高RF出力PDアレイモジュール(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
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概要
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裏面入射型InGaAs pinフォトダイオード(PD)素子を用いた高RF出力PDアレイモジュールを開発した.このモジュールは,光ファイバからの入射光を4分岐ビームスプリッタで等分配してPD素子に入射し,それぞれのRF出力をウィルキンソン型合成回路で電力合成するものである.試作の結果,周波数5GHzでRF出力29.0dBmを得たこと,良好な3次相互変調歪による出力インターセプトポイント(OIP3)32.6dBmを得たことを報告する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-07-23
著者
-
酒井 清秀
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
平野 嘉仁
三菱電機株式会社
-
永塚 勉
三菱電機株式会社
-
板倉 成孝
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
酒井 清秀
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
森 一富
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
大塚 浩志
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
森 一富
三菱電機株式会社
-
大塚 浩志
三菱電機株式会社
-
板倉 成孝
三菱電機株式会社
-
半野 嘉仁
三菱電機株式会社
-
永塚 勉
三菱電機
-
酒井 清秀
三菱電機株式会社
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