携帯端末基地局用100W出力HFET
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概要
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携帯端末基地局向けに高出力、高効率かつ低歪特性を有する100W出力AlGaAs/GaAs HFET(Hetero-structure FET)を開発した。今回開発した素子はチップコストの低減のため, チップサイズの小型化を行った。単位ゲートフィンガー長の長尺化(800μm)により, 25W出力1チップFETとしては最小のサイズ(1.4×2.6mm^2)を実現した。本チップをパッケージ内で4合成し, 100W出力のFETとして最小のパッケージサイズ(17.4×24.9mm^2)と高効率(24%), 低歪特性(IMD3:-35dBc)を実現した。
- 1999-01-22
著者
-
吉田 直人
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
後藤 清毅
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
藤井 憲一
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
-
國井 徹郎
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
-
鈴木 敏
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
-
坂本 進
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
-
藤岡 孝司
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
-
谷野 憲之
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
-
國井 徹郎
三菱電機株式会社
-
鈴木 敏
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
藤岡 孝司
三菱電機株式会社
-
鈴木 敏
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
-
吉田 直人
三菱電機高周波光デバイス製作所
-
吉田 直人
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
吉田 直人
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
-
藤井 憲一
三菱電機株式会社
-
谷野 憲之
三菱電機株式会社
-
後藤 清毅
三菱電機株式会社
-
鈴木 敏
三菱電機株式会社
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