Ku帯WSi/Au T型埋め込みゲートGaAs高出力HFET
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概要
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高周波領域におけるGaAs高出力MESFETの高利得化を図るため我々は、サイドウォールプロセスを用いて形成した低抵抗のWSi/Au T型ゲートFETを開発している。今回、高電力密度化(Ifmaxの向上)を図るため、上記のWSi/Au T型ゲートをAlGaAs HFET(Heterostructure FET)を開発し良好な特性を実現したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-26
著者
-
井上 晃
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
後藤 清毅
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
奥 友希
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
國井 徹郎
三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
宮國 晋一
三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
河野 康孝
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
後藤 清毅
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
和泉 茂一
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
奥 友希
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
服部 亮
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
高野 博三
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
国井 徹郎
三菱電機株式会社
-
服部 亮
三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
-
宮國 晋一
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
-
宮国 晋一
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
宮國 晋一
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
河野 康孝
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
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