C-2-76 900MHz帯パワーアンプ向けオンチップトランスの特性比較(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-03-04
著者
-
川上 剛史
三菱電機株式会社
-
山川 聡
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
-
古川 彰彦
三菱電機株式会社 先端技術総合研究所
-
古川 彰彦
三菱電機株式会社
-
山川 聡
三菱電機株式会社
-
飯田 哲也
株式会社ルネサステクノロジ
関連論文
- MOS型集積回路とパワーデバイスにおけるシリコン結晶欠陥の影響(半導体材料・デバイス)
- C-12-64 パルス入力を伴うCMOSコンパレータの電圧比較精度の劣化現象(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-68 電荷蓄積型増幅器を用いた低消費電流CMOSコンパレータのノイズ耐性(C-12. 集積回路C(増幅回路),一般セッション)
- C-12-35 電荷蓄積型増幅回路を用いた低消費電流CMOSコンパレータ回路の検討(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- C-2-21 0.13μm CMOS低電圧動作ギルバートセルミクサの歪み特性(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- 高周波CMOSデバイスモデリング技術 (特集 光・高周波デバイス)
- 5GHz帯整合回路一体形CMOS MMICフロントエンド
- C-2-8 5GHz 帯整合回路一体形 CMOS MMIC フロントエンド
- C-2-6 挿入損失 0.8dB、耐電力 17.4dBm、5GHz 帯送受信切替 CMOS スイッチ
- 耐電力21.5dBm・5GHz送受信切替CMOSスイッチ(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- C-2-27 5GHz 帯整合回路一体形カスコード CMOS 高出力増幅器
- C-2-25 5.2GHz 帯整合回路一体形 CMOS 低雑音増幅器
- CMOSプロセスによる高周波デバイス技術 (特集 IT社会に貢献する半導体)
- C-2-19 シリコン MOS 型素子の高周波用等価回路モデルの検討
- C-2-76 900MHz帯パワーアンプ向けオンチップトランスの特性比較(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- C-2-25 Depletion-layer-Extended Transistor(DET)適用40.8dBm IIP_3, 5GHz送受信切替CMOSスイッチ(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- 耐電力21.5dBm・5GHz送受信切替CMOSスイッチ(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- C-2-33 CMOSプロセスによるスパイラルインダクタの特性
- C-10-1 1.8V 動作 1.2/2.4GHzCMOS 周波数逓倍器の検討
- 2.4GHz帯1.8V動作のCMOS RFフロントエンドICの試作
- C-10-18 0.18μmメッシュアレイMOSFETの高周波特性に関する検討
- 2.4GHz帯Si-CMOS MMICフロントエンド (「VLSI一般」)
- C-10-7 2.4GHz/5.2GHz帯Si-CMOS MMIC低雑音増幅器
- C-10-11 2.4GHz帯 Si-CMOSフロントエンドMMICの試作
- SC-7-6 単一電源動作Si-CMOS相補形プッシュプル増幅器
- C-10-7 5GHz帯CMOSフロントエンドMMIC