山内 和久 | 三菱電機(株)

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• 能登 一二三

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 中山 正敏

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• 中山 正敏

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• 山中 宏治

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• 井上 晃

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• 山中 宏治

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• 井上 晃

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• 森 一富

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 高木 直

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• 井上 晃

  三菱電機株式会社

• 池松 寛

  三菱電機株式会社

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• 川上 憲司

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• 桑田 英悟

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• 大塚 浩志

  三菱電機株式会社

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著作論文

• C-2-37 並列ダイオードリニアライザを適用したVHF帯10倍帯域低歪40W増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• FET温特・バイアスモデルを用いた低雑音MMIC増幅器用温特・ばらつき補償ゲートバイアス回路の検討
• FET温特・バイアスモデルを用いた低雑音MMIC増幅器用温特・ばらつき補償ゲートバイアス回路の検討
• FET温特・バイアスモデルを用いた低雑音MMIC増幅器用温特・ばらつき補償ゲートバイアス回路の検討
• 高調波処理によるGaN HEMTの高効率動作の検討(マイクロ波信号発生と計測技術/一般)
• C-2-32 MICで構成された並列ダイオードリニアライザの高周波化に関する検討(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-82 負の群遅延時間に対する回路パラメータ依存性の検討(C-2. マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
• C-2-15 負の群遅延時間を有する回路による増幅器の群遅延時間短縮に関する検討(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
• C-2-18 アンチパラレル型直列ダイオードリニアライザの動作原理に関する検討(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
• C-2-4 アンチパラレル型直列ダイオードリニアライザを用いたUHF帯電力増幅器の歪補償実験(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
• C-2-11 仮想接地型ダイオードリニアライザによるKu帯電力増幅器の歪み補償(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-16 点対称バランを用いたプッシュプル増幅器の提案(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス,一般セッション)
• C-2-31 並列ダイオードリニアライザの位相特性に関する検討(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• 高調波処理によるGaN HEMTの高効率動作の検討
• ダイオードリニアライザの高周波化に関する検討

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