X帯14W高効率内部整合HFET(マイクロ波,超伝導)
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概要
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X帯において出力電力14Wの高効率内部整合HFETを開発したので報告する。高効率を実現するために、入出力の整合回路においては、並列合成する各単位FETへの等分配・合成を実現するレイアウト設計を行った。また、各単位FETの出力負荷インピーダンスがほぼ等しく、最適なインピーダンスを実現することを計算で確認した。その結果、不等分配・合成特性による効率の低下は1%以内、出力負荷最適インピーダンスへのミスマッチによる効率の低下は2%以内となる設計結果が得られた。X帯において内部整合HFETを試作し、効率49.8%、出力電力41.6dBm (14.5W)の高効率な特性を実現することができたので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-04-15
著者
-
井上 晃
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
宮崎 守泰
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
森 一富
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
井上 晃
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
-
森 一富
三菱電機株式会社
-
井上 晃
三菱電機株式会社
-
宮崎 守泰
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
宮崎 守泰
三菱電機株式会社
-
西原 淳
三菱電機株式会社
-
内海 博三
三菱電機株式会社
-
井上 晃
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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