平間 哲也 | 三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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概要
関連著者
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平間 哲也
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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平間 哲也
三菱電機株式会社
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太田 彰
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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太田 彰
三菱電機株式会社
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東坂 範雄
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所光素子部
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日坂 隆行
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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東坂 範雄
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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日坂 隆行
三菱電機株式会社
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東坂 範雄
三菱電機株式会社
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日坂 隆行
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
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谷野 憲之
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
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谷野 憲之
三菱電機
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谷野 憲之
三菱電機株式会社
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山本 和也
三菱電機株式会社
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佐藤 久恭
三菱電機株式会社システムLSI開発研究所
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佐藤 久恭
株式会社ルネサステクノロジ
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佐藤 久恭
三菱電機株式会社
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平間 哲也
株式会社ルネサステクノロジアナログ技術統括部
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佐藤 久恭
三菱電機システムlsi事業化推進センター
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大村 隆司
三菱電機株式会社 半導体基盤技術統括部
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小紫 浩史
システムlsi事業化推進センター:三菱電機株式会社
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小紫 浩史
東京理科大
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小紫 浩史
三菱電機株式会社システムLSI開発研究所
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井上 晃
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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井上 晃
三菱電機株式会社
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中野 博文
三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
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小野 政好
三菱電機株式会社
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古川 彰彦
三菱電機株式会社
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服部 亮
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
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服部 亮
三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
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服部 亮
高周波光素子統括部
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服部 亮
三菱電機株式会社
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三井 康郎
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
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前田 茂伸
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
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三井 康郎
三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
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古川 彰彦
三菱電機株式会社 先端技術総合研究所
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前田 茂伸
Ulsi開発センター
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矢嶋 孝太郎
三菱電機(株)半導体基盤技術統括部
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三木 隆博
三菱電機株式会社
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矢嶋 孝太郎
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
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若田 秀幸
三菱電機株式会社 システムLSI事業化推進センター
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若田 秀幸
株式会社ルネサステクノロジ
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前田 茂伸
三菱電機株式会社 Ulsi技術開発センター
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矢嶋 孝太郎
三菱電機株式会社
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高木 直
三菱電機株式会社
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高木 直
三菱電機
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大田 彰
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
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島田 征明
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
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古川 彰彦
先端技術総合研究所
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佐野 智弘
三菱電機株式会社 システムLSI事業化推進センター
-
安井 郁夫
三菱電機株式会社 システムLSI事業化推進センター
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三輪 敏嗣
三菱電機株式会社 システムLSI事業化推進センター
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加藤 直之
三菱電機株式会社 システムLSI事業化推進センター
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小野 政好
情報技術総合研究所
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佐野 智弘
株式会社ルネサステクノロジ
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安井 郁夫
株式会社ルネサステクノロジ
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高木 直
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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三井 康郎
三菱電機
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島田 征明
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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加藤 直之
三菱電機株式会社
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島田 征明
三菱電機株式会社
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後藤 清毅
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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中山 正敏
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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中本 隆博
三菱電機株式会社
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北野 俊明
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
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兵庫 明
東京理科大学
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関根 慶太郎
東京理科大学
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小柴 浩史
三菱電機株式会社システムLSI事業化推進センター
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前田 茂伸
ULSI開発研究所
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加藤 隆幸
三菱電機高周波光素子事業統括部
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松田 慎吾
三菱電機株式会社
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片山 秀明
三菱電機株式会社
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尾形 敏一
三菱電機株式会社
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影山 茂己
三菱電機株式会社
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橋詰 靖之
三菱電機株式会社
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橋詰 靖之
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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加藤 隆幸
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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加藤 隆幸
高周波光素子事業統括部
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宮崎 行雄
高周波光素子事業統括部
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中山 正敏
三菱電機株式会社
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片山 秀昭
三菱電機株式会社
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後藤 清毅
三菱電機株式会社
-
北野 俊明
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
-
宮崎 行雄
三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
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加藤 隆幸
三菱電機
-
片山 秀昭
三菱電機
著作論文
- 計測器向け7.0ps分解能GaAsディジタル可変遅延マクロセル
- メッシュ状エアブリッジを用いたディジタル可変遅延マクロセル搭載GaAs 100Kgatesゲートアレイ
- F級および逆F級増幅器の解析 : 効率の利得圧縮、負荷抵抗、オン抵抗依存性
- C-10-2 バイアス点及び利得圧縮量を変えた場合のF級と逆F級の効率比較
- SC-7-1 F級および逆F級増幅器の考察
- C-10-5 HEMTを用いたPDC用0.1cc送信電力増幅器モジュール
- GaAs IC Au配線におけるエレクトロマイグレーション
- GaAsゲートアレイ用デジタル可変遅延マクロセルの開発
- ディジタル可変遅延回路マクロセル搭載可能 GaAs 10KゲートGate Array
- 計測器向け7.0ps分解能GaAsディジタル可変遅延マクロセル
- 計測器向け7.0ps分解能GaAsディジタル可変遅延マクロセル
- メッシュ状エアブリッジを用いたディジタル可変遅延マクロセル搭載GaAs 100Kgatesゲートアレイ
- メッシュ状エアブリッジを用いたディジタル可変遅延マクロセル搭載GaAs 100Kgatesゲートアレイ
- 1.8V動作Bluetooth用RF-CMOSトランシーバ
- A-1-14 低電圧動作可能なチャネル選択フィルタを用いて実現した1.8V動作RFCMOSトランシーバLSI
- 2.4GHz帯1.8V動作のCMOS RFフロントエンドICの試作
- C-10-18 0.18μmメッシュアレイMOSFETの高周波特性に関する検討
- 2.4GHz帯Si-CMOS MMICフロントエンド (「VLSI一般」)
- C-10-7 2.4GHz/5.2GHz帯Si-CMOS MMIC低雑音増幅器
- C-10-11 2.4GHz帯 Si-CMOSフロントエンドMMICの試作
- C-10-2 Si-MOSFETの小信号等価回路パラメータ抽出法に関する検討
- F級および逆F級増幅器の解析 : 効率の利得圧縮、負荷抵抗、オン抵抗依存性
- C-10-7 5GHz帯CMOSフロントエンドMMIC
- F級および逆F級増幅器の解析 : 効率の利得圧縮、負荷抵抗、オン抵抗依存性
- GaAs IC Au配線におけるエレクトロマイグレーション
- GaAs IC Au配線におけるエレクトロマイグレーション