古川 彰彦 | 三菱電機株式会社
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概要
関連著者
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古川 彰彦
三菱電機株式会社
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山川 聡
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
-
古川 彰彦
三菱電機株式会社 先端技術総合研究所
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山川 聡
三菱電機株式会社
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大中道 崇浩
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
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小野 政好
三菱電機株式会社
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平間 哲也
株式会社ルネサステクノロジアナログ技術統括部
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大森 達夫
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
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山本 和也
三菱電機株式会社
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佐藤 久恭
株式会社ルネサステクノロジ
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小紫 浩史
システムlsi事業化推進センター:三菱電機株式会社
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橋詰 靖之
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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佐藤 久恭
三菱電機システムlsi事業化推進センター
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小紫 浩史
東京理科大
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平間 哲也
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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佐藤 久恭
三菱電機株式会社システムLSI開発研究所
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佐藤 久恭
三菱電機株式会社
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平間 哲也
三菱電機株式会社
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橋詰 靖之
三菱電機株式会社
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村上 隆昭
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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末松 憲治
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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上田 博民
三菱電機株式会社
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新庄 真太郎
三菱電機株式会社
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前田 茂伸
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
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小紫 浩史
三菱電機株式会社システムLSI開発研究所
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西川 和康
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
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末松 憲治
三菱電機株式会社
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村上 隆昭
三菱電機株式会社 先端技術総合研究所
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前田 茂伸
Ulsi開発センター
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鍋野 恭宏
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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古川 彰彦
先端技術総合研究所
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前田 茂伸
三菱電機株式会社 Ulsi技術開発センター
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鍋野 恭宏
三菱電機
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鍋野 恭宏
三菱電機株式会社
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山本 和也
システムLSI事業化推進センター
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大中道 崇浩
三菱電機 先端技術総合研究所
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古川 彰彦
三菱電機 先端技術総合研究所
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山川 聡
三菱電機 先端技術総合研究所
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平間 哲也
システムLSI事業化推進センター
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小野 政好
情報技術総合研究所
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若田 秀幸
株式会社ルネサステクノロジ
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大中道 崇浩
三菱電機 先端技総研
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上田 博民
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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末松 憲治
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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清水 和宏
三菱電機パワーデバイス製作所
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新庄 真太郎
三菱電機(株)
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兵庫 明
東京理科大学
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関根 慶太郎
東京理科大学
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山本 秀和
三菱電機パワーデバイス製作所
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小柴 浩史
三菱電機株式会社システムLSI事業化推進センター
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前田 茂伸
ULSI開発研究所
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大中道 崇浩
三菱電機(株)
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冨澤 淳
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
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川上 剛史
三菱電機株式会社
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三木 隆博
三菱電機株式会社
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大森 達夫
三菱電機(株)先端技術総合研究所プロセス基礎技術部
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加藤 隆幸
三菱電機高周波光素子事業統括部
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新谷 賢治
三菱電機株式会社 先端技術総合研究所
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山川 聡
三菱電機(株)
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須賀原 和之
三菱電機株式会社 先端技術総合研究所
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今泉 昌之
三菱電機先端技術総合研究所
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小野 政好
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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村上 裕二
三菱電機パワーデバイス製作所
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西村 浩明
三菱電機パワーデバイス製作所
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高原 昭治
三菱電機パワーデバイス製作所
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徳田 法史
三菱電機パワーデバイス製作所
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古川 彰彦
三菱電機先端技術総合研究所
-
山川 聡
三菱電機先端技術総合研究所
-
飯田 哲也
株式会社ルネサステクノロジ
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古川 彰彦
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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西川 和康
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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森 剛
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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谷口 英司
情報技術総合研究所
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上田 博民
情報技術総合研究所
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末松 憲治
情報技術総合研究所
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橋詰 靖之
三菱電機 (株) 先端技術総合研究所
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西川 和康
三菱電機 (株) 先端技術総合研究所
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大森 達夫
三菱電機 (株) 先端技術総合研究所
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若田 秀幸
システムLSI事業化推進センター
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佐野 智弘
システムLSI事業化推進センター
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佐藤 久恭
システムLSI事業化推進センター
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若田 秀幸
三菱電機株式会社 システムLSI事業化推進センター
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加藤 直之
三菱電機株式会社 システムLSI事業化推進センター
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加藤 隆幸
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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佐野 智弘
株式会社ルネサステクノロジ
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西川 和康
三菱電機 (株) 半導体基礎研究所
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村上 隆昭
三菱電機(株)
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加藤 隆幸
高周波光素子事業統括部
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宮崎 行雄
高周波光素子事業統括部
-
谷口 英司
三菱電機株式会社
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橋詰 靖之
三菱電機(株)ulsi開発研究所
-
加藤 直之
三菱電機株式会社
-
宮崎 行雄
三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
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加藤 隆幸
三菱電機
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今泉 昌之
三菱電機 先端技総研
著作論文
- MOS型集積回路とパワーデバイスにおけるシリコン結晶欠陥の影響(半導体材料・デバイス)
- C-2-21 0.13μm CMOS低電圧動作ギルバートセルミクサの歪み特性(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- 高周波CMOSデバイスモデリング技術 (特集 光・高周波デバイス)
- 5GHz帯整合回路一体形CMOS MMICフロントエンド
- C-2-8 5GHz 帯整合回路一体形 CMOS MMIC フロントエンド
- C-2-6 挿入損失 0.8dB、耐電力 17.4dBm、5GHz 帯送受信切替 CMOS スイッチ
- C-2-27 5GHz 帯整合回路一体形カスコード CMOS 高出力増幅器
- C-2-25 5.2GHz 帯整合回路一体形 CMOS 低雑音増幅器
- C-2-19 シリコン MOS 型素子の高周波用等価回路モデルの検討
- C-2-76 900MHz帯パワーアンプ向けオンチップトランスの特性比較(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- C-2-25 Depletion-layer-Extended Transistor(DET)適用40.8dBm IIP_3, 5GHz送受信切替CMOSスイッチ(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- C-2-33 CMOSプロセスによるスパイラルインダクタの特性
- C-10-1 1.8V 動作 1.2/2.4GHzCMOS 周波数逓倍器の検討
- 2.4GHz帯1.8V動作のCMOS RFフロントエンドICの試作
- C-10-18 0.18μmメッシュアレイMOSFETの高周波特性に関する検討
- 2.4GHz帯Si-CMOS MMICフロントエンド (「VLSI一般」)
- C-10-7 2.4GHz/5.2GHz帯Si-CMOS MMIC低雑音増幅器
- C-10-11 2.4GHz帯 Si-CMOSフロントエンドMMICの試作
- SC-7-6 単一電源動作Si-CMOS相補形プッシュプル増幅器
- C-10-7 5GHz帯CMOSフロントエンドMMIC