石橋 幸治 | 阪大基礎工
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概要
関連著者
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石橋 幸治
阪大基礎工
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蒲生 健次
阪大基礎工
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難波 進
阪大基礎工
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邑瀬 和生
阪大理
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石田 修一
阪大理
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川辺 光央
筑波大物質工
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青柳 克信
理研
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長崎総合科学大
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高垣 雪彦
阪大基礎工
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阪大
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阪大基礎工
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筑波大物質工
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筑波大物質工
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三菱lsi研
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阪大基礎工
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東京理科大山口短大
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大阪大学基礎工学部
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東理大山口短大
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阪大・理
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阪大基礎工
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阪大基礎工:阪大理
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西田 昌生
阪大基礎工
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永田 公
理研
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薮内 雅敏
阪大基礎工
著作論文
- 6a-B1-7 GaAs細線の低温電気伝導のゆらぎ(II)
- 28a-Q-7 選択ドープGaAs-AlGaAs細線の電気伝導
- 30a-RB-6 高濃度にイオン注入したSi:Sb薄膜および細線の電気伝導
- 30a-RB-5 PtSi極微細線の電気伝導
- 29a-A-4 極微GaAs細線の電気伝導
- 29a-A-2 半導体及び金属極微細線の電気伝導
- 1a-E-5 金属型GaAs薄膜のアンダーソン局在
- 極微構造における電子波の干渉効果
- 1a-E-4 Al細線の電気伝導
- 2p-L-7 高濃度域Si:Sb薄膜の電気伝導
- 2p-L1-5 選択ドープGaAs-AIGaAs細線の電気伝導II(半導体,(表面・界面・超格子))
- 30a-LB-10 n^+-GaAs細線における伝導度のゆらぎの試料サイズ依存性(低温)
- 2p-D4-5 半導体リングにおけるAB効果(主題:電気伝導における量子干渉効果,低温・半導体合同シンポジウム)
- 2p-D4-5 半導体リングにおけるAB効果(電気伝導における量子干渉効果,低温・半導体合同シンポジウム)
- 1p-L4-13 GaAs細線の低温電気伝導のゆらぎ(低温(薄膜・細線の電気伝導))
- 30a-CQ-11 極微構造金属細線の電気伝導(低温)
- 31a-B1-3 高濃度にイオン注入したSiの2次元弱局在(31a B1 低温)
- 30a-LB-9 PtSi細線の側面磁気散乱効果(低温)