大
-
草野 淳一
理研 フロンティア
-
瀬川 勇三郎
理研 フロンティア
-
飯村 靖文
理研 フロンティア
-
三原 勝
レーザー科学研究グループ
-
青柳 克信
理研 フロンティア
-
難波 進
理研 フロンティア
-
三原 勝
理研
関連論文
- InAlGaN4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 24aWB-2 グラファイト超薄膜における超伝導近接効果II(グラフェン(電子物性・スピン),領域7,領域4合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
- 24aWB-9 グラファイト超薄膜-強磁性体接合の電気伝導特性II(グラフェン(電子物性・スピン),領域7,領域4合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
- 24aRA-7 グラファイト超薄膜 : 強磁性体接合の電気伝導特性(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
- 24aRA-8 グラファイト超薄膜における超伝導近接効果(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
- 24aRA-9 グラファイト超薄膜の電気伝導におけるAlトップゲートによる電界効果(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
- ナノテクノロジーと深紫外発光素子の開発
- InAlGaN 4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高出力化
- 27a-P-7 GaAs/AlGaAs多端子構造における磁気電子フォーカス効果
- 27p-B-11 GaAs/AlGaAs多端子素子での電子フォーカス効果
- 18pRG-9 グラファイト超薄膜-金属接合の電気伝導特性(グラファイト,領域7,分子性固体・有機導体)
- 18pRG-7 グラファイト超薄膜における近接効果による超伝導電流の観測(グラファイト,領域7,分子性固体・有機導体)
- 26aZB-11 グラファイト超薄膜/金属電極接合の電極依存性(26aZB グラファイト,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26aZB-12 グラファイト超薄膜の電気伝導の磁場・ゲート電圧依存性(26aZB グラファイト,領域7(分子性固体・有機導体))
- 6a-B1-7 GaAs細線の低温電気伝導のゆらぎ(II)
- 30a-RB-6 高濃度にイオン注入したSi:Sb薄膜および細線の電気伝導
- 30a-RB-5 PtSi極微細線の電気伝導
- 29a-A-4 極微GaAs細線の電気伝導
- 26p-ZB-3 GaAs細線における位相コヒーレンス長
- 25p-ZB-4 バリスティック細線における電子散乱
- 11p-N-4 PbTe-Pb_Sn_Te超格子のサイクロトロン共鳴
- 25p-X-19 GaAs薄膜・量子井戸の励起子
- 2a-D-3 GaAs/AlAs多重量子井戸における磁場効果 II
- 30p-Z-15 InGaAs-GaAs異種接合におけるバンドオフセット値の精密測定 II
- 6a-B-5 GaAs/AlGaAs多重量子井戸のへき開綿発光の磁場効果
- 3a-B-13 GaAs薄膜における励起子の磁場効果
- 3p-C-17 磁場を用いたGaAs-InGaAs歪超格子のバンドオフセット値の精密決定
- 3p-C-8 GaAs/AlGaAs多重量子井戸における磁場効果
- レーザー単原子層成長法による成長層の特性評価
- 4a-C3-19 CuCl薄膜内の励起子と励起子分子
- 4a-C3-18 GaAs薄膜内励起子ポラリトンの量子化
- 4a-C3-15 GaAs/Al_Ga_As多重量子井戸におけるフォトルミネッセンスの偏光特性
- GaAs/GaAlAs量子井戸細線からの発光の過渡特性
- 28p-B-5 CuCl単結晶薄膜の発光と時間分解スペクトル
- レーザー原子層エピタキシーによるGaAsパターン化成長層の評価
- 多重量子井戸における励起子ダイナミクスの電界効果
- 29p-X-9 多結晶PbTe極微細線におけるアンダーソン局在
- 30p-S-6 光誘起デジタルエッチングとその表面過程
- 31a-TF-1 GaAs表面-吸着子相互作用のモデル計算
- 3p-T-7 GaAs表面-吸着子相互作用のab initio法によるモデル計算
- 3p-ZE-9 GaAs/AlGaAs量子細線の磁気抵抗振動
- フロンティア研究 (国際化時代の応用物理) -- (21世紀にむけての科学技術)
- 28a-A-12 強磁場中でのGaAs/AlGaAs 量子井戸二次元励起子のダイナミクス
- 28a-A-7 GaAs 量子井戸におけるエネルギー緩和
- 3a-X-1 p型変調ドープ量子細線の磁気光学効果II
- 29a-Z-3 p型変調ドープ量子細線の磁気光学効果
- 24a-M-12 PbTe薄膜及び細線の反局在効果
- カーボンナノチューブを用いた量子ナノデバイス : 量子相関デバイスの実現に向けて
- 23pPSB-34 光アンテナを用いたナノスケール局所電場変調分光(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- カーボンナノチューブ量子ドットのテラヘルツ光応答(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 異種基板上へのカーボンナノチューブ量子ドットの作製と評価
- 14pYB-8 単層カーボンナノチューブ量子ドットの励起スペクトル(量子ドット・量子閉じ込め : 実験, 領域 4)
- 30aYA-12 単層カーボンナノチューブ量子ドットにおけるShell Fillingとゼーマン分裂の観測(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
- カーボンナノチューブ量子ドットにおける単一電子スピンの発生 : スピンの量子操作を目指して(量子効果デバイス及び関連技術)
- カーボンナノチューブ量子ドットにおける単一電子スピンの発生 : スピンの量子操作を目指して(量子効果デバイス及び関連技術)
- 4a-A2-15 遠赤外磁気プラズマ反射によるPb_Sn_xTe:Inのバンド端構造
- 28p-G-11 Pb_Sn_xTe/Inの光励起緩和とダブルキャプチャーモデル
- 29a-B-8 Pb_Sn_xTe/Inの磁気光反射
- 28a-A-5 PbTe-Pb_Sn_xTe超格子におけるサイクロトロン共鳴の周期依存性
- 3a-F-5 Pb_S_Te/Inの磁気光吸収
- 3p-Q-5 Pb_Sn_xTe/Inの長寿命フォトキャリアのサイクロトロン共鳴
- 3p-A-1 IV-VI族半導体超格子の磁気プラズマ吸収
- 1p-PS-30 Pb_Sn_xTe/Inエピタキシャルフィルムの磁気プラズマ吸収
- 30a-M-9 PbTe-SnTe単結晶フィルムの磁気プラズマ吸収
- 30a-M-8 平均V族結晶フィルムの遠赤外反射
- 31a GE-10 パルス・レーザ照射による非晶質 : 結晶遷移の動的挙動
- 29p-YN-8 Si超微結晶薄膜の磁気光学効果II
- 3a-G-17 Si超微結晶薄膜の磁気光学効果
- 30p-A-3 微小超伝導リングの磁束量子化II
- 28p-YG-7 微小超伝導リングの磁束量子化
- 28p-YG-6 微小超伝導ディスクへの渦糸侵入
- 31p-X-5 超伝導SETアイランドにおけるフラクソイドの振舞い
- 7p-N-3 コルゲーションゲート型量子細線における電子散乱機構
- 7p-N-3 コルゲーションゲート型量子細線における電子散乱機構
- 28p-ZH-1 GaAs二次元励起子のスピン緩和
- 1a-E-6 量子ドットの位相緩和時間と逃避時間
- 5a-F-12 GaAs広い量子井戸における励起子発光の偏光
- 1D112 光偏光記憶膜を用いた液晶配向制御
- 半導体量子ドットの磁気光学効果 : InP量子ドットの場合
- 28a-L-4 スプリットゲート細線における電気伝導の長さ依存性II
- 13p-DF-1 スプリットゲート細線における電気伝導の長さ依存性
- 13a-K-4 量子細線における局在効果
- 13a-K-4 量子細線における局在効果
- 5p-N-8 中間電極が超伝導リングからなるSETトランジスタの電気伝導II
- 4a-M-5 フタロシアニンのレーザー励起光電導
- 30p-E-3 フタロシアニンの光伝導と電気伝導
- ホログラフィックグレ-ティングの溝の形の制御-2-イオンエッチングによる方法
- 光ICにおける技術的問題点
- 8p-C-19 フタロシアニンの光電導と電気伝導
- 3p-K-9 フタロシアニンの電気伝導
- 1a-TE-4 フタロシアニンの電気伝導とESR
- 15a-C-6 フタロシアニンの電気伝導
- フタロシアニンの電気伝導と光伝導 : 分子結晶・有機半導体
- フタロシアニンの電気伝導 : 分子結晶・有機半導体
- バリスティックな量子ドットにおける伝導率ゆらぎの磁場・温度依存性
- 超伝導2重微小トンネル接合における電気伝導
- 28p-G-9 GaAs-InGaAs歪超格子の励起子束縛エネルギー(28pG 半導体(量子ホール効果,超格子))
- 1a-E-6 量子ドットの位相緩和時間と逃避時間(1aE 半導体,低温合同(量子細線,メゾスコピック),低温)
- 3a-YH-8 中間電極にリングのある超伝導2重微小トンネル接合における磁気抵抗振動(3aYH 低温(微小トンネル接合),低温)
- 28p-G-7 GaAs/AlGaAs系量子井戸の磁場効果(28pG 半導体(量子ホール効果,超格子))