GaAsオンチップに高調波処理回路を一体化した3.5GHz低歪高出力FET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
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概要
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ブロードバンド無線通信基地局に用いる高出力増幅器を低歪化することを目的として、GaAs基板上に高調波処理回路を一体化したマルチフィンガーFETを提案し、本素子を用いてF級動作増幅器を試作した結果について報告する。提案構成の高出力FETは並列に合成された各トランジスタセル単位に、GaAsオンチップに作製された2次高調波処理回路を接続して高調波負荷を高精度に制御し、AB級動作時の歪特性を改善することを特徴とする。提案構成のFETを用いた10W増幅器は、飽和出力から10dBバックオフ出力点でACPR=-51dBc,PAE=19%(3GPP W-CDMA下り信号入力時)の良好な歪、効率特性を示し、本構成を用いない従来の増幅器と比較した結果、10dB以上の歪特性の低減を確認できた。また本チップを2合成して試作した3.5GHz 25W出力F級増幅器は10dBバックオフ出力においてEVM=1.5%,PAE=18%(WiMAX (IEEE 802.16a)下り信号入力時)の極めて良好な歪特性を達成した。
- 2007-01-10
著者
-
井上 晃
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
石川 高英
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
後藤 清毅
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
奥 友希
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
河野 正基
三菱電機株式会社
-
國井 徹郎
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
-
井上 晃
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
-
井上 晃
三菱電機株式会社
-
石川 高英
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所開発部
-
石川 高英
三菱電機株式会社
-
國井 徹郎
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
-
国井 徹郎
三菱電機株式会社
-
國井 徹郎
三菱電機株式会社
-
石川 高英
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
-
大植 利和
株式会社 Wave Technology
-
大植 利和
株式会社Wave Technology
-
後藤 清毅
三菱電機株式会社
-
河野 正基
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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