多段増幅器のゲインエクスパンション特性の補償法に関する検討
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概要
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マイクロ波帯高出力増幅器においては、入力電力の増大に伴い、利得が増加するゲインエクスパンション特性が観測されることがある。ここでは, FETの発熱によるチャネル温度の変動に着目して、この現象を説明すると共に、多段増幅器において前段のバイアス条件を最適化することにより、この特性を補償できるシミュレーション結果を得たので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-13
著者
-
森 一富
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
高木 直
三菱電機株式会社
-
藤井 憲一
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
-
森 一富
三菱電機株式会社
-
池田 幸夫
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
池田 幸夫
島田理化工業株式会社
-
藤井 憲一
三菱電機株式会社
-
藤井 憲一
株式会社Wave Technology
-
野澤 卓司
三菱電機株式会社
-
池田 幸夫
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
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