高調波処理によるGaN HEMTの高効率動作の検討(マイクロ波信号発生と計測技術/一般)
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概要
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高調波処理(高調波整合)によるGaN HEMTの高効率動作について報告する.GaN HEMTはGaAs FETの約10倍の出力密度を有しているため発熱の問題がより深刻となる.このため高効率動作はGaN HEMT高出力増幅器にとって必須である.本研究報告では高効率動作を実現する上で重要となる2倍波の整合条件について高調波ロードプル装置を用いて実験的に調べた.また,高調波ロードプル測定により得られた効率整合負荷インピーダンス条件を元にC帯高出力増幅器の設計・試作を行った.その結果,C帯5%比帯域にて出力80W,電力付加効率57%の高効率・高出力を得ることができた.また,同様にして高周波動作に適した短ゲート長素子を用いてX帯GaN HEMT高出力増幅器を試作した.その結果,X帯50W以上の出力のGaN HEMT高出力増幅器としてはこれまで報告された中で最高の43%の電力付加効率が得られた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-06-20
著者
-
桑田 英悟
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
山中 宏治
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
井上 晃
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
大塚 浩志
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
井上 晃
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
-
加茂 宣卓
三菱電機株式会社
-
能登 一二三
三菱電機株式会社
-
能登 一二三
三菱電機(株)
-
山内 和久
三菱電機(株)
-
山内 和久
三菱電機
-
桑田 英悟
三菱電機株式会社
-
大塚 浩志
三菱電機株式会社
-
加茂 宣卓
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
木村 実人
三菱電機株式会社
-
木村 実人
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
加茂 宣卓
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
-
大塚 浩志
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
加茂 宣卓
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
-
Noto Hifumi
Information Technology R&d Center
-
加茂 宣卓
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
山中 宏治
三菱電機(株)
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