F級及び逆F級高周波増幅器の効率に関する研究(マイクロ波,ミリ波)
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概要
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F級及び逆F級増幅器の効率について理論実験の両面から解析した.GaAspHEMTとInGaP HBTを用いて実験し,バイアス電流が大きい場合にはF級の効率が逆F級より高くなる現象がデバイスによらず生じることを見出した.バイアス依存性から,本現象は波形のクリッピングと関連あることを示すとともに,関数の制限から動作級による効率の差異が生じていることを明らかにした.併せてトランジスタのオン抵抗R_<on>の両動作級効率への影響についても考察した.本解析結果は高周波増幅器の高効率設計に寄与する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-11-01
著者
-
井上 晃
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
石川 高英
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
後藤 清毅
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
井上 晃
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
-
井上 晃
三菱電機株式会社
-
太田 彰
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
石川 高英
三菱電機株式会社
-
太田 彰
三菱電機株式会社
-
松田 吉雄
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
-
松田 吉雄
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
松田 吉雄
三菱電機株式会社 システムlsi事業化推進センター
-
後藤 清毅
三菱電機株式会社
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