青柳 克信 | 理研国際フロンティア

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概要

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関連著者

• 青柳 克信

  理研国際フロンティア

• 石橋 幸治

  理研国際フロンティア

• 落合 勇一

  千葉大工

• バード J.P.

  筑波大物質工

• 菅野 卓雄

  理研国際フロンティア

• 菅野 卓雄

  千葉大工

• 山本 和貫

  千葉大工

• 菅野 卓雄

  東洋大学工学部

• フェリー D.

  Zrizona州立大ナノ研

• 佐々木 信之

  千葉大工

• 大久保 義男

  千葉大工

• 石橋 幸治

  理研

• 川辺 光央

  筑波大物質工

• 山本 和貫

  (財)生研

• 大西 泰造

  筑波大物質工

• バード J.P.

  理研国際フロンティア

• ウィジャヤ A.W.

  千葉大工

• バード J.P

  理研国際フロンティア

• 菅野 卓雄

  東洋大工

• フェリー D.K.

  アリゾナ州立大

• 難波 進

  長崎総合科学大

• 川辺 光央

  筑波大学 物理工学系

• 難波 進

  理研国際フロンティア

• 長岡 洋介

  京大基研

• Bird J.P.

  理研国際フロンティア

• 丹慶 勝市

  松阪大物理

• フェリー D.K

  アリゾナ州立大

• 川辺 光央

  筑波大学物理工学系

• フェリー D.K.

  アリゾナ州大

• 落合 勇一

  筑波大物質工

• エイキス R.

  千葉大工

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  理研

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  筑波大物質工

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  アリゾナ州立大学

• 山本 和貴

  千葉大工

• エイキス R.

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• バード J.

  理研国際フロンティア

• 阿部 哲史

  筑波大物質工

• 野々山 信二

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• Ferry D.K.

  アリゾナ州立大

• 蒲生 健次

  阪大基礎工

• 難波 進

  阪大基礎工

• バード J.R

  理研国際フロンティア

• Widjaja A.W.

  千葉大工

• ウィジャヤ A.W

  千葉大工

• J.P バード

  理研国際フロンティア

• D.K フェリ

  アリゾナ州立大学

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• 山本 和貴

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• 野々山 信二

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• 丹慶 勝市

  松坂大物理

• 河辺 光央

  筑波大物質工

• ウィジャヤ A.

  千葉大工

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  千葉大工

• 草野 淳一

  理研国際フロンティア研究システム

• 瀬川 勇三郎

  理研国際フロンティア研究システム

• 三原 勝

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• 青柳 克信

  理研国際フロンティア研究システム

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著作論文

• 29p-ZK-4 Quantum Interference Effects in High Mobility Semiconductor Devices at Low Temperatures
• 28a-C-7 スプリットゲート細線におけるキャリア-散乱
• GaAs/AlGaAs細線におけるSdH振動の振幅解析
• 7a-N-1 量子ドットにおけるコンダクタンスの非周期ゆらぎ
• 7a-N-1 量子ドットにおけるコンダクタンスの非周期ゆらぎ
• 29a-R-8 量子細線の磁気抵抗 : 凹凸構造における電子散乱機構
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• 矩形型ゲートをもつ量子細線の磁気抵抗(II)
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• 1a-E-11 量子ドット列の負の磁気抵抗
• 31a-YA-4 矩形型ゲートをもつ量子細線の磁気抵抗
• 電子導波路に於ける電荷分布の数値計算
• 28p-L-11 量子細線におけるU.C.Fの伝導幅、及び長さ依存性
• 28p-L-10 量子細線における相関磁場の幅、磁場依存性
• 壁面構造のあるスプリッドゲート型量子細線の電気伝導
• 27a-X-7 壁面構造のあるスプリットゲート型量子細線の電気伝導
• 31a-N-2 量子細線の伝導度ゆらぎにおける普遍性のやぶれ
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• 28p-L-11 量子細線におけるU.C.F.の伝導幅、及び長さ依存性
• 28p-L-10 量子細線における相関磁場の幅、磁場依存性
• 31a-N-1 スプリットゲート型量子細線の線幅決定
• 31a-N-1 スプリットゲート型量子細線の線幅決定
• 1p-M-7 GaAs/AlGaAsスプリットゲート細線における伝導度ゆらぎII
• 30p-N-4 GaAs/AlGaAs量子細線における相関磁場
• 27p-P-8 GaAs/AlGaAsスプリットゲート細線における伝導度ゆらぎ
• 5a-J-13 伝導度ゆらぎから推定される量子細線の散乱機構
• 31a-K-1 GaAs薄膜内励起子ポラリトンの量子化II(31aK イオン結晶・光物性(励起子,ポラリトン))
• 31a-YA-4 矩形型ゲートをもつ量子細線の磁気抵抗(31aYA 半導体,低温合同(量子細線,メゾスコピック,バリスティック伝導),低温)
• 1a-E-11 量子ドット列の負の磁気抵抗(1aE 半導体,低温合同(量子細線,メゾスコピック),低温)

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