C-12-64 パルス入力を伴うCMOSコンパレータの電圧比較精度の劣化現象(C-12.集積回路,一般セッション)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2009-03-04

著者

• 冨澤 淳

  三菱電機株式会社先端技術総合研究所

• 西川 和康

  三菱電機株式会社先端技術総合研究所

• 山川 聡

  三菱電機株式会社先端技術総合研究所

• 山川 聡

  三菱電機株式会社

関連論文

• MOS型集積回路とパワーデバイスにおけるシリコン結晶欠陥の影響(半導体材料・デバイス)
• C-12-64 パルス入力を伴うCMOSコンパレータの電圧比較精度の劣化現象(C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-68 電荷蓄積型増幅器を用いた低消費電流CMOSコンパレータのノイズ耐性(C-12. 集積回路C(増幅回路),一般セッション)
• C-12-35 電荷蓄積型増幅回路を用いた低消費電流CMOSコンパレータ回路の検討(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
• C-2-21 0.13μm CMOS低電圧動作ギルバートセルミクサの歪み特性(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
• 高周波CMOSデバイスモデリング技術 (特集 光・高周波デバイス)
• 5GHz帯整合回路一体形CMOS MMICフロントエンド
• C-2-8 5GHz 帯整合回路一体形 CMOS MMIC フロントエンド
• C-2-6 挿入損失 0.8dB、耐電力 17.4dBm、5GHz 帯送受信切替 CMOS スイッチ
• 耐電力21.5dBm・5GHz送受信切替CMOSスイッチ(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• C-2-27 5GHz 帯整合回路一体形カスコード CMOS 高出力増幅器
• C-2-25 5.2GHz 帯整合回路一体形 CMOS 低雑音増幅器
• CMOSプロセスによる高周波デバイス技術 (特集 IT社会に貢献する半導体)
• C-2-19 シリコン MOS 型素子の高周波用等価回路モデルの検討
• C-2-76 900MHz帯パワーアンプ向けオンチップトランスの特性比較(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
• C-2-25 Depletion-layer-Extended Transistor(DET)適用40.8dBm IIP_3, 5GHz送受信切替CMOSスイッチ(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
• 耐電力21.5dBm・5GHz送受信切替CMOSスイッチ(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• C-2-33 CMOSプロセスによるスパイラルインダクタの特性
• ECR放電を用いたCl_2プラズマによるSiエッチング : プラズマ診断とエッチング機構
• ガスパフプラズマを用いたゲート電極エッチング時の薄膜酸化膜へのダメージ評価
• C-12-37 差動インダクタの信号励起モードの比較検討(C-12.集積回路C(アナログ),エレクトロニクス2)
• ECRプラズマによるPoly-Siエッチングにおける反応生成物の診断と形状制御

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク