ステップドープチャネルFETの大信号特性解析
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概要
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高効率・高出力FETの開発にあたっては、活性層やリセス形状等のデバイス構造の最速設計が必須となる。付加電力効率や出力電力等の大信号特性の高精度解析には多数のモデルパラメータを用いたハーモニックバランス法等の手法が従来一般的であったが、デバイス構造設計への適用に対しては、デバイス構造に応じてモデルの改変や実験によるパラメータ抽出を実施しなければならず、実用上困難であった。今回、従来とは逆にモデルパラメータを絞り込むことによりデバイス構造設計に有効簡易モデルを考案し、ステップドープ構造FETの大信号特性解析に適用したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-26
著者
-
井上 晃
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
後藤 清毅
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
三井 康郎
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
井上 晃
三菱電機株式会社
-
石原 理
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
三井 康郎
三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
-
三井 茂
三菱電気
-
中島 康晴
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
中島 康晴
三菱電機株式会社
-
石原 理
三菱電機株式会社
-
三井 茂
三菱電機株式会社
-
三井 茂
三菱電機中研
-
河野 康孝
三菱電機株式会社光マイクロ波デバイス研究所
-
河野 康孝
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
後藤 清毅
三菱電機株式会社
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