2p-YJ-4 Cu_2O光学特性とサイクロトロン共鳴に及ぼす熱処理効果II
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
12aYB-1 半導体光伝導の共鳴ピークに対する不純物効果(低対称系・格子欠陥, 領域 4)
-
23aTH-9 CdTe 及び Ge の磁気光伝導に現れる不純物補償の効果
-
29aZK-11 補償された Ge の遠赤外共鳴 Faraday 回転
-
17pYJ-8 化合物半導体における遠赤外共鳴Faraclay効果
-
30aTB-9 光励起キャリアとの散乱に起因した高純度n型GaAs中の不純物サイクロトロン共鳴吸収の衝突広がり
-
30aTB-8 n-GaAsの磁場誘起・金属-絶縁体転移と遠赤外・磁気光伝導
-
27pTC-15 Ga As/Al Ga As 2次元電子系の磁気超音波吸収
-
27aTC-3 透明導電性酸化物半導体薄膜の電気輸送特性
-
27aTC-2 GaAs基板上のInSb薄膜における電気伝導
-
27aTC-1 デルタドープされたSi:Sbにおける反局在効果
-
22pL-11 金属型Si:Sbの電気伝導と弱局在
-
22pL-10 金属-非金属転移近傍にあるn-GaAsの遠赤外磁気光伝導 II
-
22aL-5 n-InPの遠赤外領域におけるドナーに関連した磁気光吸収振動
-
半導体における遠赤外光誘起-共鳴光電磁効果
-
26aC-3 Geにおける共鳴光電磁効果の物理的性質
-
25aD-12 金属-絶縁体転移近傍におけるSi:Sbの磁気抵抗II
-
25aD-10 金属-非金属転移近傍にあるn-GaAsの遠赤外磁気光伝導
-
31p-ZB-6 金属-絶縁体転移近傍におけるSi:Sbの磁気抵抗
-
31a-ZF-9 金属-非金属転移近傍にあるn-GaAsの遠赤外磁気光吸収
-
31a-ZF-8 共鳴光電磁効果によるn-InGaAs薄膜の熱起電力II
-
29p-ZE-8 ZnO中の遷移金属による発光
-
28a-YK-7 ZnOのマイクロ波吸収とフォトルミネッセンス
-
26a-YE-5 n-GaAs中の量子極限における電子 : 不純物散乱II
-
26a-YE-4 共鳴光電磁効果によるn-InGaAs薄膜の熱起電力
-
25a-YG-11 Si:SbのVariable-Range-Hopping伝導に対する磁気抵抗効果
-
25a-T-12 n-GaAsの磁場中でのドナー間相互作用と束縛エネルギー
-
31a-Q-1 金属・非金属転移近傍のSi:Sbにおける輸送特性と局在効果
-
2a-YJ-5 半導体における強磁場中の電子-中性不純物散乱III
-
2a-YJ-4 n-GaAs中の量子極限における電子・不純物散乱
-
2a-YJ-3 化合物半導体における遠赤外光誘起-共鳴光電磁効果II
-
31a-Q-1 金属-非金属転移近傍のSi:Sbにおける輸送特性と局在効果
-
n-Si : Sbにおける金属-非金属転移の研究(第42回 物性若手夏の学校(1997年度))
-
5p-A-13 n-InPのポーラロン・サイクロトロン共鳴
-
5p-A-8 化合物半導体における遠赤外光誘起-共鳴電磁効果
-
5p-A-2 高濃度n-Si : Sbの輸送特性.II
-
27pTB-14 縦型二重ドットにおけるドット間結合への光励起効果
-
31p-ZB-6 金属-絶縁体転移近傍におけるSi:Sbの磁気抵抗
-
25a-YG-11 Si:SbのVariable-Range-Hopping伝導に対する磁気抵抗効果
-
Cu_2Oの光学的特性とサイクロトロン共鳴.II : サイクロトロン共鳴の温度依存性
-
Cu_2Oの光学的特性とサイクロトロン共鳴.I : PLおよび励起子吸収とサイクロトロン共鳴の関係
-
高励起超短時間物性の現状と将来 : ピコ秒パルスレーザーの物性研究への応用(1975年度物性若手「夏の学校」開催後記)
-
29pYF-2 InGaAs/InAlAsヘテロ接合試料のマイクロ波応答(半導体スピン物性)(領域4)
-
20pTL-2 InGaAs/InAlAs ヘテロ接合試料のマイクロ波吸収測定
-
29aPS-124 量子リングの高周波応答
-
28aZK-7 InGaAs/InAlAs ヘテロ接合試料におけるゼロ磁場スピン分離の光によるコントロール
-
29aPS-124 量子リングの高周波応答
-
19aYJ-1 変調ドープGaAs/AlGaAs量子井戸のフォトルミネッセンス
-
28pTB-4 変調ドープGaAs/AlGaAs量子井戸の磁気ルミネッセンス
-
29PYA-8 ZnO薄膜中の励起子の発光
-
17aYG-6 酸化インジウム薄膜の磁気抵抗に現れる弱局在, 弱反局在効果
-
22pK-4 II-VI族化合物半導体中におけるMnの発光の母体依存性II
-
24pC-10 II-VI族化合物半導体中におけるMnの発光の母体依存性
-
29a-ZE-4 II-VI族化合物半導体中のMn発光の母体依存性
-
28pYF-10 GaAs/AlGaAsおよびInGaAs/InAlAsヘテロ接合におけるフォトルミネッセンス(量子井戸・超格子)(領域4)
-
20pTH-14 GaAs/AlGaAs および InGaAs/InAlAs ヘテロ接合におけるフォトルミネッセンス
-
27aYS-3 In_xGa_As/In_yAl_Asヘテロ接合中の電子の遠赤外磁気光吸収
-
21aYC-6 微小重力下で成長させた Ge のサイクロトロン共鳴と X 線解析
-
3a-M-2 GaAs中のドナー・ゼーマン吸収と非金属-金属転移
-
31p-S-1 化合物半導体における遠赤外光電磁効果II
-
化合物半導体における遠赤外光電磁効果
-
30p-ZB-4 化合物半導体における光検知サイクロトロン共鳴
-
30p-ZB-4 化合物半導体における光検知サイクロトロン共鳴
-
半導体における電子正孔液体(1975年度物性若手「夏の学校」開催後記)
-
27aXP-7 人工オパールの光散乱と反射(領域5, 領域1合同フォトニック結晶,領域5(光物性))
-
27pXP-7 人工オパールの光散乱と反射(領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
-
31p-S-5 高濃度n-Si:Sbの輸送特性
-
25aK-12 光による縦型二重ドットの閉じ込めポテンシャル変調
-
31a-ZF-10 GaAs/AlGaAsダブルヘテロ接合における遠赤外光検知サイクロトロン共鳴
-
26a-YE-6 GaAs/AlGaAsヘテロ接合中の2次元電子系におけるODCRII
-
2a-YJ-2 GaAs/AlGaAsヘテロ接合中の低次元電子系におけるODCR
-
26aD-3 GaAs/AlGaAs二重ヘテロ接合上のドット配列の遠赤外磁気光吸収II
-
30p-ZB-3 GaAs/AlGaAs二重ヘテロ接合上のドット配列の遠赤外磁気光吸収
-
25p-YG-2 光励起下でのドット配列のポテンシャル変調
-
25p-YG-2 光励起下でのドット配列のポテンシャル変調
-
31a-Q-12 量子ドット配列の電子系の遠赤外磁気光吸収II
-
31a-Q-12 量子ドット配列中の電子系の遠赤外磁気光吸収II
-
7a-N-8 量子ドット配列中の電子系の遠赤外磁気光吸収
-
5p-A-1 半導体における強磁場中の電子-中世不純物散乱II
-
31a-S-7 MOCVD成長法によるInPに関する輸送現象
-
半導体における強磁場中の電子-中性不純物散乱
-
30p-X-1 InPにおける遠赤外磁気光吸収 II
-
28a-ZF-10 ZnSe中の不純物による遠赤外光吸収
-
30p-ZB-3 GaAs/AlGaAs二重ヘテロ接合上のドット配列の遠赤外磁気光吸収
-
24aY-10 ZnSe中のLiアクセプタによる赤外吸収
-
24pL-5 GaAs中の2層2次元電子系の磁気ルミネッセンス
-
2a-YJ-6 イオン化不純物に基づく不純物吸収線の不均一拡がりII
-
5p-A-3 イオン化不純物に基づく不純物共鳴線の不均一拡がり
-
31a-E-5 光励起半絶縁性GaAs中の浅いドナーのダイナミックスIII
-
30p-ZE-12 GaAs/AlGaAs-2次元電子系におけるマイクロ波ファラデー回転
-
25aC-3 ZnSe中のLiアクセプタによる赤外吸収
-
28a-YK-8 FT-IRによるZnSe中の不純物準位の研究
-
2p-YJ-4 Cu_2O光学特性とサイクロトロン共鳴に及ぼす熱処理効果II
-
5p-A-10 Cu_2Oの光学特性とサイクロトロン共鳴III
-
31p-S-7 Cu_2Oの光学特性とサイクロトロン共鳴にに及ぼす熱処理効果
-
6pSB-4 InSbの共鳴Faraday効果(輸送現象,励起子,アモルファス,領域4)
-
6pSL-2 Ge:Teの赤外発光と赤外光伝導(不純物・格子欠陥,領域10,領域4合同,領域10)
-
6pSB-8 n-GaAsにおける束縛励起子(D^+,X)のパルス電場下インパクト形成III(輸送現象,励起子,アモルファス,領域4)
-
24pSA-6 ZnSe中Liアクセプタの赤外吸収と発光(24pSA 化合物半導体,層状・低次元物質,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
-
24aWE-10 化合物半導体における遠赤外共鳴Faraday効果II(24aWE 領域4,領域5合同 超格子,輸送・サイクロトロン共鳴,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク