GaAs高周波デバイスの湿度に起因した劣化(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
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概要
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AlGaAs/InGaAs PHEMTの高温高湿環境下の劣化機構について調べた。高温高湿環境下で劣化したサンプルはImaxの低下とVthの正のシフトを示した。PHEMTの劣化は主に2つの劣化メカニズムが考えられる、(1)絶縁保護膜の剥離に起因したゲート直下のストレス変化によるVthの正のシフト、(2) AlGaAsリセス表面の劣化と、絶縁膜/AlGaAs界面におけるGa、As、及びAlの拡散に起因したAlGaAs電子供給層のキャリア密度の減少によるImax低下である。さらに高温高湿環境下で電界が加わった場合、ゲート-ドレイン間の高電界領域において表面劣化が加速されるため、Imax低下の問題が顕著になる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-11-18
著者
-
吉田 直人
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
日坂 隆行
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
野上 洋一
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
吉田 直人
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
-
日坂 隆行
三菱電機株式会社
-
野上 洋一
三菱電機株式会社
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