メッシュ状エアブリッジを用いたディジタル可変遅延マクロセル搭載GaAs 100Kgatesゲートアレイ
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概要
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LSIの高速化に伴い, 計測機器をはじめとする種々の分野で分解能10ps程度の可変遅延回路に対する要求が高まっている. 今回, 従来のディジタル可変遅延回路の分解能50psを超える高分解能のディジタル可変遅延マクロセル搭載GaAs100Kゲートアレイを開発した. 遅延分解能向上のため, 1)メッシュ状エアブリッジ, 2)ライジングエッジセレクタ,3)放電コントロール遅延回路の3つの新しい技術を採用することにより, 最小分解能12ps, スパン24.4nsの可変遅延回路を実現した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-06-20
著者
-
東坂 範雄
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所光素子部
-
谷野 憲之
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
-
日坂 隆行
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
中野 博文
三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
-
太田 彰
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
平間 哲也
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
大村 隆司
三菱電機株式会社 半導体基盤技術統括部
-
太田 彰
三菱電機株式会社
-
平間 哲也
三菱電機株式会社
-
東坂 範雄
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
谷野 憲之
三菱電機
-
日坂 隆行
三菱電機株式会社
-
谷野 憲之
三菱電機株式会社
-
東坂 範雄
三菱電機株式会社
-
日坂 隆行
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
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