C-10-1 ナイキスト判別法を用いたマルチセル合成FETの安定性解析
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-08-20
著者
-
井上 晃
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
佐々木 善伸
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
後藤 清毅
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
藤井 憲一
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
-
國井 徹郎
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
-
井上 晃
三菱電機株式会社
-
國井 徹郎
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
-
国井 徹郎
三菱電機株式会社
-
國井 徹郎
三菱電機株式会社
-
服部 亮
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
-
服部 亮
三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
-
細川 義弘
三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
-
服部 亮
高周波光素子統括部
-
藤井 憲一
三菱電機株式会社
-
佐々木 善伸
三菱電機株式会社
-
佐々木 善伸
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
-
後藤 清毅
三菱電機株式会社
-
服部 亮
三菱電機株式会社
-
細川 義弘
三菱電機株式会社
関連論文
- インバータ結合型直列共振回路からなる通過帯域幅が一定のマイクロ波可変帯域通過フィルタ(マイクロ波シミュレータ,マイクロ波シミュレータ/一般)
- 2周波ウィルキンソン分配器を用いた反射波吸収型帯域阻止フィルタ : 回路合成理論に基づくウィルキンソン分配器設計ツールの開発事例(MSTセッション)
- 負帰還回路を用いた経路切替形利得切替増幅器(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- 2周波ウィルキンソン分配器を用いた反射波吸収型帯域阻止フィルタ : 回路合成理論に基づくウィルキンソン分配器設計ツールの開発事例
- C-2-36 ウィルキンソン分配器を用いて不要結合を抑圧した高方向性カップラの広帯域化および方向性改善(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- C-2-46 2周波ウィルキンソン分配器を用いた反射波吸収型高調波抑圧フィルタ(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- C-2-55 ウィルキンソン分配器を用いて不要結合を抑圧した高方向性カップラ(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- Ku, K帯WSi/Au T型埋込ゲート高出力HEMT
- HEMTを用いたPDC用高出力増幅器モジュール
- C-2-102 高速移動体通信システム用ミリ波モジュール(C-2.マイクロ波C(マイクロ波・ミリ波応用装置),一般セッション)
- C-2-33 次世代移動体通信基地局用3-way 200W LDMOSドハティ増幅器(C-2. マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- マイクロ波時間波形測定によるAlGaAsHBTの最大動作領域解析
- F級および逆F級増幅器の解析 : 効率の利得圧縮、負荷抵抗、オン抵抗依存性
- ウィルキンソン分配器を用いて不要結合を抑圧した高方向性カップラ
- ウィルキンソン分配器を用いて不要結合を抑圧した高方向性カップラ(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- C-10-12 マイクロ波時間波形測定によるHBTの最大動作領域解析
- C-10-8 マイクロ波時間波形測定システム
- GSM用3.2V動作AlGaAs/GaAs HBT-MMIC電力増幅器
- GSM/EDGEデユアルモード,900/1800/1900MHz帯HBT-MMIC電力増幅器モジュール
- GSM/EDGEデュアルモード,900/1800/1900MHz帯HBT-MMIC電力増幅器モジュール
- C-10-2 バイアス点及び利得圧縮量を変えた場合のF級と逆F級の効率比較
- C-10-1 ナイキスト判別法を用いたマルチセル合成FETの安定性解析
- C-2-20 逆F級増幅器における動作点と高調波位相の関係に関する考察
- C-10-19 低インピーダンス整合技術を用いた高効率電力増幅器
- C-10-16 マルチフィンガーHBTの熱均一動作のためのバラスト抵抗設計
- C-2-21 F級および逆F級高効率増幅器における入力高調波負荷の影響
- SC-7-1 F級および逆F級増幅器の考察
- 負帰還回路を用いた経路切替形利得切替増幅器
- C-10-5 HEMTを用いたPDC用0.1cc送信電力増幅器モジュール
- C-2-36 F級及び逆F級HBT電力増幅器におけるIM3解析(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
- F級及び逆F級高周波増幅器の効率に関する研究(マイクロ波,ミリ波)
- C-10-4 HBT を用いた携帯電話用高効率増幅器における入力高調波整合の効果
- C-2-100 右手/左手系並列線路の反共振現象とそのフィルタ応用(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- C-2-21 帯域通過/遮断切替回路を有する増幅器における帯域切替効果の検討(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- CI-1-7 ミリ波ブロードバンド通信用チップセット(依頼シンポジウム,CI-1.高速ミリ波無線通信用デバイス・IC技術の現状と展望,ソサイエティ企画)
- C-2-33 GaN HEMTの半物理的な非線形モデルの提案(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-22 対向インラインスタブを用いた高調波処理による内部整合FETの高効率化(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-2 固有伝送モードを用いた大信号発振解析法(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 2周波ウィルキンソン分配器を用いた反射波吸収型帯域阻止フィルタ : 回路合成理論に基づくウィルキンソン分配器設計ツールの開発事例(MSTセッション)
- CI-1-8 ミリ波高速移動体通信用チップセット(依頼シンポジウム,CI-1.高速ミリ波無線通信用デバイス・IC技術の現状と展望,ソサイエティ企画)
- C-10-4 GaN HEMTにおけるGaNバッファ層中トラップの解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-2-38 動的負荷線測定に基づいたGaN HEMT大信号モデル(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-37 C-Ku帯GaN HEMT 3倍帯域高効率高出力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-3 固有伝送モードを用いた発振解析法の提案(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-27 出力容量を考慮した設計による広帯域高効率増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-29 10%の比帯域を有するC帯内部整合GaN HEMT増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- Ku, K帯WSi/Au T型埋込ゲート高出力HEMT
- Ku, K帯WSi/Au T型埋込ゲート高出力HEMT
- マイクロ波時間波形測定によるAlGaAsHBTの最大動作領域解析
- マイクロ波時間波形測定によるAlGaAsHBTの最大動作領域解析
- F級および逆F級増幅器の解析 : 効率の利得圧縮、負荷抵抗、オン抵抗依存性
- X帯14W高効率内部整合HFET(マイクロ波,超伝導)
- X帯14W高効率内部整合HFET(マイクロ波,超伝導)
- C-2-40 X帯14W高効率内部整合HFET(C-2. マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- ミリ波帯高出力・高耐圧pHEMT : 非線形ドレイン抵抗低減による出力・耐圧の両立(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
- Cat-CVD法による表面パッシベーション膜を用いた高信頼度GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- Cat-CVD法による表面パッシベーション膜を用いた高信頼度GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- C-2-27 X帯60W高効率GaN内部整合FET(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 薄膜抵抗からなるポスト壁導波路無反射終端器(マイクロ波,EMC,一般)
- 薄膜抵抗からなるポスト壁導波路無反射終端器(マイクロ波,EMC,一般)
- CS-4-1 反射波注入法を用いた周波数可変増幅器の広帯域化(CS-4.無線回路の広帯域・マルチバンド化技術の最新動向,シンポジウムセッション)
- C-2-23 半物理的な非線形モデルの高周波特性計算(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-21 X帯55W内部整合GaN-FET : BPF設計思想に基づく広帯域インピーダンス整合回路(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-36 ダイオード検波形歪み補償バイアス回路を用いた低歪み電力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-23 超広帯域高効率MMIC増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-29 抵抗装荷型安定化回路によるC帯GaN HEMT高出力増幅器の利得平坦化検討(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-37 FET近傍に2倍波反射オープンスタブを有するC帯GaN HEMT高出力増幅器(C-2. マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- GSM用3.2V動作AlGaAs/GaAs HBT-MMIC電力増幅器
- GSM用3.2V動作AlGaAs/GaAs HBT-MMIC電力増幅器
- C-2-28 オープン/ショート切替スタブを有する帯域切替形広帯域低雑音増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-25 負帰還回路を用いた経踏切替形利得切替増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-30 直列線路装荷ショートスタブ形出力整合回路を用いたX帯広帯域MMIC増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- F級および逆F級増幅器の解析 : 効率の利得圧縮、負荷抵抗、オン抵抗依存性
- 低インピーダンスプローブによるオンウエハ大電力特性評価
- 1.75GHz高出力MOSFETの高効率化
- C-2-25 中間段高インピーダンス型整合回路による増幅器の広帯域化(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-28 L帯広帯域E級GaN HEMT増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-23 2.5GHz帯移動体通信端末用広帯域電力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 負帰還回路を用いた経路切替形利得切替増幅器(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- C-2-46 直列接続MIM構造ショートスタブによる60GHz帯電力増幅器の帯域外利得低減(C-2. マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- GaAsオンチップに高調波処理回路を一体化した3.5GHz低歪高出力FET
- GaAsオンチップに高調波処理回路を一体化した3.5GHz低歪高出力FET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- GaAsオンチップに高調波処理回路を一体化した3.5GHz低歪高出力FET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- GaAsオンチップに高調波処理回路を一体化した3.5GHz低歪高出力FET
- 高出力ミリ波帯HEMTの非線形ドレイン抵抗モデル
- 高出力ミリ波帯HEMTの非線形ドレイン抵抗モデル(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 高出力ミリ波帯HEMTの非線形ドレイン抵抗モデル(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 高出力ミリ波帯HEMTの非線形ドレイン抵抗モデル
- C-10-4 GaAs基板上に高調波処理回路を一体化した3.5GHz低歪高出力FET(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-2 高効率高電圧動作バランス型カスコードFET(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- C-2-8 F級及び逆F級増幅器を合成したDoherty増幅器の設計・試作(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
- ウィルキンソン分配器を用いて不要結合を抑圧した高方向性カップラ(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- C-2-57 X-Ku帯反射型可変帯域阻止フィルタ(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- C-2-21 反射波注入法による周波数可変増幅器に関する検討(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- ミリ波帯オンウエハ自動評価技術
- 高調波負荷を最適化したKa帯2倍波発振器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- C-2-9 高調波負荷整合回路付きKa帯2倍波取り出し型発振器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- コプレーナ線路型オンウェハプローブとマイクロストリップ変換部の位相変化解析
- ステップドープチャネルFETの大信号特性解析
- C-2-57 ミリ波帯RFプローブパッド構造の検討(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般講演)