20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
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概要
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GaN HEMTを用いた広帯域増幅器について,分布形増幅器と反射整合形増幅器の高出力・高周波特性の比較について報告する.さらにMMIC構成で小型なGaN HEMT広帯域増幅器を試作した結果,4mm×4.8mmの小さなチップサイズで6〜18GHzの3倍帯域の広帯域に渡って平均出力電力20W,平均動作利得9.6B,平均PAE15%が得られた.これは,動作帯域にKu帯を含み比帯域が100%以上の増幅器の条件下で,出力電力および単位面積当たりの出力電力が世界最高である.
- 2011-07-14
著者
-
平野 嘉仁
三菱電機株式会社
-
山中 宏治
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
桑田 英悟
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
山中 宏治
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
桐越 祐
三菱電機(株)通信機製作所
-
平野 嘉仁
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
中山 正敏
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
山中 宏治
三菱電機 情報技総研
-
山中 宏治
三菱電機
-
中山 正敏
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
-
桐越 祐
三菱電機 通信機製作所
-
中山 正敏
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
小山 英寿
三菱電機株式会社
-
小山 英寿
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
Yamanaka Koji
Information Technology R&d Center
-
山中 宏治
三菱電機(株)
-
平野 嘉仁
三菱電機(株)
-
中山 正敏
三菱電機(株)
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