大中道 崇浩 | 三菱電機株式会社先端技術総合研究所

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概要

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関連著者

• 大中道 崇浩

  三菱電機株式会社先端技術総合研究所

• 山川 聡

  三菱電機株式会社先端技術総合研究所

• 山川 聡

  三菱電機株式会社

• 古川 彰彦

  三菱電機株式会社

• 大森 達夫

  三菱電機株式会社先端技術総合研究所

• 古川 彰彦

  三菱電機株式会社 先端技術総合研究所

• 橋詰 靖之

  三菱電機(株)先端技術総合研究所

• 小野 政好

  三菱電機株式会社

• 西川 和康

  三菱電機株式会社先端技術総合研究所

• 村上 隆昭

  三菱電機(株)先端技術総合研究所

• 末松 憲治

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 上田 博民

  三菱電機株式会社

• 新庄 真太郎

  三菱電機株式会社

• 末松 憲治

  三菱電機株式会社

• 橋詰 靖之

  三菱電機株式会社

• 村上 隆昭

  三菱電機株式会社 先端技術総合研究所

• 鍋野 恭宏

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 鍋野 恭宏

  三菱電機

• 鍋野 恭宏

  三菱電機株式会社

• 大中道 崇浩

  三菱電機(株)

• 冨澤 淳

  三菱電機株式会社先端技術総合研究所

• 大中道 崇浩

  三菱電機 先端技術総合研究所

• 古川 彰彦

  三菱電機 先端技術総合研究所

• 山川 聡

  三菱電機 先端技術総合研究所

• 大中道 崇浩

  三菱電機 先端技総研

• 小田 直樹

  日本電気株式会社

• 上田 博民

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 末松 憲治

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 上野 雅史

  三菱電機株式会社 先端技術総合研究所

• 小笹山 泰浩

  三菱電機株式会社 先端技術総合研究所

• 杉野 隆紀

  三菱電機株式会社 先端技術総合研究所

• 太田 泰昭

  三菱電機株式会社 先端技術総合研究所

• 秦 久敏

  三菱電機株式会社 先端技術総合研究所

• 新庄 真太郎

  三菱電機(株)

• 平間 哲也

  株式会社ルネサステクノロジアナログ技術統括部

• 大森 達夫

  三菱電機(株)先端技術総合研究所プロセス基礎技術部

• 新谷 賢治

  三菱電機株式会社 先端技術総合研究所

• 山川 聡

  三菱電機(株)

• 小紫 浩史

  システムlsi事業化推進センター:三菱電機株式会社

• 山本 和也

  システムLSI事業化推進センター

• 須賀原 和之

  三菱電機株式会社 先端技術総合研究所

• 小野 政好

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 古川 彰彦

  三菱電機(株)先端技術総合研究所

• 西川 和康

  三菱電機(株)先端技術総合研究所

• 森 剛

  三菱電機(株)先端技術総合研究所

• 谷口 英司

  情報技術総合研究所

• 上田 博民

  情報技術総合研究所

• 末松 憲治

  情報技術総合研究所

• 橋詰 靖之

  三菱電機 (株) 先端技術総合研究所

• 西川 和康

  三菱電機 (株) 先端技術総合研究所

• 平間 哲也

  システムLSI事業化推進センター

• 大森 達夫

  三菱電機 (株) 先端技術総合研究所

• 西川 和康

  三菱電機 (株) 半導体基礎研究所

• 村上 隆昭

  三菱電機(株)

• 谷口 英司

  三菱電機株式会社

• 橋詰 靖之

  三菱電機(株)ulsi開発研究所

• 小紫 浩史

  東京理科大

• 大野 剛典

  三菱電機株式会社 鎌倉製作所

• 釜 啓輔

  三菱電機株式会社 鎌倉製作所

• 西野 弘師

  (株)富士通研究所 基盤技術研究所

• 西野 弘師

  株式会社富士通研究所

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著作論文

• C-12-35 電荷蓄積型増幅回路を用いた低消費電流CMOSコンパレータ回路の検討(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
• C-2-21 0.13μm CMOS低電圧動作ギルバートセルミクサの歪み特性(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
• 5GHz帯整合回路一体形CMOS MMICフロントエンド
• C-2-8 5GHz 帯整合回路一体形 CMOS MMIC フロントエンド
• C-2-6 挿入損失 0.8dB、耐電力 17.4dBm、5GHz 帯送受信切替 CMOS スイッチ
• 耐電力21.5dBm・5GHz送受信切替CMOSスイッチ(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• C-2-27 5GHz 帯整合回路一体形カスコード CMOS 高出力増幅器
• C-2-25 5.2GHz 帯整合回路一体形 CMOS 低雑音増幅器
• C-2-19 シリコン MOS 型素子の高周波用等価回路モデルの検討
• C-2-25 Depletion-layer-Extended Transistor(DET)適用40.8dBm IIP_3, 5GHz送受信切替CMOSスイッチ(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
• 耐電力21.5dBm・5GHz送受信切替CMOSスイッチ(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• C-2-33 CMOSプロセスによるスパイラルインダクタの特性
• SC-7-6 単一電源動作Si-CMOS相補形プッシュプル増幅器
• TECレス動作を実現するSOIダイオード方式非冷却赤外線FPAの新規読み出し回路アーキテクチャ
• SPIE Infrared Technology and Applications XXXV 報告

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