高周波デバイスの特性向上に向けたCat-CVD技術の適用 (特集 光・高周波デバイス)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 三菱電機エンジニアリングの論文

著者

• 奥 友希

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 加茂 宣卓

  三菱電機株式会社

• 加茂 宣卓

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 加茂 宣卓

  三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所

関連論文

• C-2-6 高調波負荷整合回路付きW帯2倍波取り出し型発振器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• 高調波負荷を最適化したW帯2倍波高出力発振器
• Ku, K帯WSi/Au T型埋込ゲート高出力HEMT
• C-2-12 変成回路を備えたSeries-Shunt/Shunt併用形広帯域・高耐電力GaN T/R スイッチ(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• Ku帯WSi/Au T型埋め込みゲートGaAs高出力HFET
• 1.4W, K帯小型モノリシック電力増幅器
• Cat-CVD法で作製したSiN_x膜のGaAsトランジスタ保護膜への応用(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• 直並列・並列併用形S帯100W GaN FETスイッチ(マイクロ波一般/ミリ波技術,マイクロ波シミュレータ,ミリ波技術,一般)
• C-2-5 直並列/並列形保護用高耐電力スイッチの解析(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
• C-2-13 C帯CaN HEMT広帯域高効率増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
• C-10-4 GaN HEMTにおけるGaNバッファ層中トラップの解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• Ku, K帯WSi/Au T型埋込ゲート高出力HEMT
• C-2-24 C帯220W出力GaN HEMT増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
• C-2-23 C帯60W出力GaN HEMT広帯域高効率増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
• C-2-29 セル分割を特徴としたGaN HEMT 1チップ高出力増幅器(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
• Ku, K帯WSi/Au T型埋込ゲート高出力HEMT
• 60W出力C帯広帯域高効率GaN-HEMT (特集 高周波・光デバイス)
• ミリ波帯高出力・高耐圧pHEMT : 非線形ドレイン抵抗低減による出力・耐圧の両立(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
• Ka帯用 高耐湿・高出力TaN/AuゲートpHEMT
• Ka帯用高耐湿・高出力TaN/AuゲートpHEMT(ミリ波技術/一般)
• Ka帯用高耐湿・高出力TaN/AuゲートpHEMT(ミリ波技術/一般)
• Cat-CVD法による表面パッシベーション膜を用いた高信頼度GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• Cat-CVD法による表面パッシベーション膜を用いた高信頼度GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• C-2-27 X帯60W高効率GaN内部整合FET(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• 高調波処理によるGaN HEMTの高効率動作の検討(マイクロ波信号発生と計測技術/一般)
• Cat-CVD法により保護膜形成したC帯100W超級GaN-HEMT (特集 光・高周波デバイス)
• Cat-CVD法によるAlGaN/GaN HEMT表面のSiN膜パッシベーション(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
• Cat-CVD法によるAlGaN/GaN HEMT表面のSiN膜パッシベーション(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
• 高周波デバイスの特性向上に向けたCat-CVD技術の適用 (特集 光・高周波デバイス)
• 50%比帯域を有するX帯高耐電力GaN HEMT T/Rスイッチ(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• 50%比帯域を有するX帯高耐電力GaN HEMT T/Rスイッチ(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• 直並列・並列併用形S帯100W GaN FETスイッチ
• GaAsオンチップに高調波処理回路を一体化した3.5GHz低歪高出力FET
• GaAsオンチップに高調波処理回路を一体化した3.5GHz低歪高出力FET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• GaAsオンチップに高調波処理回路を一体化した3.5GHz低歪高出力FET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• GaAsオンチップに高調波処理回路を一体化した3.5GHz低歪高出力FET
• 高出力ミリ波帯HEMTの非線形ドレイン抵抗モデル
• 高出力ミリ波帯HEMTの非線形ドレイン抵抗モデル(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• 高出力ミリ波帯HEMTの非線形ドレイン抵抗モデル(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• 高出力ミリ波帯HEMTの非線形ドレイン抵抗モデル
• C-10-4 GaAs基板上に高調波処理回路を一体化した3.5GHz低歪高出力FET(C-10.電子デバイス,一般講演)
• C-10-3 Ka帯用高耐湿・高出力TaN/AuゲートpHEMT(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
• C-10-2 高効率高電圧動作バランス型カスコードFET(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
• Ka帯低雑音MMIC増幅器
• 高調波負荷を最適化した高出力低位相雑音76GHz MMIC発振器(電子回路)
• 高調波負荷を最適化したKa帯2倍波発振器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• C-2-9 高調波負荷整合回路付きKa帯2倍波取り出し型発振器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
• 60GHz帯高アイソレーションSPDT MMICスイッチ(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• Ka帯低雑音増幅器MMIC
• GaN広帯域高出力MMIC増幅器 (特集 高周波・光デバイス)
• C-2-25 C帯宇宙用オンチップ高調波処理回路内臓100W GaN増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス,一般セッション)
• C-10-5 GaN HEMTの電界とゲートドレイン間容量のトレードオフとPAEへの影響についてのシミュレーション解析(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
• C-2-10 GaN HEMTを用いた5.8GHz帯シングル-シャント型整流器の設計(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• AlGaN/GaN HEMTにおけるドレーン漏れ電流の解析(半導体材料・デバイス)
• AlGaN/GaNH EMTのドレインリーク電流解析(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
• AlGaN/GaNH EMTのドレインリーク電流解析(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
• C-2-32 小型広帯域基本波/高調波同時整合回路を用いたX帯小型高利得高出力GaN MMIC増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-31 抵抗つき2倍波処理回路をつけたL帯高効率GaN増幅・器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-23 5.8GHz帯シングルーシャント形GaN HEMT整流器の試作(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-36 出力電力の周波数特性が平坦な広帯域MMIC増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス))
• AlGaN/GaN HEMTにおけるドレーン漏れ電流の解析

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク